公开(公告)号：TWI523103B

公开(公告)日：2016-02-21

申请号：TW100130472

申请日：2011-08-25

Applicant: ASM日本公司 ,  ASM JAPAN K. K.

Inventor： 洪國維 ,  HONG, KUO WEI ,  清水亮 ,  SHIMIZU, AKIRA ,  難波邦年 ,  NAMBA, KUNITOSHI ,  李禹鎮 ,  LEE, WOO-JIN

IPC: H01L21/314

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/045 ,  C23C16/345 ,  C23C16/36 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/515 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228

公开(公告)号：TW201220398A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：TW100130472

申请日：2011-08-25

Applicant: ASM日本公司

Inventor： 洪國維 ,  清水亮 ,  難波邦年 ,  李禹鎮

IPC: H01L

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/045 ,  C23C16/345 ,  C23C16/36 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/515 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228

Abstract: 一種在一具有圖案表面的基板上,形成一具有Si-N鍵的共形介電膜的方法,包含:導入一反應氣體於一反應空間;導入一矽前驅物進入反應空間,脈衝持續時間小於5秒;在矽前驅物的脈衝期間,施加一第一RF功率至該反應空間;在矽前驅物脈衝的間隔期間,施加一第二RF功率至該反應空間,其中在矽前驅物脈衝的間隔期間的第二RF功率的平均强度大於在矽前驅物的脈衝期間的第一RF功率的平均强度;以及重複該循環以形成具有Si-N鍵的共形介電膜,且在基板的圖案表面上具有所需厚度。

Abstract in simplified Chinese: 一种在一具有图案表面的基板上,形成一具有Si-N键的共形介电膜的方法,包含:导入一反应气体于一反应空间;导入一硅前驱物进入反应空间,脉冲持续时间小于5秒;在硅前驱物的脉冲期间,施加一第一RF功率至该反应空间;在硅前驱物脉冲的间隔期间,施加一第二RF功率至该反应空间,其中在硅前驱物脉冲的间隔期间的第二RF功率的平均强度大于在硅前驱物的脉冲期间的第一RF功率的平均强度;以及重复该循环以形成具有Si-N键的共形介电膜,且在基板的图案表面上具有所需厚度。