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公开(公告)号:TWI385714B
公开(公告)日:2013-02-11
申请号:TW095103696
申请日:2006-02-03
Applicant: ASM美國股份有限公司 , ASM AMERICA, INC.
Inventor: 波爾 麥特喜愛斯 , BAUER, MATTHIAS , 艾倫奈 權特爾 , ARENA, CHANTAL , 培特朗 羅奈爾德 , BERTRAM, RONALD , 托馬西尼 皮爾瑞 , TOMASINI, PIERRE , 寇帝 奈爾 , CODY, NYLES , 布蘭特 保羅 , BRABANT, PAUL , 義特理諾 喬瑟分 , ITALIANO, JOSEPH , 雅各布森 保羅 , JACOBSON, PAUL , 威克斯 基斯 多倫 , WEEKS, KEITH DORAN
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L29/7848 , C23C16/04 , C23C16/22 , C23C16/24 , C23C16/32 , C23C16/325 , C23C16/45512 , C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/02381 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L21/02639 , H01L21/32056 , H01L21/3215 , H01L29/165 , H01L29/66628 , H01L29/66636 , H01L29/7834
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公开(公告)号:TWI382456B
公开(公告)日:2013-01-11
申请号:TW093122682
申请日:2004-07-29
Applicant: ASM美國股份有限公司 , ASM AMERICA, INC.
Inventor: 爾瑞那 謙托J , ARENA, CHANTAL J. , 托馬西尼 皮爾瑞 , TOMASINI, PIERRE , 寇帝 奈爾 , CODY, NYLES , 波爾 麥特喜愛斯 , BAUER, MATTHIAS
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C30B29/06 , C30B25/02 , C30B29/52 , H01L21/0245 , H01L21/02494 , H01L21/02502 , H01L21/02532 , H01L21/0262
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公开(公告)号:TWI520227B
公开(公告)日:2016-02-01
申请号:TW101117601
申请日:2012-05-17
Applicant: ASM美國股份有限公司 , ASM AMERICA INC.
Inventor: 包爾 馬提亞斯 , BAUER, MATTHIAS
IPC: H01L21/336 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/02576 , H01L21/02532 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L29/165 , H01L29/66636 , H01L29/78 , H01L29/7848
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公开(公告)号:TWI404123B
公开(公告)日:2013-08-01
申请号:TW096118850
申请日:2007-05-25
Applicant: ASM美國股份有限公司 , ASM AMERICA, INC.
Inventor: 波爾 麥特喜愛斯 , BAUER, MATTHIAS , 威克斯 基斯 多倫 , WEEKS, KEITH DORAN
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02636 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L29/165 , H01L29/66628 , H01L29/66636 , H01L29/78 , H01L29/7848
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5.沉積摻雜碳之磊晶半導體層之方法、沉積半導體材料的方法與裝置及在反應腔室中之基板上形成電晶體設備之方法 有权
Simplified title: 沉积掺杂碳之磊晶半导体层之方法、沉积半导体材料的方法与设备及在反应腔室中之基板上形成晶体管设备之方法公开(公告)号:TWI405248B
公开(公告)日:2013-08-11
申请号:TW095147892
申请日:2006-12-20
Applicant: ASM美國股份有限公司 , ASM AMERICA, INC.
Inventor: 波爾 麥特喜愛斯 , BAUER, MATTHIAS
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L21/02639
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公开(公告)号:TWI466174B
公开(公告)日:2014-12-21
申请号:TW095103699
申请日:2006-02-03
Applicant: ASM美國股份有限公司 , ASM AMERICA, INC.
Inventor: 波爾 麥特喜愛斯 , BAUER, MATTHIAS , 威克斯 基斯 多倫 , WEEKS, KEITH DORAN , 托馬西尼 皮爾瑞 , TOMASINI, PIERRE , 寇帝 奈爾 , CODY, NYLES
IPC: H01L21/205 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7848 , C23C16/04 , C23C16/22 , C23C16/24 , C23C16/32 , C23C16/325 , C23C16/45512 , C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/02381 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L21/02639 , H01L21/32056 , H01L21/3215 , H01L29/165 , H01L29/66628 , H01L29/66636 , H01L29/7834
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公开(公告)号:TWI445117B
公开(公告)日:2014-07-11
申请号:TW097143524
申请日:2008-11-11
Applicant: ASM美國股份有限公司 , ASM AMERICA, INC.
