公开(公告)号：FR2864457B1

公开(公告)日：2006-12-08

申请号：FR0351239

申请日：2003-12-31

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： ABBADIE ALEXANDRA ,  BESSON PASCAL ,  SEMERIA MARIE NOELLE

IPC: B08B3/08 ,  H01L21/304 ,  B08B3/12 ,  C11D7/08 ,  C11D11/00 ,  C23G1/02 ,  C30B33/00 ,  H01L21/306

Abstract: Wet cleaning a surface made of silicon, silicon-germanium alloys, A(III)/B(V)-type semiconductors and/or epitaxially grown crystalline materials, such as germanium, comprises bringing surface into contact with hydrofluoric acid solution; and rinsing surface with acidified, deionized water for 1-5, preferably 3 minutes, then a powerful oxidizing agent is added to the deionized water and the rinsing is continued for 5-10, preferably 7 minutes. Wet cleaning a surface made of silicon, silicon-germanium alloys, A(III)/B(V)-type semiconductors and/or epitaxially grown crystalline materials, such as germanium, comprises: bringing the surface into contact with an hydrofluoric acid (HF) solution with an HF concentration of 0.2-2 (preferably 1) vol.%, in deionized water, for =10 (preferably 4) minutes, the pH of the solution being maintained at 1-2, preferably 1, throughout the duration of the contacting; rinsing the surface with acidified, deionized water for 1-5, preferably 3 minutes, then a powerful oxidizing agent is added to the deionized water and the rinsing is continued for 5-10, preferably 7 minutes, the pH being maintained at =5 (preferably 3-5), throughout step (2); optionally repeating step (1), once or twice, while optionally reducing the contacting time, which is then preferably 30 seconds and 2 minutes, (preferably 1 minute to 30 seconds); optionally repeating step (2), once or twice; and drying the surface.

公开(公告)号：FR2875334B1

公开(公告)日：2007-02-23

申请号：FR0409637

申请日：2004-09-10

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： VINET MAUD ,  BESSON PASCAL ,  PREVITALI BERNARD ,  VIZIOZ CHRISTIAN

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/49

公开(公告)号：FR2864457A1

公开(公告)日：2005-07-01

申请号：FR0351239

申请日：2003-12-31

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： ABBADIE ALEXANDRA ,  BESSON PASCAL ,  SEMERIA MARIE NOELLE

IPC: H01L21/304 ,  B08B3/08 ,  C11D7/08 ,  C11D11/00 ,  H01L21/306 ,  B08B3/12 ,  C30B33/00 ,  C23G1/02

Abstract: Wet cleaning a surface made of silicon, silicon-germanium alloys, A(III)/B(V)-type semiconductors and/or epitaxially grown crystalline materials, such as germanium, comprises bringing surface into contact with hydrofluoric acid solution; and rinsing surface with acidified, deionized water for 1-5, preferably 3 minutes, then a powerful oxidizing agent is added to the deionized water and the rinsing is continued for 5-10, preferably 7 minutes. Wet cleaning a surface made of silicon, silicon-germanium alloys, A(III)/B(V)-type semiconductors and/or epitaxially grown crystalline materials, such as germanium, comprises: bringing the surface into contact with an hydrofluoric acid (HF) solution with an HF concentration of 0.2-2 (preferably 1) vol.%, in deionized water, for =10 (preferably 4) minutes, the pH of the solution being maintained at 1-2, preferably 1, throughout the duration of the contacting; rinsing the surface with acidified, deionized water for 1-5, preferably 3 minutes, then a powerful oxidizing agent is added to the deionized water and the rinsing is continued for 5-10, preferably 7 minutes, the pH being maintained at =5 (preferably 3-5), throughout step (2); optionally repeating step (1), once or twice, while optionally reducing the contacting time, which is then preferably 30 seconds and 2 minutes, (preferably 1 minute to 30 seconds); optionally repeating step (2), once or twice; and drying the surface.

公开(公告)号：FR2909802A1

公开(公告)日：2008-06-13

申请号：FR0655368

申请日：2006-12-07

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： CARRON VERONIQUE ,  BESSON PASCAL

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768

Abstract: L'invention a trait à un procédé de fabrication d'une couche à base de siliciure ou de germano-siliciure sur des parties conductrices de l'électricité en silicium ou en alliage silicium-germanium d'un substrat, lequel substrat comprend également des parties isolantes, le siliciure ou germano-siliciure comprenant un premier élément métallique en quantité minoritaire par rapport à un second élément métallique, ledit procédé comprenant les étapes suivantes :a) une étape de préparation des parties conductrices de l'électricité en silicium ou en alliage silicium-germanium, de façon à créer des groupes -Si-H en surface ;b) une étape de dépôt sur au moins les parties conductrices de l'électricité du premier élément métallique sous forme d'une couche discontinue comprenant des nodules dudit premier élément métallique ;c) une étape d'élimination du premier élément métallique des parties isolantes, lorsque ledit premier élément métallique est également déposé sur lesdites parties isolantes ;d) une étape de dépôt d'une couche comprenant ledit second élément métallique sur au moins les parties conductrices dudit substrat;e) une première étape de traitement thermique à une température allant de 250 degres C à 600 degres C ;f) une étape d'élimination de la couche comprenant ledit second élément métallique desdites parties isolantes du substrat, lorsque ledit second élément métallique est également déposé sur lesdites parties isolantes ;g) éventuellement, une deuxième étape de traitement thermique à une température allant de 250 degres C à 600 degres C.

