Abstract:
Das Leistungshalbleiter-Submodul (1) umfasst zwischen zwei Hauptanschlüssen (6, 7) wenigstens zwei Halbleiterchips (21, 22), welche zwei Hauptelektroden (3, 4) umfassen, wobei auf die eine Hauptelektrode (3) durch ein Kontaktstempel (8) eine Kontaktkraft ausgeübt wird und der Halbleiterchip (21, 22) so mit der anderen Hauptelektrode (4) auf eine Grundplatte (5) gedrückt wird. Die beiden Halbleiterchips (21, 22) zwischen den beiden Hauptanschlüssen (6, 7) des Leistungshalbleiter-Submoduls sind elektrisch in Serie geschaltet. Dadurch, dass die beiden Halbleiterchips wie bei herkömmlichen Press Pack Modulen nebeneinander auf der Grundplatte angeordnet sind, erhöht sich die Bauhöhe des erfindungsgemässen Leistungshalbleiter-Submoduls nicht. Hingegen wird durch die elektrische Serienschaltung die maximale Sperrspannung des Leistungshalbleiter-Submoduls erhöht.
Abstract:
Das Leistungshalbleiter-Modul (1) umfasst ein Gehäuse (5), eine Deckelplatte (11) und mindestens zwei Submodule (21, 22). Die Submodule (21, 22) umfassen je mindestens einen Halbleiterchip, welcher zwei Hauptelektroden aufweist, welche mit Hauptanschlüssen (3, 4) der Submodule elektrisch leitend verbunden sind. Die Submodule (21, 22) sind nebeneinander angeordnet und mit einer der beiden Hauptoberflächen an die Deckelplatte (11) des Moduls angepresst. Die Submodule sind elektrisch in Serie geschaltet. Durch das Serienschalten der nebeneinander angeordneten Submodule verdoppelt sich die maximale Sperrspannung des Moduls. Dadurch reduziert sich die Länge und die Kosten des Stacks eines Hochspannungsschalters da für die gleichen Sperrspannungen weniger Komponenten gebraucht werden, insbesondere weniger Module und Kühlelemente.
Abstract:
A method and a device for control of a switching operation consisting of a turn-on or turn-off operation in a voltage-controlled power transistor (T1), wherein at least one current source (S1, S2) is arranged at the control electrode (G) of the power transistor for controlling the recharging of at least one of the capacitances which occurs between the control electrode (G) of the power transistor and the main electrodes (C, E) of the power transistor and thus to determine the time rate of change of at least one of the quantities voltage and current.