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公开(公告)号：WO2014016147A3
公开(公告)日：2014-03-20
申请号：PCT/EP2013064863
申请日：2013-07-12
Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： LAMY YANN , GUILLER OLIVIER , JOBLOT SYLVAIN
Abstract: The invention concerns a method for producing a capacitor, comprising the forming of a capacitor stack in one portion of a substrate (112), said method comprising: the forming of a cavity (165) along the thickness of the portion of the substrate (112) from an upper face of said substrate (112), the depositing of a plurality of layers contributing to the capacitor stack onto the wall of the cavity (165) and onto the surface of the upper face, and a removal of matter from the layers until the surface of the upper face is reached, characterised in that the formation of the cavity (165) comprises the formation of at least one trench (164) and, associated with each trench (164), of at least one box (163), said at least one trench (164) comprising a trench outlet that opens into the box (163), said box (163) comprising a box outlet that opens at the surface of the upper face, the box outlet being shaped so as to be larger than the trench outlet.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造电容器的方法，该方法包括在衬底（112）的一部分中形成电容器叠层，所述方法包括：沿衬底（112）部分的厚度形成空腔（165） ）与所述衬底（112）的上表面接触，将有助于电容器堆叠的多个层沉积到空腔（165）的壁上并沉积到上表面的表面上，以及从层 直至到达上表面的表面，其特征在于，空腔（165）的形成包括形成至少一个箱（163）的至少一个沟槽（164）并且与每个沟槽（164）相关联， ，所述至少一个沟槽（164）包括通向所述箱（163）的沟槽出口，所述箱（163）包括在所述上表面的表面处开口的箱出口，所述箱出口成形为 大于沟槽出口。
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公开(公告)号：FR2994019B1
公开(公告)日：2016-05-06
申请号：FR1257227
申请日：2012-07-25
Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： LAMY YANN , GUILLER OLIVIER , JOBLOT SYLVAIN
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公开(公告)号：FR2994019A1
公开(公告)日：2014-01-31
申请号：FR1257227
申请日：2012-07-25
Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： LAMY YANN , GUILLER OLIVIER , JOBLOT SYLVAIN
Abstract: L'invention a trait à un procédé pour la réalisation d'une capacité comprenant une formation d'un empilement capacitif dans une portion d'un substrat (112), le procédé comportant : la formation d'une cavité (165) suivant l'épaisseur de la portion du substrat (112) à partir d'une face supérieure dudit substrat (112), le dépôt d'une pluralité de couches participant à l'empilement capacitif sur la paroi de la cavité (165) et sur la surface de la face supérieure et un enlèvement de la matière des couches jusqu'à la surface de la face supérieure, caractérisé en ce que la formation de la cavité (165) comporte la formation d'au moins une tranchée (164) et, associé à chaque tranchée (164), d'au moins un caisson (163), ladite au moins une tranchée (164) comportant une embouchure de tranchée débouchant dans le caisson (163), ledit caisson (163) comportant une embouchure de caisson débouchant au niveau de la surface de la face supérieure, l'embouchure de caisson étant formée plus grande que l'embouchure de tranchée.
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公开(公告)号：FR3032556A1
公开(公告)日：2016-08-12
申请号：FR1551121
申请日：2015-02-11
Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
Inventor： LAMY YANN , DUSSOPT LAURENT , EL BOUAYADI OSSAMA , MOKNACHE AMAZIR
IPC: H01L23/498 , H01L23/66 , H01Q1/38 , H01Q19/185
Abstract: Dispositif de transmission RF (100) comprenant au moins : - un substrat (102) comportant des première et deuxième faces (104, 106) opposées l'une de l'autre ; - un premier circuit électronique de transmission RF (108) disposé sur et/ou dans le substrat ; - une première antenne (112a) disposée du côté de la première face du substrat, espacée de la première face du substrat et reliée électriquement au premier circuit électronique de transmission RF ; - un premier réflecteur d'ondes électromagnétiques couplé à la première antenne et comprenant : - une première surface à haute impédance (114a) comportant au moins plusieurs premiers éléments électriquement conducteurs (118) formant une première structure périodique et disposés sur la première face du substrat en regard de la première antenne ; - un premier plan de masse électriquement conducteur (116a) disposé au moins partiellement en regard de la première antenne.