Inventor: 波爾 麥特喜愛斯 , BAUER, MATTHIAS
IPC: H01L21/67 , C23C16/54 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/04 , C23C16/24 , C23C16/45514 , C23C16/45523 , C30B25/02 , C30B33/12 , C30B35/00
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公开(公告)号:TW201305379A
公开(公告)日:2013-02-01
申请号:TW101106341
申请日:2012-02-24
Applicant: ASM美國公司 , ASM AMERICA, INC.
Inventor: 鮑爾 馬西亞斯 , BAUER, MATTHIAS , 巴特力特 葛來高瑞M , BARTLETT, GREGORY M.
IPC: C23C16/455 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67017 , C23C16/45561 , C23C16/52 , H01L21/67069 , Y10T137/0357
Abstract: 根據本發明之多個態樣之一種氣體面板係組態以在一沈積製程步驟期間將具有恆定流率之氣體運送至一反應室。在一實施例中,該氣體面板包括一沈積子面板,該沈積子面板具有一沈積注射管線、一沈積排氣管線及至少一個沈積製程氣體管線。該沈積注射管線將具有一質量流率之一載氣供應至一反應器室。各個沈積製程氣體管線可包含一對切換閥,其經組態以選擇性地將一沈積製程氣體導向至反應器室或一排氣管線。該沈積排氣管線亦包含一切換閥,其經組態以選擇性地將具有等於所有沈積製程氣體之質量流率總和之一第二質量流率之該載氣導向至該反應器室或一排氣管線。該氣體面板經組態以用該等沈積製程管線之質量流率替代該沈積排氣管線之該質量流率,使得當該沈積排氣管線係導向該反應器室時,該等沈積製程管線係導向至該排氣管線,且當該沈積排氣管線係導向至該排氣管線時,該等沈積製程管線係導向至該反應器室。該兩個質量流率之替代使得在整個該沈積製程步驟期間,使得到達該反應器室之氣體維持一恆定之質量流率。
Abstract in simplified Chinese: 根据本发明之多个态样之一种气体皮肤系组态以在一沉积制程步骤期间将具有恒定流率之气体运送至一反应室。在一实施例中,该气体皮肤包括一沉积子皮肤,该沉积子皮肤具有一沉积注射管线、一沉积排气管线及至少一个沉积制程气体管线。该沉积注射管线将具有一质量流率之一载气供应至一反应器室。各个沉积制程气体管线可包含一对切换阀,其经组态以选择性地将一沉积制程气体导向至反应器室或一排气管线。该沉积排气管线亦包含一切换阀,其经组态以选择性地将具有等于所有沉积制程气体之质量流率总和之一第二质量流率之该载气导向至该反应器室或一排气管线。该气体皮肤经组态以用该等沉积制程管线之质量流率替代该沉积排气管线之该质量流率,使得当该沉积排气管线系导向该反应器室时,该等沉积制程管线系导向至该排气管线,且当该沉积排气管线系导向至该排气管线时,该等沉积制程管线系导向至该反应器室。该两个质量流率之替代使得在整个该沉积制程步骤期间,使得到达该反应器室之气体维持一恒定之质量流率。
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公开(公告)号:TWI488993B
公开(公告)日:2015-06-21
申请号:TW101106341
申请日:2012-02-24
Applicant: ASM美國公司 , ASM AMERICA, INC.
Inventor: 鮑爾 馬西亞斯 , BAUER, MATTHIAS , 巴特力特 葛來高瑞M , BARTLETT, GREGORY M.
IPC: C23C16/455 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67017 , C23C16/45561 , C23C16/52 , H01L21/67069 , Y10T137/0357
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