公开(公告)号：TWI410513B

公开(公告)日：2013-10-01

申请号：TW096137237

申请日：2007-10-04

Applicant: ASM美國股份有限公司 ,  ASM AMERICA, INC.

Inventor： 王長工 ,  WANG, CHANG-GONG ,  雪洛 艾立克 ,  SHERO, ERIC ,  威爾克 格蘭 ,  WILK, GLEN

IPC: C23C16/00 ,  C30B25/14

CPC classification number: C23C16/405 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45531

公开(公告)号：TWI493071B

公开(公告)日：2015-07-21

申请号：TW096124005

申请日：2007-07-02

Applicant: ASM美國股份有限公司 ,  ASM AMERICA, INC.

Inventor： 王長工 ,  WANG, CHANG-GONG ,  雪洛 艾立克J. ,  SHERO, ERIC J. ,  威爾克 格蘭 ,  WILK, GLEN ,  梅斯 強 威廉 ,  MAES, JAN WILLEM

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/44

CPC classification number: H01L21/3141 ,  C23C16/401 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31645

公开(公告)号：TW200947529A

公开(公告)日：2009-11-16

申请号：TW098105990

申请日：2009-02-25

Applicant: ASM美國股份有限公司

Inventor： 王長工 ,  雪洛 艾立克

IPC: H01L ,  C23C

CPC classification number: C23C16/45534 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/3162 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/518

Abstract: 一種摻雜方法，其利用原子層沈積製程(ALD)而在基底表面或兩薄膜之間的界面進行摻雜。藉由阻斷反應物以阻斷一些對摻質前驅物有效的結合位置，而可以控制所沈積之摻質的濃度與均勻度。阻斷反應物可以在摻質前驅物導入在ALD製程之前先導入，或者阻斷反應物與摻質前驅物可以同時被導入。

Abstract in simplified Chinese: 一种掺杂方法，其利用原子层沉积制程(ALD)而在基底表面或两薄膜之间的界面进行掺杂。借由阻断反应物以阻断一些对掺质前驱物有效的结合位置，而可以控制所沉积之掺质的浓度与均匀度。阻断反应物可以在掺质前驱物导入在ALD制程之前先导入，或者阻断反应物与掺质前驱物可以同时被导入。