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公开(公告)号：FR3067517A1
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：FR1755314
申请日：2017-06-13
Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
Inventor： LAMY YANN , BENAISSA LAMINE , NAVARRO ETIENNE
IPC: H01L21/763 , H01L21/74
Abstract: Substrat (100) de type semi-conducteur sur isolant, comportant au moins : - une couche support (102) ; - une couche superficielle (104) de semi-conducteur ; - une couche diélectrique enterrée (106) disposée entre la couche support et la couche superficielle ; - une couche (108) de piégeage de charges électriques disposée entre la couche diélectrique enterrée et la couche support, et comprenant au moins un matériau semi-conducteur polycristallin et/ou un matériau à changement de phase ; dans lequel la couche de piégeage de charges électriques comporte au moins une première région (110) et au moins une deuxième région (112) disposées l une à côté de l autre dans le plan de la couche de piégeage de charges électriques, le matériau de la première région étant dans un état au moins partiellement recristallisé et ayant une résistivité électrique inférieure à celle du matériau de la deuxième région.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：FR3031836A1
公开(公告)日：2016-07-22
申请号：FR1550329
申请日：2015-01-15
Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
Inventor： LAMY YANN , PERNIOLA LUCA
Abstract: L'invention concerne une puce électronique comprenant un circuit intégré (1) agencé sur une face parmi la face avant (4) ou la face arrière (5) d'un substrat (2) et un dispositif de protection (3) agencé au moins partiellement au regard du circuit intégré (1) caractérisée en ce que le dispositif de protection comprend au moins un condensateur comprenant une première électrode (6) et une deuxième électrode (7) entre lesquelles est disposée au moins une couche de matériau à changement de phase (8) configurée pour passer au moins localement d'un premier état résistif à un deuxième état résistif différent du premier état par pénétration d'un faisceau photonique et/ou ionique (9), le premier état étant un état amorphe pour lequel le condensateur présente une première capacité et/ou une première résistance et le deuxième état étant un état cristallin pour lequel le condensateur présente une deuxième capacité et/ou une deuxième résistance respectivement différentes de la première capacité et de la première résistance, le dispositif de protection étant relié électriquement au circuit intégré (1) par au moins une desdites première ou deuxième électrodes (6-7) de sorte que le circuit intégré (1) mesure la résistance et/ou la capacité du condensateur. L'invention trouvera son application dans le domaine de la sécurité et de la protection des puces électroniques. L'invention s'applique à tout type de puce électronique : puce de téléphonie mobile, carte bancaire, carte de santé microprocesseur, interposeur (par exemple de central de calcul), microcontrôleur etc...
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公开(公告)号：FR2886465B1
公开(公告)日：2007-07-13
申请号：FR0505346
申请日：2005-05-27
Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
Inventor： MICHEL JEAN PHILIPPE , LAMY YANN , ROYET ANNE SOPHIE , VIALA BERNARD
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公开(公告)号：FR3012237B1
公开(公告)日：2017-03-03
申请号：FR1360292
申请日：2013-10-22
Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
Inventor： LAMY YANN , MERLE ALAIN , PARAT GUY-MICHEL , TRIA ASSIA
IPC: H01L23/48 , G06K19/073 , H01L21/02
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公开(公告)号：FR3030903A1
公开(公告)日：2016-06-24
申请号：FR1462719
申请日：2014-12-18
Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
Inventor： EL BOUAYADI OSSAMA , GOUBAULT DE BRUGIERE BAPTISTE , LAMY YANN
Abstract: La présente invention concerne un procédé de réalisation d'un dispositif de communication radio fréquence qui comporte un système antennaire doté d'un empilement de couches et d'au moins une antenne (2) à la surface de l'empilement, le procédé comprenant une étape de formation, au-dessus de la surface supérieure d'un système antennaire, d'un dispositif de modification du rayonnement du système antennaire, caractérisé en ce que l'étape de formation comporte le dépôt successif, au-dessus du système antennaire, d'une pluralité de couches diélectriques.
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公开(公告)号：DE602006004501D1
公开(公告)日：2009-02-12
申请号：DE602006004501
申请日：2006-05-04
Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
Inventor： MICHEL JEAN-PHILIPPE , LAMY YANN , ROYET ANNE-SOPHIE , VIALA BERNARD
IPC: H01P1/215
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