公开(公告)号：WO2010089261A2

公开(公告)日：2010-08-12

申请号：PCT/EP2010/051113

申请日：2010-01-29

Applicant: EPCOS AG ,  PAHL, Wolfgang ,  FEIERTAG, Gregor ,  LEIDL, Anton

Inventor： PAHL, Wolfgang ,  FEIERTAG, Gregor ,  LEIDL, Anton

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81B7/0048 ,  B81B2207/092 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/0023 ,  B81C2203/0136 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

Abstract: Sensormodul, umfassend einen Träger (1), mindestens einen Sensorchip (3) und mindestens einen Auswertechip (4), der elektrisch an den Sensorchip (3) gekoppelt ist. Der Träger (1) weist eine Aussparung (2) auf, in der sich der Sensorchip (3) zumindest teilweise befindet. Der Auswertechip (4) ist auf dem Träger (1) angeordnet und deckt die Aussparung (2) zumindest teilweise ab.

Abstract translation: 传感器模块，包括一支架（1），至少一个传感器芯片（3）和至少一个评估芯片（4），其被电耦合到传感器芯片（3）。 该载体（1）具有凹部（2），其中，所述传感器芯片（3）至少部分地位于。 评价芯片（4）被布置在所述载体（1）和所述凹部（2）上至少覆盖部分上。

公开(公告)号：WO2006032335A1

公开(公告)日：2006-03-30

申请号：PCT/EP2005/008964

申请日：2005-08-18

Applicant: EPCOS AG ,  HAUSER, Markus ,  KNAUER, Ulrich ,  LEIDL, Anton ,  RIHA, Evelyn ,  RIHA, Gerd ,  RÖSLER, Ulrike ,  RUILE, Werner ,  RUPPEL, Clemens ,  SCHOLL, Gerd ,  WOLFF, Ulrich

Inventor： HAUSER, Markus ,  KNAUER, Ulrich ,  LEIDL, Anton ,  RIHA, Evelyn ,  RIHA, Gerd ,  RÖSLER, Ulrike ,  RUILE, Werner ,  RUPPEL, Clemens ,  SCHOLL, Gerd ,  WOLFF, Ulrich

IPC: H03H3/10

CPC classification number: H03H9/08 ,  H03H3/10 ,  H03H9/02574 ,  H03H9/02834 ,  H03H9/02984

Abstract: Es wird ein mit akustischen Wellen arbeitendes Bauelement vorgeschlagen, welches verschiedene Maßnahmen zur Absenkung des Temperaturgangs insbesondere der Resonanzfrequenz kombiniert. Das Bauelement weist ein piezoelektrisches Substrat (PS) auf, das eine relativ geringe Dicke (dp) im Bereich vom 5 bis 50-fachen der im Material ausbreitungsfähigen Wellenlänge aufweist. Auf der Oberseite sind elektrisch leitende Bauelementstrukturen (BES) vorgesehen, auf der Unterseite ist eine Kompensationsschicht (Ks) mechanisch fest so mit dem Substrat verbunden, dass eine mechanische Verspannung entsteht, oder dass bei Temperaturänderung sich eine Verspannung aufbaut. Über den Bauelementstrukturen (BES) ist eine SiO 2 -Schicht in einer Dicke von 5 bis 20 % der in ihr ausbreitungsfähigen akustischen Welle angeordnet.

Abstract translation: 所以建议利用声波工作，它结合了各种措施，以降低在特定的谐振频率的温度响应。 该装置包括具有从5至50倍，在材料的波长中传播的范围内的相对小的厚度（DP）的压电基片（PS）。 在顶部导电部件结构是设置在底机械牢固地与基板，补偿层（KS）连接，该机械应力被创建，或当温度变化时，一个应力积聚（BES）。 关于组件结构（BES）是由SiO <子

公开(公告)号：WO2009156308A1

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：PCT/EP2009/057479

申请日：2009-06-16

Applicant: EPCOS AG ,  FEIERTAG, Gregor ,  KRÜGER, Hans ,  LEIDL, Anton ,  STELZL, Alois

