公开(公告)号：WO2021162358A1

公开(公告)日：2021-08-19

申请号：PCT/KR2021/001551

申请日：2021-02-05

Applicant: 한양대학교 산학협력단

Inventor： 성명모 ,  김홍범 ,  윤홍로

IPC: C08F220/18 ,  C08F230/08 ,  H01B3/44 ,  H01B3/46 ,  H01L51/52 ,  G06F3/041 ,  H01L27/32

Abstract: 본 발명은 아크릴레이트계 모너머 및 화학식 1로 나타낸 실란 화합물을 포함하고, 상기 실란 화합물은 상기 아크릴레이트계 모너머에 대해서 1wt% 내지 10wt%로 포함되는 유전체 조성물이고, 상기 유전체 조성물을 UV조사하여 형성된 유전체막은 유전율이 2 내지 2.7인 디스플레이 유전체막용 저유전율 유전체 조성물을 포함한다.

公开(公告)号：KR102053996B1

公开(公告)日：2019-12-09

申请号：KR1020180114735

申请日：2018-09-27

Applicant: 한양대학교 산학협력단

Inventor： 성명모 ,  이린 ,  윤홍로

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56 ,  H01L51/00

公开(公告)号：KR102256554B1

公开(公告)日：2021-05-27

申请号：KR1020190138990

申请日：2019-11-01

Applicant: 한양대학교 산학협력단

Inventor： 성명모 ,  김홍범 ,  윤홍로

IPC: H01L21/02

Abstract: 주석산화물층, 이를채널층으로포함하는박막트랜지스터, 및박막트랜지스터의제조방법을제공한다. 상기박막트랜지스터는게이트전극, 상기게이트전극상에배치되고 [001] 방향으로우선성장된다결정박막인주석(II) 산화물채널층, 상기게이트전극과상기채널층사이에배치된게이트절연막절연막, 및상기채널층의양측단부들에각각전기적으로접속하는소오스및 드레인전극들을포함한다.

公开(公告)号：KR101976255B1

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：KR1020170028444

申请日：2017-03-06

Applicant: 한양대학교 산학협력단

Inventor： 성명모 ,  윤관혁 ,  윤홍로

IPC: C08J5/18 ,  C08J5/04 ,  C08J5/06

公开(公告)号：KR102265038B1

公开(公告)日：2021-06-09

申请号：KR1020190160562

申请日：2019-12-05

Applicant: 한양대학교 산학협력단

Inventor： 성명모 ,  박진선 ,  김홍범 ,  윤홍로

IPC: H01L29/49 ,  H01L21/02 ,  H01L21/78 ,  H01L29/15