公开(公告)号：FR3149909A1

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：FR2306048

申请日：2023-06-14

Applicant: DIAM CONCEPT

Inventor： DUIGOU OLIVIER ,  GICQUEL ALIX ,  PERRIN BASILE ,  GLAD XAVIER

IPC: C30B29/04 ,  C30B25/02 ,  C30B33/08

Abstract: L’invention concerne un procédé de formation (100) d’une couche de diamant monocristallin (10’) présentant une densité de défauts cristallins inférieure ou égale à 103 défauts cristallins par cm2 comprenant la fourniture (110) d’un substrat de diamant monocristallin, une première micro structuration (120) d’une surface de croissance (12) du substrat de diamant monocristallin (10), une première croissance homoépitaxiale (130) réalisée normalement de manière à former une première couche de diamant monocristallin (10-1) comportant les défauts cristallins de la surface de croissance (12) et latéralement de manière à former une deuxième couche de diamant monocristallin (10-2) comportant les défauts cristallins confinés dans la première figure de gravure (G1), une deuxième micro structuration (150) du substrat de diamant monocristallin (10) comportant la réalisation de deuxièmes figures de gravure et une deuxième croissance homoépitaxiale (160) d’une autre deuxième couche de diamant monocristallin (10-2’) comportant les défauts cristallins confinés dans la deuxième figure de gravure. Figure à publier avec l’abrégé : Figure 2