Inventor： FEIERTAG, Gregor ,  KRÜGER, Hans ,  LEIDL, Anton ,  STELZL, Alois

IPC: G01L9/00

CPC classification number: G01L19/141 ,  H01L25/165 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: Auf einem Träger (1) werden übereinander eine Haftschicht (4), ein ASIC-Chip (2) und ein Sensorchip (3) angeordnet. Eine Interchipverbindung (5) ist für einen elektrischen Anschluss der Chips untereinander vorgesehen und ein ASIC-Anschluss (6) für einen elektrischen Anschluss der in dem ASIC-Chip integrierten Schaltung nach außen.

Abstract translation: 粘接层（4），ASIC芯片（2）和一个传感器芯片（3）被布置在支撑一个在另一个之上（1）。 对于彼此的芯片间连接（5）被设置用于（6），用于在集成电路中的ASIC芯片到外部的电连接的芯片的电连接和一个ASIC端口。

公开(公告)号：WO2009092361A3

公开(公告)日：2009-07-30

申请号：PCT/DE2009/000073

申请日：2009-01-21

Applicant: EPCOS AG ,  PAHL, Wolfgang ,  FEIERTAG, Gregor ,  LEIDL, Anton

Inventor： PAHL, Wolfgang ,  FEIERTAG, Gregor ,  LEIDL, Anton

IPC: B81B7/00

Abstract: Es wird ein MEMS-Bauelement angegeben, das ein Substrat (1) aufweist, in dem wenigstens eine Kavität (2) vorhanden ist. Zu einer aktiven Seite des Substrats (1) hin ist die Kavität (2) verschlossen. Eine inaktive Seite ist gegenüber der aktiven Seite des Substrats (1) angeordnet, und das Substrat (1) ist auf der inaktiven Seite mit einer Abdeckfolie (3) bedeckt. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines MEMS-Bauelements angegeben, das die folgenden Schritte aufweist. Im ersten Schritt werden Kavitäten (2) auf einem Substrat-Wafer (1) hergestellt, wobei die Kavitäten (2) zu einer aktiven Seite hin verschlossen sind und zu einer inaktiven Seite hin eine Öffnung aufweisen. In einem zweiten Schritt wird eine Abdeckfolie (3) auf die inaktive Seite des Substrat-Wafers (1) aufgebracht, wobei die Abdeckfolie (3) wenigstens im Bereich des Substrat-Wafers (1) zwischen den Kavitäten (2) mit dem Substrat-Wafer (1) verklebt ist.

公开(公告)号：WO2007054070A1

公开(公告)日：2007-05-18

申请号：PCT/DE2006/001945

申请日：2006-11-06

Applicant: EPCOS AG ,  PAHL, Wolfgang ,  LEIDL, Anton ,  SEITZ, Stefan ,  KRÜGER, Hans ,  STELZL, Alois

Inventor： PAHL, Wolfgang ,  LEIDL, Anton ,  SEITZ, Stefan ,  KRÜGER, Hans ,  STELZL, Alois

IPC: B31B7/00 ,  H04R19/04

CPC classification number: B81B7/0064 ,  B81B2201/0257 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/3025 ,  H04R1/04 ,  H04R19/005 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: Das erfindungsgemäße MEMS-Package ist auf einem mechanisch stabilen Trägersubstrat (TS) aufgebaut. Auf dessen Oberseite ist ein MEMS-Chip (MC) montiert. Ebenfalls auf oder über der Oberseite des Trägersubstrats ist zumindest ein Chipbauelement (CB) angeordnet. Eine metallische Schirmungsschicht (SL) überdeckt den MEMS-Chip und das Chipbauelement und schließt mit der Oberseite des Trägersubstrats ab.

