그래핀 저온 전사방법
    1.
    发明申请
    그래핀 저온 전사방법 审中-公开
    石墨烯冷转移法

    公开(公告)号:WO2017065530A1

    公开(公告)日:2017-04-20

    申请号:PCT/KR2016/011504

    申请日:2016-10-13

    CPC classification number: B01J21/00 B01J23/00 H01B1/04 H01B5/14

    Abstract: 본 발명은 고분자 매개성 그래핀 전사법을 이용하되, 고분자 잔류물 없는 깨끗한 표면을 가진 그래핀 박막이 전사된 기재(substrate)를 제조하는 방법; 그래핀 표면으로부터 잔류물 없이 고분자를 제거하는 방법; 그래핀 상 고분자 패턴 형성 방법; 유기용매 처리시 고분자층이 제거되지 않도록 그래핀 상에 고분자 층을 고정하는 방법; 및 고분자 잔류물 없는 깨끗한 표면을 가진 그래핀 박막이 전사된 기재를 포함하는 전기전자소자에 관한 것이다. 본 발명은 금속 함유 층 상(上) 그래핀 박막의 표면에너지를 증가시키는 금속 함유 층의 금속 표면 상태를 결정하고, 상기 결정된 금속 표면 상태로 금속 함유 층을 변화시키는 조건을 결정하는 것이 특징이다.

    Abstract translation:

    本发明涉及一种方法,用于制造基底材料(衬底),但使用聚合物介导的石墨烯转移方法的,石墨烯薄膜具有游离聚合物残余物的清洁表面被转移; 从石墨烯表面除去没有残余物的聚合物的方法; 一种形成石墨烯聚合物图案的方法; 一种将聚合物层固定在石墨烯上以便在有机溶剂处理期间不去除聚合物层的方法; 并且在其上转印具有清洁表面而没有聚合物残余物的石墨烯薄膜的基板被转移。 本发明的特征,以确定哪些确定其增加了相(上)石墨烯薄膜含有金属的层的表面能,改变含有在所确定的金属表面状态的金属层中的含金属层的金属表面状态的条件。

    뇨 시료로부터 다양한 극성의 휘발성 유기화합물들의 동시분석방법
    4.
    发明公开
    뇨 시료로부터 다양한 극성의 휘발성 유기화합물들의 동시분석방법 无效
    尿样中各种极性挥发性有机物的同时分析

    公开(公告)号:KR1020170123888A

    公开(公告)日:2017-11-09

    申请号:KR1020160053139

    申请日:2016-04-29

    Abstract: 본발명은뇨 시료로부터다양한극성을띄는휘발성유기화합물(VOCs)들의동시분석방법에관한것으로서, 특정고상미세추출용파이버를이용한고상미세추출방법과함께, 기체크로마토그래피및 질량분석법을이용하되, 추출조건, 용출조건, 모세관컬럼을최적화함으로써, 휘발성유기화합물들의극성에따른별도의추출이나분석과정없이동시에다양한극성의휘발성유기화합물들을분석할수 있는효과가있으며, 그과정이간편하고정확하기때문에휘발성유기화합물들의생체노출에대한효과적인모니터링연구에활용이가능하다.

    Abstract translation: 本发明涉及挥发性有机化合物从尿样撞击各种极性,与所述微提取使用特定的固相微萃取的纤维固相的同时分析(挥发性有机化合物),但使用气相色谱法和质谱法,萃取的 的条件下,洗脱条件,通过优化毛细管柱,具有可以分析不同极性的挥发性有机化合物,而不根据挥发性有机化合物的极性的同时进一步萃取或分析的效果,因为该方法简单,准确,挥发性有机 它可用于化合物生物暴露的有效监测研究。

    신규 가시광선 흡수 그레핀 박막 광촉매, 이를 이용한 산화환원효소 보조인자의 재생방법 및 이를 이용한 효소반응으로 이산화탄소로부터 포름산을 제조하는 방법
    5.
    发明公开
    신규 가시광선 흡수 그레핀 박막 광촉매, 이를 이용한 산화환원효소 보조인자의 재생방법 및 이를 이용한 효소반응으로 이산화탄소로부터 포름산을 제조하는 방법 有权
    用于从二氧化碳甲酸作为新可见光吸收方法,其光催化列宾薄膜,这种氧化 - 还原酶辅助因子的再现方法和通过使用相同的酶反应。

