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公开(公告)号：CN108701576A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201680082561.8
申请日：2016-12-09
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： B·卡斯川普 , J·C·H·缪尔肯斯 , M·A·范登布林克 , 约瑟夫·帕卓斯·亨瑞克瑞·本叔普 , E·P·斯马克曼 , T·朱兹海妮娜 , C·A·维索尔伦
IPC: H01J37/065 , H01J37/15
CPC classification number: H01J37/263 , H01J37/023 , H01J37/15 , H01J37/22 , H01J37/244 , H01J37/28 , H01J2237/0245 , H01J2237/2817
Abstract: 本发明公开了一种电子束检查设备，该设备包括：多个电子束柱(600)，每个电子束柱配置成提供电子束且检测来自物体的散射电子或二次电子；和致动器系统(600，610)，其配置成使所述电子束柱中的一个或更多个相对于所述电子束柱中的另外的一个或更多个移动(640，630)。所述致动器系统可包括多个第一可移动结构，所述多个第一可移动结构与多个第二可移动结构至少部分地重叠，所述第一可移动结构和所述第二可移动结构支撑所述多个电子束柱。
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公开(公告)号：CN111837074B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN201980016708.7
申请日：2019-02-21
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： P·W·H·德贾格 , S·F·乌伊斯特尔 , 玛丽亚-克莱尔·范拉尔 , R·C·马斯 , A·O·波利亚科夫 , T·朱兹海妮娜 , V·沃罗尼纳 , E·库尔干诺娃 , J·V·奥沃卡姆普 , B·卡斯川普 , M·范卡朋 , A·多尔戈夫
Abstract: 本发明公开用于形成图案化的材料层的方法和设备。在一种布置中，在沉积过程期间利用具有小于100nm的波长的电磁辐射来辐照衬底的表面的选定部分。此外，电场控制器被配置成施加被定向以便迫使二次电子远离所述衬底的电场。所述辐照在选定区中局部地驱动所述沉积过程且由此使所述沉积过程以由所述选定部分限定的图案形成材料层。
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公开(公告)号：CN106463434B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201580031822.9
申请日：2015-05-26
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: H01L21/66 , G03F7/20 , G06F30/20 , G06F30/398
Abstract: 本文公开了一种计算机实施的缺陷预测方法，其用于涉及将设计布局的一部分处理到衬底上的器件制造过程，所述方法包括：从所述设计布局的所述部分识别出热点；针对所述热点确定所述器件制造过程的处理参数的取值范围，其中在所述处理参数的值位于所述取值范围以外时，由所述器件制造过程从所述热点形成缺陷；确定所述处理参数的实际值；使用所述实际值确定或预测由所述器件制造过程从所述热点形成的缺陷的存在、存在概率、特性或其组合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112530828B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202011419885.0
申请日：2015-05-26
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: H01L21/66 , G03F7/20 , G06F30/20 , G06F30/398
Abstract: 本文公开了一种计算机可读介质，所述计算机可读介质上记录有指令，所述指令配置成使计算机系统至少：获得关于来自设计布局的一部分的热点的信息，所述设计布局将由器件制造过程处理到衬底上；针对所述热点确定所述器件制造过程的处理参数的取值范围，其中在所述处理参数的值位于所述取值范围以外时，使用所述器件制造过程从所述热点形成缺陷；获得所述处理参数的实际值；使用所述实际值确定或预测使用所述器件制造过程从所述热点形成的缺陷的存在、存在概率、特性或从其中选择的组合。
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公开(公告)号：CN106463434A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580031822.9
申请日：2015-05-26
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 本文公开了一种计算机实施的缺陷预测方法，其用于涉及将设计布局的一部分处理到衬底上的器件制造过程，所述方法包括：从所述设计布局的所述部分识别出热点；针对所述热点确定所述器件制造过程的处理参数的取值范围，其中在所述处理参数的值位于所述取值范围以外时，由所述器件制造过程从所述热点形成缺陷；确定所述处理参数的实际值；使用所述实际值确定或预测由所述器件制造过程从所述热点形成的缺陷的存在、存在概率、特性或其组合。
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公开(公告)号：CN108701576B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201680082561.8
申请日：2016-12-09
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： B·卡斯川普 , J·C·H·缪尔肯斯 , M·A·范登布林克 , 约瑟夫·帕卓斯·亨瑞克瑞·本叔普 , E·P·斯马克曼 , T·朱兹海妮娜 , C·A·维索尔伦
IPC: H01J37/065 , H01J37/15
Abstract: 本发明公开了一种电子束检查设备，该设备包括：多个电子束柱(600)，每个电子束柱配置成提供电子束且检测来自物体的散射电子或二次电子；和致动器系统(600，610)，其配置成使所述电子束柱中的一个或更多个相对于所述电子束柱中的另外的一个或更多个移动(640，630)。所述致动器系统可包括多个第一可移动结构，所述多个第一可移动结构与多个第二可移动结构至少部分地重叠，所述第一可移动结构和所述第二可移动结构支撑所述多个电子束柱。
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公开(公告)号：CN112530828A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011419885.0
申请日：2015-05-26
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: H01L21/66 , G03F7/20 , G06F30/20 , G06F30/398
Abstract: 本文公开了一种计算机可读介质，所述计算机可读介质上记录有指令，所述指令配置成使计算机系统至少：获得关于来自设计布局的一部分的热点的信息，所述设计布局将由器件制造过程处理到衬底上；针对所述热点确定所述器件制造过程的处理参数的取值范围，其中在所述处理参数的值位于所述取值范围以外时，使用所述器件制造过程从所述热点形成缺陷；获得所述处理参数的实际值；使用所述实际值确定或预测使用所述器件制造过程从所述热点形成的缺陷的存在、存在概率、特性或从其中选择的组合。
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公开(公告)号：CN111837074A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201980016708.7
申请日：2019-02-21
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： P·W·H·德贾格 , S·F·乌伊斯特尔 , 玛丽亚-克莱尔·范拉尔 , R·C·马斯 , A·O·波利亚科夫 , T·朱兹海妮娜 , V·沃罗尼纳 , E·库尔干诺娃 , J·V·奥沃卡姆普 , B·卡斯川普 , M·范卡朋 , A·多尔戈夫
Abstract: 本发明公开用于形成图案化的材料层的方法和设备。在一种布置中，在沉积过程期间利用具有小于100nm的波长的电磁辐射来辐照衬底的表面的选定部分。此外，电场控制器被配置成施加被定向以便迫使二次电子远离所述衬底的电场。所述辐照在选定区中局部地驱动所述沉积过程且由此使所述沉积过程以由所述选定部分限定的图案形成材料层。
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