전자 현미경 관찰용 그래핀 복합체 및 시료 기판의 제조방법

    公开(公告)号:WO2020116990A1

    公开(公告)日:2020-06-11

    申请号:PCT/KR2019/017192

    申请日:2019-12-06

    Abstract: 본 발명의 그래핀 복합체를 전자 현미경 관찰에 사용하는 경우, 관찰 대상 시료를 정밀하고 선명하게 관찰할 수 있다. 특히, 결정성 물질로 이루어진 지지층에 의해 지지된 그래핀 복합체의 경우, 관찰 대상 시료를 결정성 있게 형성할 수 있고, 비결정성 물질로 이루어진 지지층에 의해 지지된 그래핀 복합체의 경우, 절연성 있는 바이오 시료 등을 정밀하고 선명하게 관찰할 수 있고, 단독 그래핀층 올려놓을 수 없었던 시료의 경우에도 그래핀의 화학적 투명성으로 인해 안정적으로 올려놓을 수 있는 장점이 있다.

    금속 산화물 함유 금속층 상에서 금속 산화물 함량을 저감시키면서 탄소계 패시베이션막을 형성시키는 방법
    4.
    发明申请
    금속 산화물 함유 금속층 상에서 금속 산화물 함량을 저감시키면서 탄소계 패시베이션막을 형성시키는 방법 审中-公开
    在含金属氧化物的金属层上减少金属氧化物含量时形成基于碳的钝化膜的方法

    公开(公告)号:WO2017052202A1

    公开(公告)日:2017-03-30

    申请号:PCT/KR2016/010546

    申请日:2016-09-21

    CPC classification number: H01L51/00 H01L51/05

    Abstract: 본 발명은 금속 산화물 및/또는 금속 수산화물 함유 금속층과의 계면에서 금속 산화물 및/또는 금속 수산화물 함량을 저감시키면서 탄소계 패시베이션막을 형성시키는 방법; 이를 이용하여 금속층 및 상기 금속층 상에 형성된 탄소계 패시베이션막을 구비한 금속 전극; 및 이를 이용하여 용액공정으로 유기소자를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 어닐링 조건에서 탄소계 패시베이션막을 금속 산화물 및/또는 금속 수산화물 함유 금속층 표면에 형성시키는 경우, 금속 표면에 이미 존재하는 산화막 및/또는 수산화막을 환원시키고 더 이상의 산화 및 부식이 일어나지 않도록 금속 표면을 보호할 수 있을 뿐만아니라, 계면 저항이 낮아서 금(Au)과 같이 자연산화막이 형성되지 않는 금속 전극으로 활용할 수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于形成碳基钝化膜的方法,同时减少与含有金属氧化物和/或金属氢氧化物的金属层的界面中的金属氧化物和/或金属氢氧化物的含量; 包括金属层的金属电极和使用其形成在金属层上的碳基钝化膜; 以及通过使用其的溶液法制造有机元素的方法。 当在根据本发明的退火条件下在含有金属氧化物和/或金属氢氧化物的金属层的表面上形成碳基钝化膜时,碳基钝化膜可以保护金属表面以减少 氧化膜和/或氢氧化物膜,其已经存在于金属表面上,并且防止进一步的氧化和腐蚀,并且可以用作未形成天然氧化物膜的金属电极,如金(Au) ,由于界面阻力低。

    단원자 증착법을 이용한 복합 및 비대칭적인 복합박막 및 이의 제조방법
    5.
    发明申请
    단원자 증착법을 이용한 복합 및 비대칭적인 복합박막 및 이의 제조방법 审中-公开
    复合和不对称复合薄膜及其使用原子沉积法制备其的方法

    公开(公告)号:WO2015060636A1

    公开(公告)日:2015-04-30

    申请号:PCT/KR2014/009938

    申请日:2014-10-22

    CPC classification number: C23C16/40 C23C16/45525

    Abstract: 본 발명은 단원자 증착(atomic layer deposition, ALD)법을 이용하여, 도핑영역층과 비도핑영역층을 구비하여 두께 방향으로 성분상에 있어서 복합 및 비대칭적인 복합박막 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 복합박막은 박막 일부에 도판트 원자층을 포함하는 도핑영역층을 구비함으로써, 박막 두께 방향으로 성분상에 있어서 복합 및 비대칭적 특성을 갖게 되고, 이는 도핑영역층과 비도핑영역층간의 밴드 구조가 달라지게 됨으로써 박막의 층 영역별로 전자기적 특성이 달라지게 되고, 기능성이 향상되어 디스플레이, 메모리, 반도체 영역 전반에 걸쳐서 사용될 수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种复合薄膜,其通过原子层沉积(ALD)设置有掺杂区域层和非掺杂区域层,因此在厚度方向上的分量方面是复杂的和不对称的,并且 一种制备方法。 根据本发明的复合薄膜在薄膜的一个区域上具有包括掺杂剂原子层的掺杂区域层,从而在薄膜的厚度方向上的成分方面具有复杂且不对称的性质, 并且允许掺杂区域层和非掺杂区域层具有不同的带结构,从而对薄膜的每个层区域具有不同的电磁特性。 因此,复合薄膜具有改进的功能,可用于显示器,存储器和半导体的所有领域。

