公开(公告)号：DE602004019458D1

公开(公告)日：2009-03-26

申请号：DE602004019458

申请日：2004-12-01

Applicant: BINOPTICS CORP

Inventor： BEHFAR ALEX A

IPC: G02F2/02 ,  H01S5/06 ,  H01S5/10 ,  H01S5/40

Abstract: A ring cavity laser (20) has at least two facets (32,34) and a mechanism is provided to produce unidirectional propagation and light emission at a first wavelength. A source of laser light (60) at a second wavelength is injected into the cavity to reverse the direction of propagation and to produce emission at the second wavelength.

公开(公告)号：AU2003256258A1

公开(公告)日：2004-03-11

申请号：AU2003256258

申请日：2003-06-30

Applicant: BINOPTICS CORP

Inventor： BEHFAR ALEX A ,  SCHREMER JR ALFRED T ,  STAGARESCU CRISTIAN B

IPC: H01S3/083 ,  H01S3/23 ,  H01S5/026 ,  H01S5/10 ,  H01S5/40

公开(公告)号：WO2005043695A3

公开(公告)日：2005-10-13

申请号：PCT/US2004030904

申请日：2004-10-05

Applicant: BINOPTICS CORP ,  BEHFAR ALEX A

Inventor： BEHFAR ALEX A

IPC: H01S20060101 ,  H01S3/08 ,  H01S5/00 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0683 ,  H01S5/10 ,  H01S5/125 ,  H01S5/14 ,  H01S5/18 ,  H01S5/22 ,  H01S5/223 ,  H01S5/40 ,  H01S5/42

CPC classification number: H01S5/0264 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0262 ,  H01S5/0267 ,  H01S5/0654 ,  H01S5/0683 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/1085 ,  H01S5/125 ,  H01S5/141 ,  H01S5/18 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/4012 ,  H01S5/42

Abstract: A surface-emitting laser (10), in which light is emitted vertically at one end from a 45.degree angled facet (22), includes a second end (28) having a perpendicular facet from which light is emitted horizontally, for monitoring.

Abstract translation: 一个表面发射激光器（10），其中光从一个45度的角度小平面（22）垂直地发射光，包括具有垂直小面的第二端（28），用于监视光。

公开(公告)号：WO2005043697A3

公开(公告)日：2005-07-14

申请号：PCT/US2004032303

申请日：2004-10-14

Applicant: BINOPTICS CORP ,  BEHFAR ALEX A

Inventor： BEHFAR ALEX A

IPC: H01S20060101 ,  H01S3/08 ,  H01S5/00 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0683 ,  H01S5/10 ,  H01S5/125 ,  H01S5/14 ,  H01S5/18 ,  H01S5/22 ,  H01S5/223 ,  H01S5/40 ,  H01S5/42

CPC classification number: H01S5/0264 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0262 ,  H01S5/0267 ,  H01S5/0654 ,  H01S5/0683 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/1085 ,  H01S5/125 ,  H01S5/141 ,  H01S5/18 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/4012 ,  H01S5/42

Abstract: A surface-emitting laser (see Fig. 2, Character 10), in which light is emitted vertically at one end from a near 45° angled facet, includes a second end (see Fig. 2, Character 28) having a perpendicular facet from which light is emitted horizontally, for monitoring. The surface-emitting laser (see Fig. 2, Character 10) comprises a divergence-compensating lens (see Fig. 21, Character 282) on the surface above the near 45°angled facet.

