公开(公告)号：EP2290683A1

公开(公告)日：2011-03-02

申请号：EP09168824.2

申请日：2009-08-27

Applicant: ABB Research Ltd

Inventor： Haederli, Christoph ,  Kicin, Slavo

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L23/492 ,  H01L23/13

CPC classification number: H01L23/49833 ,  H01L23/051 ,  H01L23/13 ,  H01L23/5385 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599

Abstract: An electrical module comprising a first electrically conductive substrate plate (101), a second electrically conductive substrate plate (102), and semiconductor components (103-110) between the first and second substrate plates is presented. The second substrate plate is shaped to have cuts (115, 116, 122, 123, 124) on its edge or apertures for providing access to control terminals of the semiconductor components in order to facilitate connection of wire bonds to the control terminals. Hence, the wire bonds to the control terminals can be made after the semiconductor components have been bonded to the first and second substrate plates. Furthermore, due to the appropriate shaping of the second substrate plate, the area of the second substrate plate does not need to be essentially smaller than that of the first substrate plate. Thus cooling via the second substrate plate is sufficiently balanced with cooling via the first substrate plate and, as a consequence, temperature stresses can be reduced.

Abstract translation: 提供了一种包括第一导电基板（101），第二导电基板（102）和第一和第二基板之间的半导体部件（103-110）的电模块。 第二基板被成形为在其边缘上具有切口（115,116,122,123,124），用于提供对半导体部件的控制端子的访问，以便于将引线键连接到控制端子。 因此，可以在半导体部件已经接合到第一和第二基板之后进行到控制端子的引线键合。 此外，由于第二基板的适当成形，第二基板的面积不需要基本上小于第一基板的面积。 因此，通过第二衬底板的冷却通过第一衬底板的冷却足够平衡，因此可以降低温度应力。

公开(公告)号：EP2270855A1

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：EP09164030.0

申请日：2009-06-29

Applicant: ABB Research Ltd.

Inventor： Haederli, Christoph ,  Liu, Chunlei ,  Kicin, Slavo ,  Agostini, Bruno ,  Wildner, Franz

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L21/60 ,  H01L23/538

CPC classification number: H02M7/003 ,  H01L23/051 ,  H01L23/5385 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/072 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/33505 ,  H01L2224/48157 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/9222 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: A method for fabricating an electrical module comprising a first substrate plate (101), a second substrate plate (102), and semiconductor components (103-110) between the first and second substrate plates is presented. Also an electrical module obtainable with the method and an electrical converter device including such electrical modules are presented. In the method, a bond (112) between first sides of the semiconductor components and the first substrate plate is made by sintering and, subsequently, a bond (111) between second sides of the semiconductor components and the second substrate plate is made by soldering. As the sintered bond can withstand high temperatures, a high temperature solder can be used for the soldered bond without damaging the earlier made sintered bond.

Abstract translation: 提供一种用于制造电模块的方法，包括第一基板（101），第二基板（102）和第一和第二基板之间的半导体部件（103-110）。 还提出了可以通过该方法获得的电模块和包括这种电模块的电转换装置。 在该方法中，通过烧结制作半导体部件的第一面和第一基板之间的接合部（112），接着，在半导体部件的第二面与第二基板之间的接合（111）通过焊接 。 由于烧结粘结能够承受高温，因此可以将高温焊料用于焊接粘合，而不会损坏较早制造的烧结粘结。

公开(公告)号：EP2328172B1

公开(公告)日：2019-06-26

申请号：EP09012507.1

申请日：2009-10-02

Applicant: Abb Research Ltd.

Inventor： Yesin, Berk ,  Agostini, Bruno ,  Haederli, Christoph ,  Liu, Chunlei ,  Agostini, Francesco ,  Duran, Hamit ,  Kicin, Slavo

IPC: H01L23/427 ,  F28D15/02 ,  H05K7/20 ,  H01L25/07

公开(公告)号：EP2328172A1

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：EP09012507.1

申请日：2009-10-02

Applicant: Abb Research Ltd.

Inventor： Yesin, Berk ,  Agostini, Bruno ,  Haederli, Christoph ,  Liu, Chunlei ,  Agostini, Francesco ,  Duran, Hamit ,  Kicin, Slavo

IPC: H01L23/427

CPC classification number: H01L23/427 ,  F28D15/0233 ,  F28D15/0266 ,  H01L25/072 ,  H01L2924/0002 ,  H05K7/20936 ,  Y10T29/49826 ,  H01L2924/00

Abstract: A power-electronic arrangement comprising semiconductor components (102, 103, 107), a heat exchanger (110), and an electrically conductive element (109) is presented. The heat exchanger comprises evaporator channels (111) and condenser channels (112) for working fluid. The electrically conductive element comprises a contact surface providing a thermal contact to outer surfaces of walls of the evaporator channels for transferring heat from the electrically conductive element to the evaporator channels. A main current terminal of each semiconductor component is bonded to the electrically conductive element which thus forms a part of a main current circuitry of a power system. As the main current terminal is directly bonded to the electrically conductive element cooled with the heat exchanger, the temperature gradients inside the semiconductor components can be kept moderate, and thus the temperatures inside the semiconductor components can be limited.

Abstract translation: 提出了包括半导体部件（102,103,107），热交换器（110）和导电元件（109）的功率电子装置。 热交换器包括用于工作流体的蒸发器通道（111）和冷凝器通道（112）。 导电元件包括​​提供与蒸发器通道的壁的外表面的热接触的接触表面，用于将热量从导电元件传递到蒸发器通道。 每个半导体部件的主电流端子被接合到导电元件，由此形成电力系统的主电流电路的一部分。 由于主电流端子直接接合到用热交换器冷却的导电元件，所以半导体部件内部的温度梯度可以保持适中，从而可以限制半导体部件内部的温度。

公开(公告)号：EP2161825A1

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：EP08163678.9

申请日：2008-09-04

Applicant: ABB Research Ltd.

Inventor： Haederli, Christoph

IPC: H02M7/483

CPC classification number: H02M7/483 ,  Y10T307/747

Abstract: Es wird eine Schaltzelle zur Schaltung von n Schaltspannungsniveaus, wobei n=5,7,9,... ist, angegeben, welche eine erste und eine zweite Zweigschaltung (1,2) aufweist, wobei jede Zweigschaltung (1,2)n-1 in Serie geschaltete Leistungshalbleiterschalter und p=n-2 Leistungshalbleiterschalterverbindungspunkten der in Serie geschalteten Leistungshalbleiterschalter einer jeden Zweigschaltung (1,2) aufweist, die eine erste und eine zweite Kapazität (6,7) oder alternativ nur eine Kapazität (8) aufweist. Zudem enthält die Zwischenschaltung eine Vielzahl von Leistungshalbleiterschaltern, die zusammen mit der ersten und zweiten Kapazität (6,7) oder der einen Kapazität (8) zwischen dem Verbindungspunkt zweie Energiespeicher (3,4) und den beiden Zweigschaltungen (1,2) angeordnet ist.

Abstract translation: 中间电路（5）具有连接到第一分支电路（1）的奇数计数数x的功率半导体开关连接点的第一电容器（6），当连接点以奇数计数数x开始编号时。 第二电容器（7）连接到第二分支电路（2）的接点，其中中间电路的开关（9）直接连接到具有第一或第二分支电路的计数数（p + 1）/ 2的结点 ，其中p是连接点的数量等于n-1，并且其中n等于5或更多。