Abstract translation: 本发明的MEMS封装构造的机械稳定的载体衬底上（TS）。 在其顶部的MEMS芯片安装（MC）。 同样在以上所述载体基片的顶部，芯片部件（CB）至少被设置。 覆盖MEMS芯片和芯片部件和金属屏蔽层（SL）是与所述支撑基板的上表面齐平。

公开(公告)号：WO2004066493A1

公开(公告)日：2004-08-05

申请号：PCT/EP2003/014350

申请日：2003-12-16

Applicant: EPCOS AG ,  RUILE, Werner ,  ROESLER, Ulrike ,  WOLFF, Ulrich ,  LEIDL, Anton ,  SCHOLL, Gerd ,  HAUSER, Markus ,  KNAUER, Ulrich

Inventor： RUILE, Werner ,  ROESLER, Ulrike ,  WOLFF, Ulrich ,  LEIDL, Anton ,  SCHOLL, Gerd ,  HAUSER, Markus ,  KNAUER, Ulrich

IPC: H03H9/02

CPC classification number: H03H9/02929 ,  H03H9/02834 ,  H03H9/14538

Abstract: Für ein SAW-Bauelement, das auf einem piezoelektrischen Substrat (S) aufgebaut ist, wird zur Reduzierung der Verluste die Massenbelastung durch die Metallisierung (M) soweit erhöht, bis die Ausbreitungsgeschwindigkeit der Oberflächenwelle unterhalb der Ausbreitungsgeschwindigkeit der schnellen Scherwelle zu liegen kommt. Um dabei die Erhöhung des Temperaturgangs in Grenzen zu halten, wird eine Metallisierung mit deutlich höherer spezifischer Dichte als Al verwendet. Parallel dazu wird der Temperaturgang des Bauelements durch eine im Wesentlichen ganzflächig aufgebrachte Kompensationsschicht (K) reduziert, die aus einem Material ausgewählt ist, das eine Temperaturabhängigkeit der elastischen Koeffizienten aufweist, die derjenigen der Kombination Substrat-Metallisierung entgegenwirkt.

Abstract translation: 为了使SAW器件，其被构造的压电基板（S）上，用于通过金属化减小质量负载的损失（M）增加，直到表面波的传播的速度到达位于所述快横波的传播速度的下方。 为了保持限度内的温度变化的增加，显著较高比重的金属化比被用于铝。 与此并行地，通过基本上整个表面上的部件的温度系数施加补偿层（K）减小时，其由具有弹性系数的温度依赖性的材料，其抵消该衬底金属化的组合中选择的。

公开(公告)号：EP2817259A2

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：EP13704076.2

申请日：2013-02-08

Applicant: Epcos AG

Inventor： PAHL, Wolfgang ,  LEIDL, Anton ,  PORTMANN, Jürgen ,  EICHINGER, Robert ,  SIEGEL, Christian ,  NICOLAUS, Karl ,  WASSNER, Thomas ,  SEDLMEIER, Thomas

IPC: B81C99/00

CPC classification number: B81C1/00333 ,  B81C99/0045 ,  H01L22/12 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/1461 ,  H04R31/006 ,  H01L2924/00

Abstract: The invention relates to a method for producing a sensor (SEN), comprising the steps of arranging a sensor element (SE) on a carrier (TR), arranging a cover (AF) on the sensor element (SE), wherein the sensor element (SE) is enclosed between the cover (AF) and the carrier (TR), adhering a carrier film (TF) to the cover (AF), and producing an opening (SO) in the carrier film (TF) and the cover (AF), wherein the openings (SO) in the carrier film (TF) and the cover (AF) at least partially overlap.

公开(公告)号：WO2016091592A1

公开(公告)日：2016-06-16

申请号：PCT/EP2015/077656

申请日：2015-11-25

Applicant: EPCOS AG

Inventor： FEIERTAG, Gregor ,  KRÜGER, Hans ,  LEIDL, Anton ,  PAHL, Wolfgang ,  PORTMANN, Jürgen ,  STELZL, Alois

IPC: B81B7/00

CPC classification number: B81B7/0064 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/096 ,  B81C2203/035 ,  B81C2203/0792

Abstract: Es wird ein verbessertes Package für ein MEMS-Mikrofon (MM) und ein erleichtertes Verfahren zur Herstellung vorgeschlagen, bei dem ein MEMS Wafer und ein Basiswafer, in denen jeweils eine Vielzal von MEMS Chips bzw. Basischips mit MEMS Mikrofonen (MM) und ASICs (AS) realisiert sind, miteinander verbunden werden. In zum Vereinzeln der Bauelemente geführten Einschnitten (ES1) in MEMS- und ggfs. Basiswafer wird in einem integrierten Verfahren eine schirmende Metallsisierung (SD) erzeugt. Die Anschlusskontakte (AK) des Packages werden abschließend auf der Unterseite des Basiswafers erzeugt.

