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公开(公告)号：WO2022203152A1
公开(公告)日：2022-09-29
申请号：PCT/KR2021/017121
申请日：2021-11-19
Applicant: 한양대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명의 일 실시예는 음성합성장치의 다화자 훈련 데이터셋에 기초한 음성합성 방법으로서, 여러 화자의 훈련 데이터셋 중에서 발화 문장이 가장 많은 단일 화자 훈련 데이터 셋을 미리 저장된 신경망을 이용한 음성합성모델을 사전 학습하는 단계; 상기 사전 학습된 음성합성모델에 여러 화자의 훈련 데이터셋으로 파인 튜닝(fine-tuning)하는 단계; 및 타겟 음성 데이터 셋을 상기 파인 튜닝된 음성합성모델에 적용하여 멜 스펙트로그램으로 변환하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：WO2022031060A1
公开(公告)日：2022-02-10
申请号：PCT/KR2021/010307
申请日：2021-08-04
Applicant: 한양대학교 산학협력단
Abstract: 일 실시예에 따른 인공 신경망을 이용한 다화자 음성 합성 방법은, 복수의 사용자의 음성 데이터를 기초로 음성 합성 모델의 합성 인공 신경망을 학습시켜 상기 복수의 사용자들에 대한 음성학습모델을 생성하고 저장하는 단계, 화자인식모델을 이용하여 학습되지 않은 새로운 사용자 및 기 학습되어 있는 상기 복수의 사용자들에 대한 화자벡터를 생성하는 단계, 상기 기 학습되어 있는 복수의 사용자들의 화자벡터 중에서 미리 설정된 기준에 따라 상기 새로운 사용자의 화자벡터와 가장 유사한 관계를 가지는 화자벡터를 결정하는 단계, 및 상기 결정된 화자벡터의 사용자의 화자임베딩 값을 초기값으로 하고, 새로운 사용자의 화자 데이터를 기초로 상기 음성 합성 모델의 합성 인공 신경망을 학습시켜 상기 새로운 사용자의 화자 임베딩을 생성하고 학습하는 단계를 포함할 수 있다.
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公开(公告)号：WO2015160185A1
公开(公告)日：2015-10-22
申请号：PCT/KR2015/003783
申请日：2015-04-15
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: G03F1/64 , H01L21/027
CPC classification number: G03F1/62 , G03F7/2004 , H01L21/027
Abstract: EUV 리소그래피용 펠리클을 제공한다. EUV 리소그래피용 펠리클은 제1 무기물층 상에 제1 결합층 및 탄소 나노구조체를 포함하는 강도보강층이 위치하고, 이때의 제1 결합층은 상기 제1 무기물층과 상기 강도보강층의 결합력을 강화시키고, 탄소 나노구조체를 포함하는 강도보강층을 구비함으로써 펠리클막의 강도를 향상시킬 수 있다. 또한, 다른 실시예의 EUV 리소그래피용 펠리클 및 그 제조방법을 제공한다. EUV 리소그래피용 펠리클은 복수개의 홀을 포함하고, 소광계수가 0.02 이하인 물질로 구성된 다공성 박막이고, 상기 홀의 직경은 1 ㎛ 이하인 것을 특징으로 한다. 따라서, 높은 EUV 투과율을 가지면서도 두께를 두껍게 제작할 수 있으므로 향상된 강도를 확보할 수 있다.
Abstract translation: 提供EUV光刻用防护薄膜。 用于EUV光刻的防护薄膜组件包括形成在第一无机层上的第一组合层和包括碳纳米结构的强化增强层，其中第一组合层增强了第一无机层和强度增强层之间的结合力， 通过包括具有碳纳米结构的强度增强层来改进防护薄膜。 此外，根据另一实例，提供了一种用于EUV光刻的防护薄膜组件及其制造方法。 用于EUV光刻的防护薄膜组件是包括多个孔的多孔薄膜，由具有0.02或更低的消光系数的材料制成，其中孔的直径为1μm或更小。 因此，防护薄膜组件可以制造成具有高的EUV透射率并且较厚，从而确保改善的强度。
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公开(公告)号：KR1020150121292A
公开(公告)日：2015-10-29
申请号：KR1020140046210
申请日：2014-04-17
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: G03F1/64
Abstract: EUV 리소그래피용펠리클을제공한다. EUV 리소그래피용펠리클은소광계수가 0.02 이하인무기물을포함하는제1 무기물층, 상기제1 무기물층상에위치하고, 카테콜계열의작용기를갖는유기물을포함하는제1 결합층및 상기제1 결합층상에위치하고, 탄소나노구조체를포함하는강도보강층을포함할수 있다. 이때의제1 결합층은상기제1 무기물층과상기강도보강층의결합력을강화시키는것을특징으로한다. 따라서, 탄소나노구조체를포함하는강도보강층을구비함으로써펠리클막의강도를향상시킬수 있다. 또한, 무기물층과강도보강층의사이에유기물을포함하는결합층을삽입함으로써, 무기물층과강도보강층사이의결합력을강화시킬수 있고, 나아가유기물층의연성을이용하여무기물층의취성을보강해줄 수있다.