Abstract translation: 一个表面发射激光器（参见图2，字符10），其中光从一个近似45°角度的小平面垂直发射光，包括具有垂直面的第二端（参见图2，字符28） 哪个光水平发射，用于监测。 表面发射激光器（参见图2，字符10）包括在45°角附近的表面上的发散补偿透镜（参见图21，字符282）。

公开(公告)号：DE602005024674D1

公开(公告)日：2010-12-23

申请号：DE602005024674

申请日：2005-04-14

Applicant: BINOPTICS CORP

Inventor： BEHFAR ALEX A ,  GREEN MALCOLM R ,  SCHREMER ALFRED T

IPC: H01S5/00 ,  G02B6/12 ,  G02B6/122 ,  G02B6/13 ,  G02F1/017 ,  H01S5/026 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0683 ,  H01S5/10 ,  H01S5/22 ,  H01S5/343

公开(公告)号：WO2005072224A3

公开(公告)日：2005-10-20

申请号：PCT/US2005001783

申请日：2005-01-19

Applicant: BINOPTICS CORP ,  BEHFAR ALEX A ,  GREEN MALCOLM R ,  SCHREMER ALFRED T

Inventor： BEHFAR ALEX A ,  GREEN MALCOLM R ,  SCHREMER ALFRED T

IPC: H01L21/00 ,  H01S5/00 ,  H01S5/026 ,  H01S5/10 ,  H01S5/18 ,  H01S5/40

CPC classification number: H01S5/0264 ,  H01S5/005 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/02292 ,  H01S5/0262 ,  H01S5/0683 ,  H01S5/1085 ,  H01S5/18 ,  H01S5/2022 ,  H01S5/4012 ,  H01S5/4056 ,  H01S5/4087

Abstract: Abstract of the Disclosure A laser (22) and detector (24) integrated on corresponding epitaxial layers of a single chip (20) cooperate with on-chip and/or external optics (62) to couple light of a first wavelength emitted by the laser to a single external device such as an optical fiber (60) and to simultaneously couple light of a different wavelength received from the external device to the detector to provide bidirectional photonic operation. Multiple lasers and detectors may be integrated on the chip to provide multiple bidirectional channels.

Abstract translation: 发明内容集成在单个芯片（20）的相应外延层上的激光器（22）和检测器（24）与片上和/或外部光学器件（62）配合以耦合由激光器发射的第一波长的光 耦合到诸如光纤（60）的单个外部设备，并且将从外部设备接收的不同波长的光同时耦合到检测器以提供双向光子操作。 多个激光器和检测器可以集成在芯片上以提供多个双向通道。

公开(公告)号：WO2005025017A3

公开(公告)日：2005-07-07

申请号：PCT/US2004025601

申请日：2004-08-31

Applicant: BINOPTICS CORP

Inventor： BEHFAR ALEX A ,  MURO KIOFUMI ,  STAGARESCU CRISTIAN B ,  SCHREMER ALFRED T

IPC: G02B5/28 ,  H01S20060101 ,  H01S3/03 ,  H01S3/08 ,  H01S5/00 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0625 ,  H01S5/10 ,  H01S5/125 ,  H01S5/14 ,  H01S5/22 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/0625 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0264 ,  H01S5/06256 ,  H01S5/0655 ,  H01S5/1017 ,  H01S5/1021 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/125 ,  H01S5/141 ,  H01S5/22 ,  H01S5/343 ,  H01S5/34313

Abstract: A single-mode, etched facet distributed Bragg reflector laser includes an A1GalnAs/InP laser cavity (70), a front mirror stack (32) with multiple Fabry-Perot elements (60, 62, 64, 66), a rear DBR reflector (68), and rear detector. The front mirror stack elements and the rear reflector elements include input and output etched facets (72, 76), and the laser cavity is an etched ridge cavity, all formed from an epitaxial wafer (30) by a two-step lithography and CAIBE process.

