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公开(公告)号：KR102224346B1
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：KR1020190083749A
申请日：2019-07-11
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L51/00
CPC classification number: H01L51/0032 , H01L51/00 , H01L51/50
Abstract: 유무기 하이브리드층, 이를 구비하는 유무기 적층체, 및 이를 가스 배리어로 구비하는 유기전자소자를 제공한다. 상기 유무기 적층체는 적어도 두 층의 금속 산화물층들; 및 상기 금속 산화물층들 사이에 배치되고, 금속 원자층 및 하기 화학식 1 또는 2로 표시되는 유기 분자층을 구비하는 단위층을 적어도 한 층 포함하는 유무기 하이브리드층을 포함한다.
[화학식 1] (-X
a R
a )(X
b1 R
b )C(R
c X
c -)(R
d X
d -)
[화학식 2] (-X
a R
a )(-X
b2 R
b )C(R
c X
c -)(R
d X
d -)
상기 화학식 1 또는 화학식 2에서, -들은 서로에 관계없이 상기 금속 원자층 또는 상기 금속 산화물층 내의 금속과의 결합을 의미하고, X
a , X
b2 , X
c , 및 X
d 는 서로에 관계없이 O, S, Se 또는 NH이고, X
b1 은 수소이고, R
a , R
b , R
c , 및 R
d 는 서로에 관계없이 결합 또는 C1 내지 C5의 알킬렌기이다.-
公开(公告)号：WO2021006712A1
公开(公告)日：2021-01-14
申请号：PCT/KR2020/009169
申请日：2020-07-13
Applicant: 한양대학교 산학협력단
Abstract: 유무기 하이브리드층, 이를 구비하는 유무기 적층체, 및 이를 가스 배리어로 구비하는 유기전자소자를 제공한다. 상기 유무기 적층체는 적어도 두 층의 금속 산화물층들; 및 상기 금속 산화물층들 사이에 배치되고, 금속 원자층 및 하기 화학식 1 또는 2로 표시되는 유기 분자층을 구비하는 단위층을 적어도 한 층 포함하는 유무기 하이브리드층을 포함한다. [화학식 1] (-X a R a )(X b1 R b )C(R c X c -)(R d X d -) [화학식 2] (-X a R a )(-X b2 R b )C(R c X c -)(R d X d -) 상기 화학식 1 또는 화학식 2에서, -들은 서로에 관계없이 상기 금속 원자층 또는 상기 금속 산화물층 내의 금속과의 결합을 의미하고, X a , X b2 , X c , 및 X d 는 서로에 관계없이 O, S, Se 또는 NH이고, X b1 은 수소이고, R a , R b , R c , 및 R d 는 서로에 관계없이 결합 또는 C1 내지 C5의 알킬렌기이다.
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公开(公告)号：WO2020080621A1
公开(公告)日：2020-04-23
申请号：PCT/KR2019/003242
申请日：2019-03-20
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L29/66 , H01L29/78 , H01L29/76 , H01L29/737
Abstract: 본 발명의 일 실시 예에 따른 막 구조체는 적어도 한 축 방향으로 양자화된 에너지 레벨을 가지는 적어도 한 층의 액티브 모노레이어(active monolayer) 및 상기 적어도 한 층의 액티브 모노레이어와 교번 적층되는 적어도 한 층의 배리어(barrier)를 포함하되, 상기 액티브 모노레이어에는 전류가 흐르되, 상기 양자화된 에너지 레벨에 의하여 전류의 흐름이 제한될 수 있다.
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公开(公告)号：WO2018194399A1
公开(公告)日：2018-10-25
申请号：PCT/KR2018/004567
申请日：2018-04-19
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L51/05 , H01L21/285 , H01L21/02 , H01L29/66
CPC classification number: H01L21/02 , H01L21/285 , H01L29/66 , H01L51/05
Abstract: 본 발명의 일 실시 예에 따른 박막 트랜지스터는 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극 및 상기 게이트 전극 상에 마련된, 적어도 하나의 층으로 이루어진 금속 단원자층 및 상기 금속 단원자층과 접촉하는 배리어층으로 이루어진 채널층을 포함하여 이루어질 수 있다.
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公开(公告)号：KR102250011B1
公开(公告)日：2021-05-10
申请号：KR1020190021029
申请日：2019-02-22
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L29/66 , H01L29/78 , H01L29/76 , H01L29/737
Abstract: 본발명의일 실시예에따른막 구조체는적어도한 축방향으로양자화된에너지레벨을가지는적어도한 층의액티브모노레이어(active monolayer) 및상기적어도한 층의액티브모노레이어와교번적층되는적어도한 층의배리어(barrier)를포함하되, 상기액티브모노레이어에는전류가흐르되, 상기양자화된에너지레벨에의하여전류의흐름이제한될수 있다.
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR102214902B1
公开(公告)日：2021-02-15
申请号：KR1020180124390
申请日：2018-10-18
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: C23C16/06 , C23C16/02 , C23C16/455 , C23C16/56
Abstract: 본발명의일 실시예에따르면, 기판이마련된챔버내의유출구를밀폐시킨상태에서, 전이금속증착을위한소스가스를제공함으로써, 상기챔버내의압력을증가시켜, 상기소스가스를상기밀폐된챔버내의상기기판에흡착시키는소스가스가압도징(dosing) 단계, 상기소스가스가압도징단계이후, 퍼지시키는제1 메인퍼징(main purging) 단계, 상기제1 메인퍼징단계후에, 반응가스를제공하는반응가스도징단계및 상기반응가스도징단계이후, 퍼지시키는제2 메인퍼징단계를포함할수 있다.
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公开(公告)号：KR102250003B1
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：KR1020180124635
申请日：2018-10-18
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L29/66 , H01L29/76 , H01L29/737 , H01L29/51
Abstract: 본발명의일 실시예에따른막은, 전도대(conduction band) 내의로우레벨(low level) 전자에너지범위에서제1 전자상태개수를제공하고, 상기전도대내의, 상기로우레벨전자에너지범위보다높은하이레벨(high level) 전자에너지범위에서제2 전자상태개수를제공하며, 상기로우레벨전자에너지범위와상기하이레벨전자에너지범위사이에서, 편재상태(localized state)가제공될수 있다.
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公开(公告)号：KR102241043B1
公开(公告)日：2021-04-19
申请号：KR1020180124408
申请日：2018-10-18
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: C23C16/455 , C23C16/448 , C23C16/06
Abstract: 본발명의일 실시예에따른비결정성금속단원자층은소정이하의두께를가지며, 단일금속으로이루어지되, 비정질(amorphous) 상을가질수 있다.
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公开(公告)号：KR102201378B1
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：KR1020180124398
申请日：2018-10-18
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: C23C16/448 , C23C16/455 , C23C16/40 , H01L21/02
Abstract: 본발명의일 실시예에따른금속산화물트랜지스터는게이트전극, 상기게이트전극일 측에형성되는게이트절연막, 상기게이트절연막일 측에형성되며, 금속산화물층을포함하는액티브층및 상기액티브층의일 측에마련되는소스및 드레인전극을포함하여이루어질수 있다.
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