Abstract translation: 提供了用于EUV光刻的防护薄膜组件。 用于EUV光刻的防护薄膜组件包括：包含消光系数为0.02以下的有机材料的第一无机材料层; 在所述第一无机材料层上的第一耦合层位置，并且包括具有儿茶酚基官能团的有机材料; 以及位于所述第一耦合层上并包括碳纳米结构的强度增强层。 此时，第一耦合层增强了第一无机材料层和强度增强层之间的耦合力。 因此，本发明设置包含碳纳米结构的强度增强层，从而提高防护薄膜的强度。 此外，本发明在无机材料层和强化层之间插入包括有机材料在内的耦合层，从而增强了无机层与强化层之间的耦合力，并且还利用延展性增强了无机层的脆性 的有机材料层。
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公开(公告)号：KR101490603B1
公开(公告)日：2015-02-09
申请号：KR1020130082688
申请日：2013-07-15
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L21/027 , G03F1/22
Abstract: 극자외선 노광 공정용 마스크가 제공된다. 상기 마스크는, 기판 상에 교대로 그리고 반복적으로 적층된 제1 물질막 및 제2 물질막을 포함하는 반사막, 상기 반사막 상에 배치된 위상 변조 패턴, 및 상기 위상 변조 패턴 상에 배치되고, 백금족 화합물을 포함하는 흡수 패턴을 포함한다.
Abstract translation: 提供了用于极端紫外线曝光工艺的掩模。 该掩模包括：反射膜，其包括交替地且重复地堆叠在衬底上的第一材料膜和第二材料膜;设置在反射膜上的相位调制图案;以及设置在相位调制图案上的相变材料， 等等。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1020150009083A
公开(公告)日：2015-01-26
申请号：KR1020130082688
申请日：2013-07-15
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L21/027 , G03F1/22
CPC classification number: H01L21/0274 , G03F1/22 , G03F7/2004
Abstract: Provided is a mask for an extreme ultraviolet lithography process. The mask includes a reflection layer which includes a first material layer and a second material layer which are repeatedly and alternately stacked on a substrate and a second material layer, a phase modulation pattern which is arranged on the reflection layer, and an absorption layer which is arranged on the phase modulation pattern and includes a platinum group compound.
Abstract translation: 提供了用于极紫外光刻工艺的掩模。 掩模包括反射层，该反射层包括反复交替堆叠在基板和第二材料层上的第一材料层和第二材料层，布置在反射层上的相位调制图案，以及吸收层， 布置在相位调制图案上并且包括铂族化合物。
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公开(公告)号：KR101680937B1
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：KR1020140046218
申请日：2014-04-17
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L21/027 , G03F1/62
Abstract: EUV 리소그래피용펠리클및 그제조방법을제공한다. EUV 리소그래피용펠리클은복수개의홀을포함하고, 소광계수가 0.02 이하인물질로구성된다공성박막이고, 상기홀의직경은 1 ㎛이하인것을특징으로한다. 따라서, 복수개의홀을가지는다공성박막자체를펠리클로이용함으로써, 박막형태의펠리클보다높은 EUV 투과율을가지면서도두께를두껍게제작할수 있으므로향상된강도를확보할수 있다.
Abstract translation: 提供一种用于EUV光刻的防护薄膜组件及其制造方法。 用于EUV光刻的防护薄膜组件包括多个孔，并且是由具有0.02或更小的消光系数的材料构成的多孔薄膜。 孔的直径为1μm以下。 因此，通过使用具有孔本身的多孔薄膜作为防护薄膜，可以制造具有比薄膜状防护薄膜更高的EUV透射率的厚薄膜，从而确保改善的强度。
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公开(公告)号：KR101676095B1
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：KR1020140046210
申请日：2014-04-17
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: G03F1/64
Abstract: EUV 리소그래피용펠리클을제공한다. EUV 리소그래피용펠리클은소광계수가 0.02 이하인무기물을포함하는제1 무기물층, 상기제1 무기물층상에위치하고, 카테콜계열의작용기를갖는유기물을포함하는제1 결합층및 상기제1 결합층상에위치하고, 탄소나노구조체를포함하는강도보강층을포함할수 있다. 이때의제1 결합층은상기제1 무기물층과상기강도보강층의결합력을강화시키는것을특징으로한다. 따라서, 탄소나노구조체를포함하는강도보강층을구비함으로써펠리클막의강도를향상시킬수 있다. 또한, 무기물층과강도보강층의사이에유기물을포함하는결합층을삽입함으로써, 무기물층과강도보강층사이의결합력을강화시킬수 있고, 나아가유기물층의연성을이용하여무기물층의취성을보강해줄 수있다.
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公开(公告)号：KR1020150121293A
公开(公告)日：2015-10-29
申请号：KR1020140046218
申请日：2014-04-17
Applicant: 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L21/027 , G03F1/62
CPC classification number: H01L21/0274
Abstract: EUV 리소그래피용펠리클및 그제조방법을제공한다. EUV 리소그래피용펠리클은복수개의홀을포함하고, 소광계수가 0.02 이하인물질로구성된다공성박막이고, 상기홀의직경은 1 ㎛이하인것을특징으로한다. 따라서, 복수개의홀을가지는다공성박막자체를펠리클로이용함으로써, 박막형태의펠리클보다높은 EUV 투과율을가지면서도두께를두껍게제작할수 있으므로향상된강도를확보할수 있다.
Abstract translation: 提供一种用于EUV光刻的防护薄膜组件及其制造方法。 用于EUV光刻的防护薄膜组件包括多个孔，并且是由具有0.02或更小的消光系数的材料构成的多孔薄膜。 孔的直径为1μm以下。 因此，通过使用具有孔本身的多孔薄膜作为防护薄膜，可以制造具有比薄膜状防护薄膜更高的EUV透射率的厚薄膜，从而确保改善的强度。
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