Leistungshalbleiter-Submodul und Leistungshalbleiter-Modul

    公开(公告)号:EP1318545A1

    公开(公告)日:2003-06-11

    申请号:EP01811189.8

    申请日:2001-12-06

    Abstract: Das Leistungshalbleiter-Submodul (1) umfasst zwischen zwei Hauptanschlüssen (6, 7) wenigstens zwei Halbleiterchips (21, 22), welche zwei Hauptelektroden (3, 4) umfassen, wobei auf die eine Hauptelektrode (3) durch ein Kontaktstempel (8) eine Kontaktkraft ausgeübt wird und der Halbleiterchip (21, 22) so mit der anderen Hauptelektrode (4) auf eine Grundplatte (5) gedrückt wird. Die beiden Halbleiterchips (21, 22) zwischen den beiden Hauptanschlüssen (6, 7) des Leistungshalbleiter-Submoduls sind elektrisch in Serie geschaltet.
    Dadurch, dass die beiden Halbleiterchips wie bei herkömmlichen Press Pack Modulen nebeneinander auf der Grundplatte angeordnet sind, erhöht sich die Bauhöhe des erfindungsgemässen Leistungshalbleiter-Submoduls nicht. Hingegen wird durch die elektrische Serienschaltung die maximale Sperrspannung des Leistungshalbleiter-Submoduls erhöht.

    Abstract translation: 该装置具有主要电极的芯片,一个由接触柱,一个在基板上的一个,连接到基板的第一连接和至少第一芯片的第一主电极,第二连接电连接到 至少第二芯片的第二主电极,其第一电极在基板上并连接到接触柱。 第一和第二芯片在连接之间串联连接。 该器件具有多个具有至少两个主电极(3,4)的半导体芯片(2,21,22),一个受到接触柱(8)的接触力,另一个搁置在基板 (5),与所述基板电连接并与至少一个第一半导体芯片的第一主电极电连接的第一主连接(7),至少电连接到第二主电极的第二主连接(6) 一个第二芯片,其第一电极在基板上并与相应的接触柱电气相互作用。 第一和第二芯片串联地电连接在第一和第二主连接之间。 AN还包括以下独立权利要求:功率半导体模块。

    Leistungshalbleiter-Modul
    3.
    发明公开
    Leistungshalbleiter-Modul 有权
    Leistungshalbleiter-MODUL

    公开(公告)号:EP1318547A1

    公开(公告)日:2003-06-11

    申请号:EP01811188.0

    申请日:2001-12-06

    Abstract: Das Leistungshalbleiter-Modul (1) umfasst ein Gehäuse (5), eine Deckelplatte (11) und mindestens zwei Submodule (21, 22). Die Submodule (21, 22) umfassen je mindestens einen Halbleiterchip, welcher zwei Hauptelektroden aufweist, welche mit Hauptanschlüssen (3, 4) der Submodule elektrisch leitend verbunden sind. Die Submodule (21, 22) sind nebeneinander angeordnet und mit einer der beiden Hauptoberflächen an die Deckelplatte (11) des Moduls angepresst. Die Submodule sind elektrisch in Serie geschaltet.
    Durch das Serienschalten der nebeneinander angeordneten Submodule verdoppelt sich die maximale Sperrspannung des Moduls. Dadurch reduziert sich die Länge und die Kosten des Stacks eines Hochspannungsschalters da für die gleichen Sperrspannungen weniger Komponenten gebraucht werden, insbesondere weniger Module und Kühlelemente.

    Abstract translation: 该装置在相对的主表面上具有两个主要连接,第一个盖板,连接到连接件之间的板的绝缘壳体和至少两个子模块,每个子模块在相对的主表面上具有两个主电连接, ),主电极连接到主连接。 相邻的子模块被压靠在盖板上。 至少2个子模块串联电连接。 该装置在相对的平行主表面上具有两个主电连接,第一连接形式为导电盖板(11),电绝缘壳体(5),其接合到盖板并且在主连接和 至少两个子模块(21,22)。 每个子模块在相对的主表面上具有两个主电连接(3,4)和至少一个芯片,其中主电极连接到主连接。 子模块彼此相邻地布置并压靠盖板。 至少两个子模块串联电连接。

    Method and device in power transistor
    4.
    发明公开
    Method and device in power transistor 失效
    Verfahren und VorrichtungfürLeistungstransistor

    公开(公告)号:EP0926826A1

    公开(公告)日:1999-06-30

    申请号:EP97204006.7

    申请日:1997-12-18

    CPC classification number: H03K17/163 H03K17/166 H03K17/168

    Abstract: A method and a device for control of a switching operation consisting of a turn-on or turn-off operation in a voltage-controlled power transistor (T1), wherein at least one current source (S1, S2) is arranged at the control electrode (G) of the power transistor for controlling the recharging of at least one of the capacitances which occurs between the control electrode (G) of the power transistor and the main electrodes (C, E) of the power transistor and thus to determine the time rate of change of at least one of the quantities voltage and current.

    Abstract translation: 一种用于控制由压控功率晶体管(T1)中的导通或关断操作组成的开关操作的方法和装置,其中至少一个电流源(S1,S2)布置在控制电极 (G),用于控制在功率晶体管的控制电极(G)和功率晶体管的主电极(C,E)之间发生的至少一个电容的再充电,从而确定时间 至少一个电压和电流的变化率。

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