Abstract:
본 발명은 고분자 매개성 그래핀 전사법을 이용하되, 고분자 잔류물 없는 깨끗한 표면을 가진 그래핀 박막이 전사된 기재(substrate)를 제조하는 방법; 그래핀 표면으로부터 잔류물 없이 고분자를 제거하는 방법; 그래핀 상 고분자 패턴 형성 방법; 유기용매 처리시 고분자층이 제거되지 않도록 그래핀 상에 고분자 층을 고정하는 방법; 및 고분자 잔류물 없는 깨끗한 표면을 가진 그래핀 박막이 전사된 기재를 포함하는 전기전자소자에 관한 것이다. 본 발명은 금속 함유 층 상(上) 그래핀 박막의 표면에너지를 증가시키는 금속 함유 층의 금속 표면 상태를 결정하고, 상기 결정된 금속 표면 상태로 금속 함유 층을 변화시키는 조건을 결정하는 것이 특징이다.
Abstract:
본 발명은 아미노싸이올레이트 리간드를 이용한 금속 전구체에 관한 것으로, 상기 금속 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점이 있고 열적 안정성과 휘발성이 향상되어 양질의 황화금속 박막을 형성할 수 있다.
Abstract:
본 발명은 그래핀의 화학반응 투명성을 이용하는 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전자 전달을 방해하지 않으면서 산소의 확산을 막는 그래핀을 활용함으로써 그래핀 표면에서 촉매반응에 의해 원하는 물질을 형성시킬 수 있는 방법 및 이의 응용 방법에 관한 것이다.
Abstract:
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 텅스텐 전구체에 관한 것으로, 상기 텅스텐 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 열적 안정성과 휘발성이 개선되고 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점을 가지기 때문에 이를 이용하여 양질의 황화텅스텐 박막을 형성할 수 있다. [화학식 1]
(상기 식에서, R 1 은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R 2 , R 3 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이며, R 4 , R 5 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택된다.)
Abstract:
본 발명은 높은 점멸비를 가지는 탄소나노튜브 트랜지스터 소자 제조방법 및 이에 따라 제조되는 탄소나노튜브 트랜지스터에 관한 것으로, 상세하게는 절연성 재질의 기판 상부에 탄소나노튜브 네트워크를 형성하는 단계; 탄소나노튜브 네트워크 상부에 전극층을 형성하는 단계; 및 소오스와 드레인 사이의 채널 영역을 제외한 나머지 부분의 탄소나노튜브를 제거하는 단계; 및 전극층이 형성된 탄소나노튜브 네트워크에 포토리소그래피와 에칭 작업을 통해 국소적으로 나노튜브의 밀도를 줄이는 단계를 포함하는 탄소나노튜브 네트워크 트랜지스터 소자의 제조방법을 제공한다. 본 발명의 높은 점멸비를 가지는 탄소나노튜브 트랜지스터의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 탄소나노튜브 트랜지스터는 기존의 탄소나노튜브 트랜지스터의 최대 단점인 점멸비를 보완하여 소자로서의 가치를 갖게 만드는 것이다. 본 발명의 탄소나노튜브 트랜지스터는 우수한 전기적 특성 및 기계적, 광학적 특성을 가지며 이에 따라 디스플레이 및 반도체 산업에 그대로 적용 가능한 효과가 있다.
Abstract:
본 발명은 압타머를 이용한 탄소 나노튜브 트랜지스터 바이오센서 및 이것을 이용한 타겟물질(단백질) 검출 방법을 제공하고자 한 것이다. 특히, 본 발명은 탄소나노튜브 트랜지스터의 채널영역을 구성하고 있는 탄소나노튜브 표면에 프로브 물질로서, 단백질에 높은 친화력을 가지는 DNA 핵산가닥인 압타머(Aptamer)를 흡착 고정시킴으로써, 이 압타머에 특정 타겟물질이 노출되었을 때 나타나는 탄소나노튜브의 전기적인 변화로 압타머와 특이적으로 결합하는 타겟(target)물질 즉, 특정분자(단백질, 펩티드, 아미노산, 유/무기화합물 등)의 검출이 가능한 압타머 및 탄소나노튜브 트랜지스터를 이용한 바이오센서 및 이것을 이용한 타겟물질 검출 방법을 제공하고자 한 것이다. 탄소나노튜브 트랜지스터, 압타머, 바이오센서, 단백질, 피렌, 전기전도도 변화
Abstract:
A semiconductor nano device is provided to improve sensitivity of a gas sensor and to reduce sensor size by coating metal nano particles on a surface of a carbon nanotube transistor. An alignment marker is formed on a SiO2/Si substrate(10). A pattern of liquid catalyst is manufactured using a PMMA(polymethylmethacrylate) layer on the SiO2/Si substrate that is insulated by a SiO2 layer. The PMMA layer is removed by an acetone solution. A single walled carbon nanotube(14) is grown at CH4 and H2 atmosphere during 10 minutes in a furnace of 900 ‹C. An electrode(12) is formed by performing photolithography and thermal evaporation on the carbon nanotube, thereby configuring a carbon nanotube transistor. A metal nano particle(16) is coated on a surface of the carbon nanotube transistor.
Abstract:
본 발명에 따른 단일벽 탄소나노튜브를 이용한 기체 센서의 제조방법은 센서용 전극 패턴을 새롭게 설계하는 단계(a)와, 탄소나노튜브를 전극 패턴 위에 떨어뜨리고 인접한 두 전극 사이로 수평 이동시키는 단계(b)를 포함하며, 단계(b)는 전극 패턴위에 탄소나노튜브를 떨어뜨려 일정시간 정지 상태로 유지하는 단계와, 500rpm 이상의 고속으로 탄소나노튜브가 놓인 전극 패턴을 회전시켜 나노튜브가 원심력을 받도록 하는 단계와, 메탄올을 이용하여 불순물 나노입자와 전극 패턴에 놓이지 못한 잔류 나노튜브를 제거하여 전극 패턴을 세정하는 단계를 포함한다. 이와 같은, 본 발명에 의하면 탄소나노튜브를 화학기상증착법으로 직접 성장시킨 후 전극을 성장한 나노튜브 위에 부착시키는 고비용의 매우 어려운 공정으로 이루어진 직접 성장법과, IDT(Interdigitated) 구조로 전극을 만들고 탄소나노튜브를 그 위에 떨어뜨려 다량의 나노튜브가 다수의 위치에서 전극과 병렬 연결되도록 제조하는 직접 부착법이 갖고 있는 단점, 즉 낮은 감도 및 느린 회복속도를 쉽게 극복하고, 기존 두가지 방법의 장점만을 획득할 수 있는 효과를 제공한다.