Abstract:
A semiconductor power module (100) includes at least two sub modules (101-106). The sub modules (101-106) include at least one respective transistor (107) having a collector (108), an emitter (109) and a gate (110). Furthermore a connection arrangement is provided which includes a collector terminal unit (201) adapted for connecting the collectors of the at least two sub modules (101-106) collectively to external circuit components, at least two emitter terminal units (301-304) adapted for connecting the respective emitters (109) of the at least two sub modules (101-106) individually to external circuit components, and at least two gate terminal units (401-404) adapted for connecting the respective gates (110) of the at least two sub modules (101-106) individually to external circuit components.
Abstract:
Das Leistungshalbleiter-Modul (1) umfasst ein Gehäuse (5), eine Deckelplatte (11) und mindestens zwei Submodule (21, 22). Die Submodule (21, 22) umfassen je mindestens einen Halbleiterchip, welcher zwei Hauptelektroden aufweist, welche mit Hauptanschlüssen (3, 4) der Submodule elektrisch leitend verbunden sind. Die Submodule (21, 22) sind nebeneinander angeordnet und mit einer der beiden Hauptoberflächen an die Deckelplatte (11) des Moduls angepresst. Die Submodule sind elektrisch in Serie geschaltet. Durch das Serienschalten der nebeneinander angeordneten Submodule verdoppelt sich die maximale Sperrspannung des Moduls. Dadurch reduziert sich die Länge und die Kosten des Stacks eines Hochspannungsschalters da für die gleichen Sperrspannungen weniger Komponenten gebraucht werden, insbesondere weniger Module und Kühlelemente.