    그래핀 클리닝 공정 및 이에 의해 처리된 그래핀을 포함하는소자
    8.
    发明申请
    그래핀 클리닝 공정 및 이에 의해 처리된 그래핀을 포함하는소자 审中-公开
    石墨清洁工艺和包含其中处理的石墨的装置

    公开(公告)号:WO2014189191A1

    公开(公告)日:2014-11-27

    申请号:PCT/KR2013/011732

    申请日:2013-12-17

    Abstract: 본 발명은 정전기적인 힘을 이용한 그래핀 클리닝 공정 및 이에 의해 처리된 그래핀 소자에 관한 것으로서, 구체적으로는 유기용매를 사용하여 한쪽 면에 그래핀 층이 형성되어 있는 그래핀 지지층을 제거하는 단계와 그래핀 지지층이 제거된 그래핀 층 상에 상호작용이 가능한 거리에 클리닝 부재를 위치시켜서 상기 클리닝 부재를 그래핀 층 상에서 이동시킴으로써 그래핀 지지층 잔사를 제거하는 단계를 포함하는 그래핀 클리닝 방법 및 상기 방법에 의해 클리닝 처리된 그래핀을 포함하는 소자를 제공한다. 본 발명에 따르면, 추가적인 공정이나 비용없이 대면적으로 그래핀의 성능을 균일하게 향상시킬 수 있으며, 본 발명으로 만들어진 클리닝된 그래핀 소자는 우수한 전기적 특성 및 기계적, 광학적 특성을 가진다.

    Abstract translation: 本发明涉及使用静电力的石墨烯清洗工艺和由此处理的石墨烯装置。 更具体地说,本发明提供一种石墨烯清洗方法,其包括以下步骤:使用有机溶剂去除在其一面上形成有石墨烯层的石墨烯支撑层; 以及通过将石墨烯支撑层残留物去除石墨烯支撑层已去除的石墨烯层,然后将清洁部件移动到石墨烯层上,将清洁部件定位成允许相互作用的距离,以及包括石墨烯 通过过程清理。 根据本发明,可以在没有额外的工艺或成本的情况下大量地均匀地提高石墨烯的性能。 此外,在本发明中制造的清洁的石墨烯装置具有优异的电性能以及优异的机械和光学性能。

    황화수소 가스 검출 센서
    9.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2022005240A1

    公开(公告)日:2022-01-06

    申请号:PCT/KR2021/008392

    申请日:2021-07-02

    Abstract: 본 발명에 따른 황화수소 검출 센서는 가스상의 황화수소를 검출하는 센서로, 구체적으로, 본 발명에 따른 황화수소 검출센서는 황화수소 가스와의 접촉에 의해 절연체에서 도체로 전기적 특성이 변화되는 구리 박막을 감지층으로 포함한다. 본 발명에 따른 황화수소 검출 센서는 향상된 민감도로 상온에서 가스 상태의 황화수소를 직접적으로 검출할 수 있으며, 전기적 특성 변화와 함께 황화수소 가스에 대해 선택적으로 색상의 변화가 발생하여, 시각적 인지를 통해 직접적으로 황화수소의 검출 여부를 확인할 수 있다.

    전도성 기재 및 이를 이용한 분석대상물의 분석방법

    公开(公告)号:WO2021256886A1

    公开(公告)日:2021-12-23

    申请号:PCT/KR2021/007653

    申请日:2021-06-18

    Abstract: 본 발명은 전자빔을 이용한 분석대상물의 분석방법에 관한 것으로, 상세하게, 본 발명에 따른 분석대상물의 분석방법은 I) 비전도성 기재 및 상기 비전도성 기재 상부에 위치하고 전도성을 갖는 소수성 2차원 나노구조체를 함유하는 전도성 층을 포함하는 대상 기재와 유기 탄성부재를 물리적으로 접촉시킨 후 서로 분리하는 단계; II) 유기 탄성부재와 접촉 후 분리된 대상 기재에 에너지를 인가하여 전도성 층을 친수화하는 단계; III) 친수화된 전도성층 상부에 분석대상물을 위치시키는 단계; 및 IV) 분석대상물에 전자 빔을 조사하는 단계;를 포함한다.

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