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公开(公告)号:TWI385714B
公开(公告)日:2013-02-11
申请号:TW095103696
申请日:2006-02-03
Applicant: ASM美國股份有限公司 , ASM AMERICA, INC.
Inventor: 波爾 麥特喜愛斯 , BAUER, MATTHIAS , 艾倫奈 權特爾 , ARENA, CHANTAL , 培特朗 羅奈爾德 , BERTRAM, RONALD , 托馬西尼 皮爾瑞 , TOMASINI, PIERRE , 寇帝 奈爾 , CODY, NYLES , 布蘭特 保羅 , BRABANT, PAUL , 義特理諾 喬瑟分 , ITALIANO, JOSEPH , 雅各布森 保羅 , JACOBSON, PAUL , 威克斯 基斯 多倫 , WEEKS, KEITH DORAN
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L29/7848 , C23C16/04 , C23C16/22 , C23C16/24 , C23C16/32 , C23C16/325 , C23C16/45512 , C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/02381 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L21/02639 , H01L21/32056 , H01L21/3215 , H01L29/165 , H01L29/66628 , H01L29/66636 , H01L29/7834
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公开(公告)号:TWI382456B
公开(公告)日:2013-01-11
申请号:TW093122682
申请日:2004-07-29
Applicant: ASM美國股份有限公司 , ASM AMERICA, INC.
Inventor: 爾瑞那 謙托J , ARENA, CHANTAL J. , 托馬西尼 皮爾瑞 , TOMASINI, PIERRE , 寇帝 奈爾 , CODY, NYLES , 波爾 麥特喜愛斯 , BAUER, MATTHIAS
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C30B29/06 , C30B25/02 , C30B29/52 , H01L21/0245 , H01L21/02494 , H01L21/02502 , H01L21/02532 , H01L21/0262
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公开(公告)号:TWI443713B
公开(公告)日:2014-07-01
申请号:TW097141223
申请日:2008-10-27
Applicant: ASM美國股份有限公司 , ASM AMERICA, INC.
Inventor: 托馬西尼 皮爾瑞 , TOMASINI, PIERRE , 寇帝 奈爾 , CODY, NYLES
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , C23C16/24 , C23C16/22
CPC classification number: H01L29/167 , C23C16/04 , C23C16/22 , C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02636
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4.用於在處理腔室中處理基板之方法、用於處理基板之方法及裝置、用於製備用於在處理腔室中沈積之基板的方法以及半導體結構 有权
Simplified title: 用于在处理腔室中处理基板之方法、用于处理基板之方法及设备、用于制备用于在处理腔室中沉积之基板的方法以及半导体结构公开(公告)号:TWI547975B
公开(公告)日:2016-09-01
申请号:TW101148792
申请日:2012-12-20
Applicant: ASM美國股份有限公司 , ASM AMERICA, INC.
Inventor: 寇帝 奈爾W , CODY, NYLES W. , 湯瑪斯 蕭恩 , THOMAS, SHAWN , 托馬西尼 皮爾瑞 , TOMASINI, PIERRE
IPC: H01L21/205 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02661
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公开(公告)号:TWI509699B
公开(公告)日:2015-11-21
申请号:TW097133445
申请日:2008-09-01
Applicant: ASM美國股份有限公司 , ASM AMERICA, INC.
Inventor: 湯瑪斯 蕭恩 , THOMAS, SHAWN , 托馬西尼 皮爾瑞 , TOMASINI, PIERRE
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/0847 , H01L21/02381 , H01L21/02447 , H01L21/0245 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/02639 , H01L29/165 , H01L29/66636 , H01L29/78 , H01L29/7848 , Y10T428/2462
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公开(公告)号:TWI466174B
公开(公告)日:2014-12-21
申请号:TW095103699
申请日:2006-02-03
Applicant: ASM美國股份有限公司 , ASM AMERICA, INC.
Inventor: 波爾 麥特喜愛斯 , BAUER, MATTHIAS , 威克斯 基斯 多倫 , WEEKS, KEITH DORAN , 托馬西尼 皮爾瑞 , TOMASINI, PIERRE , 寇帝 奈爾 , CODY, NYLES
IPC: H01L21/205 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7848 , C23C16/04 , C23C16/22 , C23C16/24 , C23C16/32 , C23C16/325 , C23C16/45512 , C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/02381 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L21/02639 , H01L21/32056 , H01L21/3215 , H01L29/165 , H01L29/66628 , H01L29/66636 , H01L29/7834
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7.用於在處理腔室中處理基板之方法、用於處理基板之方法及裝置、用於製備用於在處理腔室中沈積之基板的方法以及半導體結構 审中-公开
Simplified title: 用于在处理腔室中处理基板之方法、用于处理基板之方法及设备、用于制备用于在处理腔室中沉积之基板的方法以及半导体结构公开(公告)号:TW201327637A
公开(公告)日:2013-07-01
申请号:TW101148792
申请日:2012-12-20
Applicant: ASM美國股份有限公司 , ASM AMERICA, INC.
Inventor: 寇帝 奈爾W , CODY, NYLES W. , 湯瑪斯 蕭恩 , THOMAS, SHAWN , 托馬西尼 皮爾瑞 , TOMASINI, PIERRE
IPC: H01L21/205 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02661
Abstract: 用於在現場沈積之前進行低溫清潔一半導體表面之方法具有高產量及消耗非常少之熱預算。GeH4在該表面上沈積Ge且將任何表面氣轉換為GeOx。諸如Cl2或HCl之一蝕刻劑移除Ge及任何GeOx且之後係磊晶沈積。可因至該基板中之擴散而在該基板上剩下Ge濃度之一尖峰。可在比習知烘焙步驟更低之溫度下循序現場地進行所有三個步驟。
Abstract in simplified Chinese: 用于在现场沉积之前进行低温清洁一半导体表面之方法具有高产量及消耗非常少之热预算。GeH4在该表面上沉积Ge且将任何表面气转换为GeOx。诸如Cl2或HCl之一蚀刻剂移除Ge及任何GeOx且之后系磊晶沉积。可因至该基板中之扩散而在该基板上剩下Ge浓度之一尖峰。可在比习知烘焙步骤更低之温度下循序现场地进行所有三个步骤。
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