Abstract translation: 单模蚀刻刻面分布布拉格反射激光器包括AlGalnAs / InP激光腔（70），具有多个法布里 - 珀罗元件（60,62,64,66）的前反射镜叠层（32），后DBR反射器 68）和后检测器。 前反射镜叠层元件和后反射器元件包括输入和输出蚀刻刻面（72,76），并且激光腔是蚀刻的隆起腔，全部由外延晶片（30）通过两步光刻和CAIBE工艺形成 。

公开(公告)号：WO2004084607A3

公开(公告)日：2005-06-16

申请号：PCT/US2004008063

申请日：2004-03-18

Applicant: BINOPTICS CORP ,  BEHFAR ALEX A ,  SCHREMER ALFRED T JR ,  STAGARESCU CRISTIAN B

Inventor： BEHFAR ALEX A ,  SCHREMER ALFRED T JR ,  STAGARESCU CRISTIAN B

IPC: G02B6/12 ,  H01S3/00 ,  H01S3/08 ,  H01S3/083 ,  H01S5/00 ,  H01S5/10 ,  H01S5/125 ,  H01S5/14

CPC classification number: H01S5/0287 ,  G02B6/12004 ,  H01S5/005 ,  H01S5/0085 ,  H01S5/0656 ,  H01S5/1021 ,  H01S5/1071 ,  H01S5/1082 ,  H01S5/125 ,  H01S5/14

Abstract: Unidirectionality of lasers is enhanced by forming one or more etched gaps (78, 80) in the laser cavity. The gaps may be provided in any segment of a laser, such as any leg of a ring laser, or in one leg (62) of a V-shaped laser (60). A Brewster angle facet at the distal end of a photonic device coupled to the laser reduces back-reflection into the laser cavity. A distributed Bragg reflector is used at the output of a laser to enhance the side-mode suppression ratio of the laser.

Abstract translation: 通过在激光腔中形成一个或多个蚀刻间隙（78,80）来增强激光器的单向性。 可以在激光器的任何部分（例如环形激光器的任何腿部）中或在V形激光器（60）的一个腿部（62）中提供间隙。 耦合到激光器的光子器件的远端处的布鲁斯特角小面减少反射到激光腔。 在激光器的输出处使用分布式布拉格反射器来增强激光器的侧模抑制比。

公开(公告)号：WO2007002024A3

公开(公告)日：2009-04-30

申请号：PCT/US2006023889

申请日：2006-06-20

Applicant: BINOPTICS CORP

Inventor： BEHFAR ALEX A ,  SCHREMER ALFRED T ,  STAGARESCU CRISTIAN B ,  NLN VAINATEYA NMI

IPC: H01S5/02 ,  C30B25/04 ,  H01L21/00 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01S5/0201 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0042 ,  H01S5/0203 ,  H01S5/0262 ,  H01S5/0264 ,  H01S5/028 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/18 ,  H01S5/22 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/34333

Abstract: A process for fabricating lasers capable of emitting blue light wherein a GaN wafer is etched to form laser waveguides and mirrors using a temperature of over 500 °C and an ion beam in excess of 500 V in CAIBE.

Abstract translation: 一种制造能够发射蓝光的激光的工艺，其中在CAIBE中使用超过500℃的温度和超过500V的离子束蚀刻GaN晶片以形成激光波导和反射镜。

公开(公告)号：WO2006130700A3

公开(公告)日：2007-11-01

申请号：PCT/US2006021132

申请日：2006-06-01

Applicant: BINOPTICS CORP

Inventor： BEHFAR ALEX A ,  SCHREMER ALFRED T

IPC: H01S5/00 ,  H01S3/04

CPC classification number: H01S5/028 ,  H01S5/0203 ,  H01S5/0286 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/1082 ,  H01S5/1085 ,  H01S5/18 ,  H01S5/22 ,  H01S2301/166

Abstract: An etched-facet single lateral mode semiconductor photonic device is fabricated by depositing an anti reflective coating on the etched facet, and depositing a reflectivity modifying coating in a spatially controlled manner to modify the spatial performance of the emitted beam.

Abstract translation: 蚀刻小面单横向半导体光子器件通过在蚀刻刻面上沉积抗反射涂层并以空间受控的方式沉积反射率修饰涂层来制造，以改变发射光束的空间性能。