公开(公告)号：EP1318545A1

公开(公告)日：2003-06-11

申请号：EP01811189.8

申请日：2001-12-06

Applicant: ABB RESEARCH LTD.

Inventor： Zwick, Fabian ,  Bijlenga, Bo ,  Erne, Patrick ,  Hamidi, Amina ,  Kaufmann, Stefan ,  Meysenc, Luc

IPC: H01L23/48 ,  H01L25/07

CPC classification number: H01L24/72 ,  H01L23/62 ,  H01L25/072 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00

Abstract: Das Leistungshalbleiter-Submodul (1) umfasst zwischen zwei Hauptanschlüssen (6, 7) wenigstens zwei Halbleiterchips (21, 22), welche zwei Hauptelektroden (3, 4) umfassen, wobei auf die eine Hauptelektrode (3) durch ein Kontaktstempel (8) eine Kontaktkraft ausgeübt wird und der Halbleiterchip (21, 22) so mit der anderen Hauptelektrode (4) auf eine Grundplatte (5) gedrückt wird. Die beiden Halbleiterchips (21, 22) zwischen den beiden Hauptanschlüssen (6, 7) des Leistungshalbleiter-Submoduls sind elektrisch in Serie geschaltet.
Dadurch, dass die beiden Halbleiterchips wie bei herkömmlichen Press Pack Modulen nebeneinander auf der Grundplatte angeordnet sind, erhöht sich die Bauhöhe des erfindungsgemässen Leistungshalbleiter-Submoduls nicht. Hingegen wird durch die elektrische Serienschaltung die maximale Sperrspannung des Leistungshalbleiter-Submoduls erhöht.

Abstract translation: 该装置具有主要电极的芯片，一个由接触柱，一个在基板上的一个，连接到基板的第一连接和至少第一芯片的第一主电极，第二连接电连接到 至少第二芯片的第二主电极，其第一电极在基板上并连接到接触柱。 第一和第二芯片在连接之间串联连接。 该器件具有多个具有至少两个主电极（3,4）的半导体芯片（2,21,22），一个受到接触柱（8）的接触力，另一个搁置在基板 （5），与所述基板电连接并与至少一个第一半导体芯片的第一主电极电连接的第一主连接（7），至少电连接到第二主电极的第二主连接（6） 一个第二芯片，其第一电极在基板上并与相应的接触柱电气相互作用。 第一和第二芯片串联地电连接在第一和第二主连接之间。 AN还包括以下独立权利要求：功率半导体模块。

公开(公告)号：EP1182701A1

公开(公告)日：2002-02-27

申请号：EP00810742.7

申请日：2000-08-21

Applicant: ABB RESEARCH LTD.

Inventor： Knapp, Wolfgang ,  Zwick, Fabian

IPC: H01L23/051 ,  H01L23/367 ,  H01L23/492 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L23/3672 ,  H01L21/4871 ,  H01L23/051 ,  H01L23/4922 ,  H01L2224/83101

Abstract: In einem Verfahren zur Herstellung eines selbsttragenden Pufferelementes, welches mechanische Spannungen zwischen zwei Materialien mit unterschiedlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten vermindern soll und deshalb im wesentlichen unabhängig voneinander expansions- und/oder kontraktionsfähige Bereiche aufweist, wird ein Blech (1) so zu einer dreidimensionalen Struktur (1',1") verformt, dass diese in Gebiete unterteilbar ist, welche im wesentlichen unabhängig voneinander expansions- und/oder kontraktionsfähig sind, worauf die dreidimensionale Struktur (1',1") verpresst wird und zu einer strukturierten Platte (P) verarbeitet wird.
Es lassen sich somit einfach herstellbare, stabile und einfach handhabbare Pufferelemente schaffen, welche insbesondere in der Halbleitertechnik ihre Anwendung finden.

Abstract translation: 自支撑缓冲元件被形成由金属片（1）变形为三维结构在寻求一种方法，以减少两种材料的热膨胀系数不同的之间的机械应力并它可以分为能够膨胀和/区域 彼此的或收缩unabhängig和挤压并加工以形成一种结构化板。

公开(公告)号：EP1318547B1

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：EP01811188.0

申请日：2001-12-06

Applicant: ABB Research Ltd.

Inventor： Zwick, Fabian ,  Bijlenga, Bo ,  Erne, Patrick ,  Linder, Stefan

IPC: H01L25/11 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L24/72 ,  H01L25/115 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：EP1318547A1

公开(公告)日：2003-06-11

申请号：EP01811188.0

申请日：2001-12-06

Applicant: ABB RESEARCH LTD.

Inventor： Zwick, Fabian ,  Bijlenga, Bo ,  Erne, Patrick ,  Linder, Stefan

IPC: H01L25/11 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L24/72 ,  H01L25/115 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00

Abstract: Das Leistungshalbleiter-Modul (1) umfasst ein Gehäuse (5), eine Deckelplatte (11) und mindestens zwei Submodule (21, 22). Die Submodule (21, 22) umfassen je mindestens einen Halbleiterchip, welcher zwei Hauptelektroden aufweist, welche mit Hauptanschlüssen (3, 4) der Submodule elektrisch leitend verbunden sind. Die Submodule (21, 22) sind nebeneinander angeordnet und mit einer der beiden Hauptoberflächen an die Deckelplatte (11) des Moduls angepresst. Die Submodule sind elektrisch in Serie geschaltet.
Durch das Serienschalten der nebeneinander angeordneten Submodule verdoppelt sich die maximale Sperrspannung des Moduls. Dadurch reduziert sich die Länge und die Kosten des Stacks eines Hochspannungsschalters da für die gleichen Sperrspannungen weniger Komponenten gebraucht werden, insbesondere weniger Module und Kühlelemente.

Abstract translation: 该装置在相对的主表面上具有两个主要连接，第一个盖板，连接到连接件之间的板的绝缘壳体和至少两个子模块，每个子模块在相对的主表面上具有两个主电连接， ），主电极连接到主连接。 相邻的子模块被压靠在盖板上。 至少2个子模块串联电连接。 该装置在相对的平行主表面上具有两个主电连接，第一连接形式为导电盖板（11），电绝缘壳体（5），其接合到盖板并且在主连接和 至少两个子模块（21,22）。 每个子模块在相对的主表面上具有两个主电连接（3,4）和至少一个芯片，其中主电极连接到主连接。 子模块彼此相邻地布置并压靠盖板。 至少两个子模块串联电连接。