公开(公告)号：KR1020150009083A

公开(公告)日：2015-01-26

申请号：KR1020130082688

申请日：2013-07-15

Applicant: 한양대학교 산학협력단

Inventor： 안진호 ,  홍성철 ,  이재욱 ,  정시준

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/22

CPC classification number: H01L21/0274 ,  G03F1/22 ,  G03F7/2004

Abstract: Provided is a mask for an extreme ultraviolet lithography process. The mask includes a reflection layer which includes a first material layer and a second material layer which are repeatedly and alternately stacked on a substrate and a second material layer, a phase modulation pattern which is arranged on the reflection layer, and an absorption layer which is arranged on the phase modulation pattern and includes a platinum group compound.

Abstract translation: 提供了用于极紫外光刻工艺的掩模。 掩模包括反射层，该反射层包括反复交替堆叠在基板和第二材料层上的第一材料层和第二材料层，布置在反射层上的相位调制图案，以及吸收层， 布置在相位调制图案上并且包括铂族化合物。

公开(公告)号：KR101490603B1

公开(公告)日：2015-02-09

申请号：KR1020130082688

申请日：2013-07-15

Applicant: 한양대학교 산학협력단

Inventor： 안진호 ,  홍성철 ,  이재욱 ,  정시준

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/22

Abstract: 극자외선 노광 공정용 마스크가 제공된다. 상기 마스크는, 기판 상에 교대로 그리고 반복적으로 적층된 제1 물질막 및 제2 물질막을 포함하는 반사막, 상기 반사막 상에 배치된 위상 변조 패턴, 및 상기 위상 변조 패턴 상에 배치되고, 백금족 화합물을 포함하는 흡수 패턴을 포함한다.

Abstract translation: 提供了用于极端紫外线曝光工艺的掩模。 该掩模包括：反射膜，其包括交替地且重复地堆叠在衬底上的第一材料膜和第二材料膜;设置在反射膜上的相位调制图案;以及设置在相位调制图案上的相变材料， 等等。