    公开(公告)号:KR1020170072531A

    公开(公告)日:2017-06-27

    申请号:KR1020150180787

    申请日:2015-12-17

    CPC classification number: Y02P20/582

    Abstract: 본발명은신규가시광선흡수그레핀박막광촉매, 이를이용한산화환원효소보조인자의재생방법및 이를이용한효소반응으로이산화탄소로부터포름산을제조하는방법에관한것이다. 본발명에따른그레핀복합체를포함하는광촉매는기존의전기적전환용전극대신태양광중의가시광선을흡수하는것이가능함으로써, 태양광에너지를사용하여추가적인에너지비용의낭비없이산화환원효소의보조인자를재생할수 있어경제적이고환경친화적일뿐만아니라, 박막형태로도제조가능하므로, 대량생산및 자동화가가능하며, 더욱이온난화가스인이산화탄소를고정하여다양한화합물을선택적으로제조하는인공광합성을응용한신규제조산업에유용하게사용될수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种生产由二氧化碳甲酸作为新可见光吸收该光催化列宾薄膜,这种方法再现氧化还原酶助理的,并使用使用相同的酶反应。 含有根据本发明的列宾复合光催化剂,通过它可以通过使用所述太阳能吸收太阳能光地方的电极的可见光用于现有电开关,发挥氧化还原酶的字符辅因子没有额外的能量成本的损失 它不仅可以成本有效和环境友好的,薄膜这样的形式也可以制备,并且大规模生产和自动化是可能的,并且在hansingyu通过将人工光合作用选择性生产各种化合物行业的固定二氧化碳的制造变暖气体而且有用 可以使用。

    아미노싸이올레이트를 이용한 텅스텐 전구체, 이의 제조방법, 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법
    6.
    发明授权
    아미노싸이올레이트를 이용한 텅스텐 전구체, 이의 제조방법, 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 有权
    具有氨基酸的前驱体,其制备方法和使用其形成薄膜的方法

    公开(公告)号:KR101485519B1

    公开(公告)日:2015-01-28

    申请号:KR1020130046342

    申请日:2013-04-25

    Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 텅스텐 전구체에 관한 것으로, 상기 텅스텐 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 열적 안정성과 휘발성이 개선되고 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점을 가지기 때문에 이를 이용하여 양질의 황화텅스텐 박막을 형성할 수 있다.
    [화학식 1]

    (상기 식에서, R
    1 은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R
    2 , R
    3 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이며, R
    4 , R
    5 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택된다.)

    높은 점멸비를 가지는 탄소나노튜브 네트워크 트랜지스터 소자 및 그 제조방법
    7.
    发明授权
    높은 점멸비를 가지는 탄소나노튜브 네트워크 트랜지스터 소자 및 그 제조방법 有权
    具有高开/关率的碳纳米管网络晶体管元件及其制造方法

    公开(公告)号:KR101284775B1

    公开(公告)日:2013-07-17

    申请号:KR1020110099951

    申请日:2011-09-30

    Abstract: 본 발명은 높은 점멸비를 가지는 탄소나노튜브 트랜지스터 소자 제조방법 및 이에 따라 제조되는 탄소나노튜브 트랜지스터에 관한 것으로, 상세하게는 절연성 재질의 기판 상부에 탄소나노튜브 네트워크를 형성하는 단계; 탄소나노튜브 네트워크 상부에 전극층을 형성하는 단계; 및 소오스와 드레인 사이의 채널 영역을 제외한 나머지 부분의 탄소나노튜브를 제거하는 단계; 및 전극층이 형성된 탄소나노튜브 네트워크에 포토리소그래피와 에칭 작업을 통해 국소적으로 나노튜브의 밀도를 줄이는 단계를 포함하는 탄소나노튜브 네트워크 트랜지스터 소자의 제조방법을 제공한다.
    본 발명의 높은 점멸비를 가지는 탄소나노튜브 트랜지스터의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 탄소나노튜브 트랜지스터는 기존의 탄소나노튜브 트랜지스터의 최대 단점인 점멸비를 보완하여 소자로서의 가치를 갖게 만드는 것이다. 본 발명의 탄소나노튜브 트랜지스터는 우수한 전기적 특성 및 기계적, 광학적 특성을 가지며 이에 따라 디스플레이 및 반도체 산업에 그대로 적용 가능한 효과가 있다.