Abstract translation: 一种改进的封装的MEMS麦克风（MM），并提议用于制备的简化方法，其中的MEMS晶片和基底晶片，在其中的每一个MEMS芯片的Vielzal并与MEMS麦克风的基片（MM）和ASIC（ AS）被实现，被接合在一起。 在用于在MEMS分离部件引导切口（ES1）和任选的。依据晶片在一个集成的过程中产生的，屏蔽结束Metallsisierung（SD）。 包装的端子（AK）最终形成在基底晶片的下侧。

公开(公告)号：WO2010124909A1

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：PCT/EP2010/053718

申请日：2010-03-22

Applicant: EPCOS AG ,  FEIERTAG, Gregor ,  LEIDL, Anton ,  PAHL, Wolfgang ,  WINTER, Matthias ,  SIEGEL, Christian

Inventor： FEIERTAG, Gregor ,  LEIDL, Anton ,  PAHL, Wolfgang ,  WINTER, Matthias ,  SIEGEL, Christian

IPC: H04R1/28 ,  H04R19/00

CPC classification number: H04R19/005 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H04R1/2884 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

Abstract: Es wird ein Mikrofonpackage vorgeschlagen, bei dem ein MEMS Mikrofonchip (MIC) auf einem Substrat (SUB) montiert und mit einer Abdeckung (ABD) gegen das Substrat abgedichtet ist. Die Membran (MMB) des Mikrofonchips ist mit einer Schalleintrittsöffnung (SEO) im Substrat über einen akustischen Kanal verbunden. Durch definierte Dimensionierung von insbesondere Querschnitt und Länge von Schalleintrittsöffnung und Kanal ist ein akustischer Tiefpass ausgebildet, dessen -3 dB Dämpfungspunkt deutlich unterhalb der Eigenresonanz von Mikrofonmembran und -package liegt.

Abstract translation: 它提出了一种麦克风封装，其中，MEMS传声器芯片安装在基板（SUB）（MIC）和一个盖（ABD）的靠基板密封。 传声器芯片的膜（MMB）设置有通过连接声音信道在所述衬底中的声音入口（SEO）。 通过的，尤其是横截面，并且所述声音入口开口和通道的长度，被形成的声学低通限定尺寸，-3 dB的衰减点是远低于麦克风膜片和-package的自谐振。

公开(公告)号：WO2008022619A1

公开(公告)日：2008-02-28

申请号：PCT/DE2007/001414

申请日：2007-08-07

Applicant: EPCOS AG ,  RUILE, Werner ,  LEIDL, Anton

Inventor： RUILE, Werner ,  LEIDL, Anton

IPC: G01C19/56

CPC classification number: G01C19/5698

Abstract: Es wird ein Drehbewegungssensor mit mindestens einem elektroakustischen Resonator angegeben, in dem eine akustische Oberflächenwelle anregbar ist. Eine Drehbewegung des Resonators um eine Drehachse ruft die Änderung der Ausbreitungsgeschwindigkeit der Welle hervor. Dies bewirkt die Änderung der Resonanzfrequenz des Resonators. Der Drehbewegungssensor umfasst vorzugsweise Schwingstrukturen (30), die in Wellenausbreitungsrichtung und in Transversalrichtung schwingfähig sind.

Abstract translation: 它与至少一个电声谐振器中指定是在其中一个表面声波可被激发的旋转运动传感器。 谐振器以旋转轴的旋转运动导致在波的传播速度的变化。 这导致谐振器的谐振频率的变化。 旋转传感器优选地包括振动结构（30），其能够摆动的在波传播方向上和在横向方向上。