公开(公告)号：FR2875334A1

公开(公告)日：2006-03-17

申请号：FR0409637

申请日：2004-09-10

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： VINET MAUD ,  BESSON PASCAL ,  PREVITALI BERNARD ,  VIZIOZ CHRISTIAN

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/49

Abstract: Un procédé de fabrication d'un transistor comprenant une grille (50') située à proximité immédiate d'un diélectrique (46) comporte une étape de gravure d'une couche de matériau de grille. Cette étape de gravure de grille comprend les étapes suivantes :- gravure plasma de cette couche sur la majeure partie de son épaisseur afin de définir latéralement la grille (50');- gravure chimique d'une partie résiduelle (48') de cette couche pour définir cette grille jusqu'au diélectrique (46).

公开(公告)号：FR3044163B1

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：FR1561385

申请日：2015-11-25

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： LOUP VIRGINIE ,  BESSON PASCAL

IPC: H01L21/306

Abstract: Procédé de gravure sélective d'un matériau semi-conducteur en solution comportant les étapes successives suivantes : a) fournir un substrat comportant une couche en matériau semi-conducteur amorphe (1) à graver et une couche en matériau semi-conducteur cristallin (2), b) oxyder les surfaces des couches en matériau semi-conducteur amorphe (1) et en matériau semi-conducteur cristallin (2), de manière à former une première couche de protection (3) à la surface du matériau semi-conducteur amorphe (1) et une seconde couche de protection (4) à la surface du matériau semi-conducteur cristallin (2), c) graver la première couche de protection (3) et la couche en matériau semi-conducteur (1) avec une solution de gravure alcaline, la vitesse de gravure v1 de la première couche de protection (3) étant supérieure à la vitesse de gravure v2 de la seconde couche de protection (4).

公开(公告)号：FR3089016A1

公开(公告)日：2020-05-29

申请号：FR1872008

申请日：2018-11-28

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： FOURNEL FRANK ,  BESSON PASCAL

IPC: G01R31/28 ,  B81C1/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/46

Abstract: Le procédé de test électrique, d’au moins un dispositif électronique (100) destiné à être collé par collage direct, est tel qu’il comporte une étape de fourniture du dispositif électronique (100) comportant une couche (101) de premier matériau présentant une surface adaptée au collage direct et des bornes (102) de connexion formées au moins en partie dans la couche (101) de premier matériau. Le procédé de test électrique comporte la formation de plots (106) de connexion depuis des trous d’une couche (104) de deuxième matériau formée sur la couche (101) de premier matériau, chaque plot (106) de connexion étant en contact électrique avec l’une des bornes (102) de connexion au niveau de l’un des trous. Le dispositif électronique (100) est testé en utilisant les plots (106) de connexion avant de retirer, par gravure sélective, les plots (106) de connexion, puis de retirer, par gravure sélective, la couche (104) de deuxième matériau. Figure à publier avec l’abrégé : Fig. 7

公开(公告)号：FR3113182B1

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：FR2008208

申请日：2020-07-31

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： BESSON PASCAL ,  GUYADER FRANÇOIS

IPC: H01L21/302

Abstract: Procédé d'assemblage de plaques par collage moléculaire La présente description concerne un procédé de fabrication d'une première plaque, destinée à être assemblée à une deuxième plaque par collage moléculaire, comprenant les étapes successives suivantes : formation d'un empilement (25) de couches (27, 29, 31, 33, 35) à la surface d'un substrat (23) ; et gravures chimiques successives des bords desdites couches à partir de la couche de l'empilement la plus éloignée du substrat, sur une largeur de moins en moins importante. Figure pour l'abrégé : Fig. 11

公开(公告)号：FR3059465A1

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：FR1661674

申请日：2016-11-30

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： ARNAUD LUCILE ,  BESSON PASCAL

IPC: H01L23/367

Abstract: La présente invention concerne un système microélectronique comprenant un support (8) et un dispositif microélectronique comprenant au moins un composant (9) générateur de chaleur, une première face (15) du dispositif étant de préférence assemblée au support par une interface de collage (12), caractérisé en ce que le dispositif comporte une couche thermiquement conductrice (10) disposée en regard d'au moins une partie du composant (9) et des moyens de conduction thermique configurés pour recevoir de la chaleur de la couche thermiquement conductrice (10) et pour la conduire jusqu'à une deuxième face (16) du dispositif, opposée à la première face (15).

公开(公告)号：FR3044163A1

公开(公告)日：2017-05-26

申请号：FR1561385

申请日：2015-11-25

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： LOUP VIRGINIE ,  BESSON PASCAL

IPC: H01L21/306

Abstract: Procédé de gravure sélective d'un matériau semi-conducteur en solution comportant les étapes successives suivantes : a) fournir un substrat comportant une couche en matériau semi-conducteur amorphe (1) à graver et une couche en matériau semi-conducteur cristallin (2), b) oxyder les surfaces des couches en matériau semi-conducteur amorphe (1) et en matériau semi-conducteur cristallin (2), de manière à former une première couche de protection (3) à la surface du matériau semi-conducteur amorphe (1) et une seconde couche de protection (4) à la surface du matériau semi-conducteur cristallin (2), c) graver la première couche de protection (3) et la couche en matériau semi-conducteur (1) avec une solution de gravure alcaline, la vitesse de gravure v1 de la première couche de protection (3) étant supérieure à la vitesse de gravure v2 de la seconde couche de protection (4).