    압타머를 이용한 탄소 나노튜브 트랜지스터 바이오센서 및이것을 이용한 타겟물질 검출 방법
    8.
    发明授权
    압타머를 이용한 탄소 나노튜브 트랜지스터 바이오센서 및이것을 이용한 타겟물질 검출 방법 有权
    具有适体的碳纳米管生物传感器作为分子识别元件以及使用其的感测目标材料的方法

    公开(公告)号:KR100748408B1

    公开(公告)日:2007-08-10

    申请号:KR1020050056195

    申请日:2005-06-28

    Abstract: 본 발명은 압타머를 이용한 탄소 나노튜브 트랜지스터 바이오센서 및 이것을 이용한 타겟물질(단백질) 검출 방법을 제공하고자 한 것이다.
    특히, 본 발명은 탄소나노튜브 트랜지스터의 채널영역을 구성하고 있는 탄소나노튜브 표면에 프로브 물질로서, 단백질에 높은 친화력을 가지는 DNA 핵산가닥인 압타머(Aptamer)를 흡착 고정시킴으로써, 이 압타머에 특정 타겟물질이 노출되었을 때 나타나는 탄소나노튜브의 전기적인 변화로 압타머와 특이적으로 결합하는 타겟(target)물질 즉, 특정분자(단백질, 펩티드, 아미노산, 유/무기화합물 등)의 검출이 가능한 압타머 및 탄소나노튜브 트랜지스터를 이용한 바이오센서 및 이것을 이용한 타겟물질 검출 방법을 제공하고자 한 것이다.
    탄소나노튜브 트랜지스터, 압타머, 바이오센서, 단백질, 피렌, 전기전도도 변화

    반도체 나노소자
    9.
    发明公开
    반도체 나노소자 失效
    SEMICONDUCTOR NANO-ELEMENT

    公开(公告)号:KR1020070002111A

    公开(公告)日:2007-01-05

    申请号:KR1020050057421

    申请日:2005-06-30

    Abstract: A semiconductor nano device is provided to improve sensitivity of a gas sensor and to reduce sensor size by coating metal nano particles on a surface of a carbon nanotube transistor. An alignment marker is formed on a SiO2/Si substrate(10). A pattern of liquid catalyst is manufactured using a PMMA(polymethylmethacrylate) layer on the SiO2/Si substrate that is insulated by a SiO2 layer. The PMMA layer is removed by an acetone solution. A single walled carbon nanotube(14) is grown at CH4 and H2 atmosphere during 10 minutes in a furnace of 900 ‹C. An electrode(12) is formed by performing photolithography and thermal evaporation on the carbon nanotube, thereby configuring a carbon nanotube transistor. A metal nano particle(16) is coated on a surface of the carbon nanotube transistor.

    Abstract translation: 提供半导体纳米器件以提高气体传感器的灵敏度,并通过在碳纳米管晶体管的表面上涂覆金属纳米颗粒来减小传感​​器尺寸。 在SiO 2 / Si衬底(10)上形成取向标记。 使用由SiO 2层绝缘的SiO 2 / Si衬底上的PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)层制造液体催化剂的图案。 通过丙酮溶液除去PMMA层。 在900℃的炉中,在CH 4和H 2气氛下10分钟内生长单壁碳纳米管(14)。 通过在碳纳米管上进行光刻和热蒸发形成电极(12),从而构成碳纳米管晶体管。 金属纳米颗粒(16)涂覆在碳纳米管晶体管的表面上。

    단일벽 나노튜브를 이용한 기체 센서 및 그 제조방법
    10.
    发明公开
    단일벽 나노튜브를 이용한 기체 센서 및 그 제조방법 失效
    单壁碳纳米管气体传感器及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020050038988A

    公开(公告)日:2005-04-29

    申请号:KR1020030074318

    申请日:2003-10-23

    Abstract: 본 발명에 따른 단일벽 탄소나노튜브를 이용한 기체 센서의 제조방법은 센서용 전극 패턴을 새롭게 설계하는 단계(a)와, 탄소나노튜브를 전극 패턴 위에 떨어뜨리고 인접한 두 전극 사이로 수평 이동시키는 단계(b)를 포함하며, 단계(b)는 전극 패턴위에 탄소나노튜브를 떨어뜨려 일정시간 정지 상태로 유지하는 단계와, 500rpm 이상의 고속으로 탄소나노튜브가 놓인 전극 패턴을 회전시켜 나노튜브가 원심력을 받도록 하는 단계와, 메탄올을 이용하여 불순물 나노입자와 전극 패턴에 놓이지 못한 잔류 나노튜브를 제거하여 전극 패턴을 세정하는 단계를 포함한다.
    이와 같은, 본 발명에 의하면 탄소나노튜브를 화학기상증착법으로 직접 성장시킨 후 전극을 성장한 나노튜브 위에 부착시키는 고비용의 매우 어려운 공정으로 이루어진 직접 성장법과, IDT(Interdigitated) 구조로 전극을 만들고 탄소나노튜브를 그 위에 떨어뜨려 다량의 나노튜브가 다수의 위치에서 전극과 병렬 연결되도록 제조하는 직접 부착법이 갖고 있는 단점, 즉 낮은 감도 및 느린 회복속도를 쉽게 극복하고, 기존 두가지 방법의 장점만을 획득할 수 있는 효과를 제공한다.

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