클래드 시트 및 그 제조방법
    1.
    发明授权
    클래드 시트 및 그 제조방법 有权
    包覆片材及其制造方法

    公开(公告)号:KR101766088B1

    公开(公告)日:2017-08-07

    申请号:KR1020150177329

    申请日:2015-12-11

    Abstract: 본발명은인쇄회로기판과소자를통전시키는점프리드를포함하는클래드시트및 그제조방법에있어서, 상기점프리드는, 상, 하로이격하여복수의제 1판재를구비하고, 상기복수의제 1판재의사이에인바(Invar)로형성된제 2판재를배치하고, 상기복수의제 1판재의사이에구리(Cu)로형성된제 3판재를배치하여, 상기제 2판재와상기제 3판재를순차적으로횡배열되는클래드시트및 그제조방법에관한것이다.

    Abstract translation: 本发明涉及包括用于导电印刷电路板的跳线和装置的包层板及其制造方法,其中跳跃引线包括彼此间隔开的多个第一板, 由Invar形成的第二板布置在第一板和第二板之间,由铜(Cu)形成的第三板布置在多个第一板之间,并且第二板和第三板顺序地 还有一种制造包层板的方法。

    클래드 시트 및 그 제조방법

    公开(公告)号:KR1020170069740A

    公开(公告)日:2017-06-21

    申请号:KR1020150177329

    申请日:2015-12-11

    Abstract: 본발명은인쇄회로기판과소자를통전시키는점프리드를포함하는클래드시트및 그제조방법에있어서, 상기점프리드는, 상, 하로이격하여복수의제 1판재를구비하고, 상기복수의제 1판재의사이에인바(Invar)로형성된제 2판재를배치하고, 상기복수의제 1판재의사이에구리(Cu)로형성된제 3판재를배치하여, 상기제 2판재와상기제 3판재를순차적으로횡배열되는클래드시트및 그제조방법에관한것이다.

    파워모듈
    7.
    发明授权
    파워모듈 有权
    电源模块

    公开(公告)号:KR101766082B1

    公开(公告)日:2017-08-07

    申请号:KR1020150175268

    申请日:2015-12-09

    Abstract: 본발명은제조공정을간소화할뿐만아니라전기저항의감소및 내구성의향상을도모할수 있는파워모듈에관한것이다. 본발명에의한파워모듈은, 금속층을가진상부기판과, 상기상부기판에대해이격된하부기판과, 상기상부기판과상기하부기판사이에배치된하나이상의반도체와, 상기상부기판의금속층및 상기하부기판의금속층중에서적어도어느하나의금속층에동일체로형성되는스페이서를가질수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种功率模块,其不仅简化了制造工艺,而且还可以降低电阻并提高耐用性。 根据本发明的功率模块包括:具有金属层的上基板;与上基板间隔开的下基板;设置在上基板和下基板之间的至少一个半导体; 并且可以在衬底的至少一个金属层上的相同金属层中形成间隔物。

    파워모듈 패키지용 은 페이스트 조성물
    8.
    发明公开
    파워모듈 패키지용 은 페이스트 조성물 无效
    功率模块封装用银浆组合物

    公开(公告)号:KR1020170069066A

    公开(公告)日:2017-06-20

    申请号:KR1020150176301

    申请日:2015-12-10

    Abstract: 본발명은파워모듈패키지용은 페이스트조성물및 그제조방법에관한것으로, 보다상세하게는은(Ag) 분말및 유기바인더를포함하되은 분말입자의형상은구형및 판상형이혼합되어포함하도록하는파워모듈패키지용은 페이스트조성물및 그제조방법에관한것이다. 보다더 구체적으로본 발명은은(Ag) 분말및 유기바인더를포함하되은 분말입자의형상은구형및 판상형이혼합되어포함하도록함으로써기존조성물대비내구접합력이향상되고전기적, 열적전도성이우수하며, 고온동작하에서내구신뢰성을보장할수 있다.

    Abstract translation: 本发明是一种电源模块的该形状,更具体地,银(Ag)粉末和包含关于功率模块封装,该糊组合物和包括矩形和板状混合物封装的制造方法的有机粘合剂hadoeeun粉末 本发明涉及一种银浆组合物及其制造方法。 本发明还更具体地,银(Ag),粉末和hadoeeun粉末的形状包括有机粘合剂,和粘合强度是通过改进的耐久性相比于常规组合物中包含的矩形和板状混合并yiwoosu导电和导热性,高的温度操作 耐力可靠性可以得到保证。

    오믹 접합을 위한 반도체 소자 구조 및 그 제조 방법
    10.
    发明公开
    오믹 접합을 위한 반도체 소자 구조 및 그 제조 방법 无效
    半导体器件的OHMIC接触的结构及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020140085142A

    公开(公告)日:2014-07-07

    申请号:KR1020120155376

    申请日:2012-12-27

    CPC classification number: H01L29/45 H01L21/0485 H01L29/1608 H01L21/28

    Abstract: A semiconductor device structure for ohmic contact according to an embodiment of the present invention comprises a silicon carbide substrate; an ohmic contact layer disposed on the silicon carbide substrate; a carbon layer disposed on the ohmic contact layer; a diffusion prevention layer disposed on the carbon layer; and a pad layer disposed on the diffusion prevention layer. The diffusion prevention layer is composed of one among tungsten (W), titanium (Ti), titanium nitride (TiN), tantalum (Ta), and tantalum nitride (TaN).

    Abstract translation: 根据本发明的实施例的用于欧姆接触的半导体器件结构包括碳化硅衬底; 设置在碳化硅衬底上的欧姆接触层; 设置在所述欧姆接触层上的碳层; 设置在所述碳层上的扩散防止层; 以及设置在扩散防止层上的焊盘层。 扩散防止层由钨(W),钛(Ti),氮化钛(TiN),钽(Ta)和氮化钽(TaN)之一构成。

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