公开(公告)号：WO2012120448A1

公开(公告)日：2012-09-13

申请号：PCT/IB2012/051048

申请日：2012-03-06

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES ,  3D PLUS ,  LIMOUSIN, Olivier ,  SOUFFLET, Fabrice

Inventor： LIMOUSIN, Olivier ,  SOUFFLET, Fabrice

IPC: H05K3/32 ,  H05K3/40 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/1111 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/2711 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/8185 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/12042 ,  H05K3/027 ,  H05K3/06 ,  H05K3/12 ,  H05K3/321 ,  H05K3/4007 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/107 ,  H05K2203/1476 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00

Abstract: Procédé d'interconnexion par retournement d'un composant électronique (D) sur un substrat (B), caractérisé en ce qu'il comporte la réalisation d'au moins un plot d'interconnexion (PC) par gravure d'une couche épaisse conductrice et son collage, au moyen d'au moins une colle conductrice, entre un plot ou plage d'accueil dudit composant électronique et un plot ou plage d'accueil dudit substrat (PAS).

Abstract translation: 本发明涉及一种用于将电子元件（D）倒装连接到基板（B）的方法，其特征在于，其包括通过蚀刻厚导电膜并将其粘结来制造至少一个互连焊盘（PC），通过 至少一种导电粘合剂的装置，在所述电子部件的接收垫或区域与所述基板的接收垫或区域（PAS）之间。

公开(公告)号：EP2684434A1

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：EP12708973.8

申请日：2012-03-06

Applicant: Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives ,  3D Plus

Inventor： LIMOUSIN, Olivier ,  SOUFFLET, Fabrice

IPC: H05K3/32 ,  H05K3/40 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/1111 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/2711 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/8185 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/12042 ,  H05K3/027 ,  H05K3/06 ,  H05K3/12 ,  H05K3/321 ,  H05K3/4007 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/107 ,  H05K2203/1476 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00

Abstract: The invention relates to a process for flip-chip connection of an electronic component (D) to a substrate (B), characterized in that it comprises producing at least one interconnect pad (PC) by etching a thick conductive film and bonding it, by means of at least one conductive adhesive, between a receiving pad or area of said electronic component and a receiving pad or area (PAS) of said substrate.

公开(公告)号：EP2684434B1

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：EP12708973.8

申请日：2012-03-06

Applicant: Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives ,  3D Plus

Inventor： LIMOUSIN, Olivier ,  SOUFFLET, Fabrice

IPC: H05K3/32 ,  H05K3/40 ,  H01L21/60 ,  H01L23/00 ,  H05K3/02 ,  H05K3/06 ,  H05K3/12

CPC classification number: H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/1111 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/2711 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/8185 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/12042 ,  H05K3/027 ,  H05K3/06 ,  H05K3/12 ,  H05K3/321 ,  H05K3/4007 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/107 ,  H05K2203/1476 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：EP3059763B1

公开(公告)日：2019-06-19

申请号：EP16156165.9

申请日：2016-02-17

Applicant: 3D Plus

Inventor： VAL, Alexandre ,  SOUFFLET, Fabrice

IPC: H01L25/10 ,  H01L23/495 ,  H01L21/48

公开(公告)号：EP3059763A1

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：EP16156165.9

申请日：2016-02-17

Applicant: 3D Plus

Inventor： VAL, Alexandre ,  SOUFFLET, Fabrice

IPC: H01L25/10 ,  H01L23/495

CPC classification number: H01L23/49575 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/4842 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49555 ,  H01L25/105 ,  H01L2225/1029 ,  H01L2225/1064

Abstract: Procédé de fabrication d'au moins un module électronique 3D comprenant chacun un empilement de boîtiers électroniques et/ou de circuits imprimés, disposé sur un système d'interconnexion électrique à broches métalliques ayant chacune deux extrémités.
Il comporte les étapes suivantes :
- à partir d'une grille d'interconnexion qui comprend des broches métalliques plier à environ 180°, les broches pour obtenir une partie de grille dite interne incluant les extrémités pliées destinées à être moulées, l'autre partie dite externe incluant les extrémités extérieures non pliées, les deux extrémités de chaque broche étant destinées à émerger du module 3D sur une même face découpée selon Z,
- déposer sur les broches un revêtement métallique,
- placer la partie externe de la grille entre deux éléments de protection inférieur et supérieur en laissant libre la partie interne, et placer la grille et les éléments de protection sur un support ,
- placer chaque empilement équipés chacun de pattes extérieures d'interconnexion de manière à superposer les pattes extérieures sur la partie interne,
- mouler dans une résine, l'empilement, les pattes extérieures et la partie interne en recouvrant partiellement l'élément de protection supérieur,
- découper la résine en laissant affleurer les sections conductrices des pattes extérieures et des extrémités des broches et retirer la résine de l'élément de protection supérieur,
- métallisation des faces découpées,
- retrait du support,
- retrait des éléments de protection pour dégager les broches de la partie externe.

Abstract translation: 一种用于制造至少一个3D电子模块的方法，每个包括电子封装和/或印刷电路板的堆叠，其中堆叠放置在电连接系统上，该电互连系统包括各自具有两端的金属引线。 该方法包括以下步骤：从包括金属引线的引线框开始，将引线折叠约180°，以获得包括要成型的折叠端部的内框架部分， 其它部分，这是所谓的外部部分，包括展开的外端，每个引线的两端旨在从沿着Z切割的给定面上的3D模块露出; 在引线上沉积金属涂层; 将框架的外部部分放置在两个上部和下部保护元件之间，同时使内部部分自由，并将框架和保护元件放置在载体上; 将每个堆叠的每个堆叠放置有外部互连突片，以便将外部突出部叠置在内部部分上; 在树脂中模制，堆叠，外部突出部和内部部分，从而部分地覆盖上部保护元件; 切割树脂，从而留下外部突片和引线的端部的平齐的导电部分，并从上保护元件中取出树脂; 金属切割面; 去除载体; 并且去除保护元件以暴露外部部分的引线。