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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：FR3067362B1
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：FR1755200
申请日：2017-06-09
Applicant: DIAM CONCEPT
Inventor： GICQUEL ALIX , DUIGOU OLIVIER , BIEBER THOMAS
Abstract: L'invention porte sur un procédé (100) de surveillance des conditions de croissance d'un dépôt assisté par plasma microonde pour la fabrication de diamant, ledit procédé étant mis en œuvre par un dispositif (10) de surveillance comprenant au moins un moyen (11) de capture d'image numérique, un module (12) de traitement d'image numérique, et un module (13) de traitement de données, ledit procédé comportant les étapes : - de capture (110) d'une image numérique en couleur d'au moins un diamant en croissance, à l'aide du moyen (11) de capture d'images numériques, - d'extraction (120) de valeurs de caractéristiques de couleur d'au moins une zone de l'image numérique capturée, par le module (12) de traitement d'image numérique, et - d'analyse (130), par le module (13) de traitement de données, des valeurs de caractéristiques de couleur extraites pour détecter une variation lors du dépôt assisté par plasma microonde.
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公开(公告)号：FR3067362A1
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：FR1755200
申请日：2017-06-09
Applicant: DIAM CONCEPT
Inventor： GICQUEL ALIX , DUIGOU OLIVIER , BIEBER THOMAS
Abstract: L invention porte sur un procédé (100) de surveillance des conditions de croissance d un dépôt assisté par plasma microonde pour la fabrication de diamant, ledit procédé étant mis en œuvre par un dispositif (10) de surveillance comprenant au moins un moyen (11) de capture d image numérique, un module (12) de traitement d image numérique, et un module (13) de traitement de données, ledit procédé comportant les étapes : - de capture (110) d une image numérique en couleur d au moins un diamant en croissance, à l aide du moyen (11) de capture d images numériques, - d extraction (120) de valeurs de caractéristiques de couleur d au moins une zone de l image numérique capturée, par le module (12) de traitement d image numérique, et - d analyse (130), par le module (13) de traitement de données, des valeurs de caractéristiques de couleur extraites pour détecter une variation lors du dépôt assisté par plasma microonde.
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3.发明专利
公开(公告)号：ES2913245T3
公开(公告)日：2022-06-01
申请号：ES18736996
申请日：2018-06-08
Applicant: DIAM CONCEPT
Inventor： DUIGOU OLIVIER , BIEBER THOMAS , GICQUEL ALIX
Abstract: Un método (100) de vigilancia de las condiciones de crecimiento de una deposición asistida por plasma de microondas para la fabricación de diamantes, dicho método que se implementa por un dispositivo (10) de vigilancia que comprende al menos un medio (11) de captura de imagen digital, un módulo (12) de procesamiento de imágenes digitales, y un módulo (13) de procesamiento de datos, dicho método que comprende las etapas: - de captura (110) de una imagen digital en color de al menos una capa de diamante en crecimiento, utilizando el medio (11) de captura de imagen digital, - de extracción (120) de valores de características de color de al menos una zona de la imagen digital capturada, por el módulo (12) de procesamiento de imágenes digitales, dichas características de color que corresponden al color de al menos una capa de diamante en crecimiento y que se seleccionan del grupo que consta de: el tono, la saturación, la luminosidad, el brillo y los colores codificados en un referencial de cuatro colores o Rojo-Verde- Azul, y - de análisis (130), por el módulo (13) de procesamiento de datos, de los valores de características de color extraídos para detectar una desviación de las condiciones de crecimiento durante la deposición asistida por plasma de microondas, dicho método que comprende además una etapa (136) de determinación de nuevos valores de los parámetros de deposición asistida por plasma de microondas y una etapa (150) de mando que incluye la transmisión de los nuevos valores de parámetros de deposición, determinados por el módulo (13) de procesamiento de datos, a un módulo (15) de mando y una modificación, por el módulo (15) de mando, de los valores de parámetros de deposición asistida por plasma.
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公开(公告)号：FR3149909A1
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：FR2306048
申请日：2023-06-14
Applicant: DIAM CONCEPT
Inventor： DUIGOU OLIVIER , GICQUEL ALIX , PERRIN BASILE , GLAD XAVIER
Abstract: L’invention concerne un procédé de formation (100) d’une couche de diamant monocristallin (10’) présentant une densité de défauts cristallins inférieure ou égale à 103 défauts cristallins par cm2 comprenant la fourniture (110) d’un substrat de diamant monocristallin, une première micro structuration (120) d’une surface de croissance (12) du substrat de diamant monocristallin (10), une première croissance homoépitaxiale (130) réalisée normalement de manière à former une première couche de diamant monocristallin (10-1) comportant les défauts cristallins de la surface de croissance (12) et latéralement de manière à former une deuxième couche de diamant monocristallin (10-2) comportant les défauts cristallins confinés dans la première figure de gravure (G1), une deuxième micro structuration (150) du substrat de diamant monocristallin (10) comportant la réalisation de deuxièmes figures de gravure et une deuxième croissance homoépitaxiale (160) d’une autre deuxième couche de diamant monocristallin (10-2’) comportant les défauts cristallins confinés dans la deuxième figure de gravure. Figure à publier avec l’abrégé : Figure 2
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公开(公告)号：FR3139582A1
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：FR2209174
申请日：2022-09-13
Applicant: DIAM CONCEPT
Inventor： BAITUKHA ALIBI , DUIGOU OLIVIER , GICQUEL ALIX
Abstract: L’invention concerne un procédé de production (100) d'une plaque de diamant monocristallin à partir d’une pluralité de germes (10, 11, 12, 13) de diamant monocristallin qui comportent une surface de croissance, ladite une surface de croissance comprenant une structure en terrasses, ladite structure en terrasses présentant plusieurs faces d’orientation cristallographique (OC1, OC2), lesdites faces d’orientation cristallographique (OC1, OC2) comportant des familles de plans {100} ou des familles de plans {100} et {113}, le procédé comprenant les étapes suivantes : fourniture (110) de germes (10, 11, 12, 13) de diamant monocristallin,positionnement (130) des germes (10, 11, 12, 13) de diamant monocristallin de manière à former une mosaïque,croissance épitaxiale (140) latérale de la structure en terrasses selon l’orientation cristallographique (OC2). Figure à publier avec l’abrégé : figure 1
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