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公开(公告)号：CN101048536B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200580036329.2
申请日：2005-10-19
Applicant: FCM株式会社
Inventor： 三浦茂纪
Abstract: 本发明的形成Sn-Ag-Cu三元合金薄膜的方法是通过电镀形成所述Sn-Ag-Cu三元合金薄膜的方法，其特征在于，电镀液含有Sn化合物、Ag化合物、Cu化合物、无机系螯合剂和有机系螯合剂；该无机系螯合剂是聚合磷酸盐系螯合剂或者由以下化学式(I)表示的螯合剂的任一种；所述有机系螯合剂是卟啉类、二三甲基乙酰甲烷、酞菁类或者由以下化学式(II)表示的化合物的任一种。MFX(X-Y)-…(I)(上述化学式(I)中，M表示任意的金属，X表示任意的自然数，Y表示M的氧化数。)R—(CH2CH2O)n—A…(II)(上述化学式(II)中，R表示碳数8～30的烷基，A表示CH2COONa或者CH2SO4Na，n表示自然数)。
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公开(公告)号：CN1705770A
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN200380101913.2
申请日：2003-10-07
Applicant: FCM株式会社
Inventor： 三浦茂纪
IPC: C23C28/00
CPC classification number: B32B15/08 , B32B7/12 , B32B15/017 , B32B15/20 , B32B2309/105 , B32B2311/24 , C23C14/165 , C23C28/023 , C23C30/00 , C25D5/10 , C25D5/50 , Y10T428/12438 , Y10T428/12569 , Y10T428/12736
Abstract: 本发明提供一种铝稳定化叠层体(101)，通过利用溅射法、蒸镀法或离子镀敷法中的任何一种方法，在表面至少由铝构成的薄膜(102)的整面上，叠层由金属构成的厚0.001～1μm的稳定化层(103)而形成。
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公开(公告)号：CN1487629A
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN03154552.1
申请日：2003-08-18
Applicant: FCM株式会社
Inventor： 三浦茂纪
IPC: H01R13/03
CPC classification number: H01R13/03 , H01L23/49582 , H01L2924/0002 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , Y10T428/12632 , Y10T428/12812 , Y10T428/12861 , Y10T428/12889 , Y10T428/12896 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的端子，在导电性基体(101)的整个面或者部分上形成钌层(102)，在该钌层(102)的整个面或者部分上形成由从Au、Pt、Ag、Pd、Rh、Co、Ni、In以及Sn构成的群中选择至少1种金属、或者包含这些金属中至少1种的合金所构成的表面金属层(103)。
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公开(公告)号：CN101499329A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200910009727.5
申请日：2009-01-23
Applicant: FCM株式会社
Inventor： 三浦茂纪
IPC: H01B5/14 , H01B1/08 , H01B1/16 , G02F1/1333 , G02F1/167
CPC classification number: G02F1/1345 , G02F2001/13629 , H01L27/3279 , H01L27/329 , H01L2251/308 , H05K3/24 , H05K2201/0108 , H05K2201/0326 , H05K2201/0338
Abstract: 本发明的电极基板(100)，由在透明性基材(101)上形成由第1导电性物质形成的第1导电层(102)和由第2导电性物质形成的第2导电层(103)来形成，其特征在于，在该透明性基材(101)上形成该第1导电层(102)；在该透明性基材(101)上按照覆盖该第1导电层(102)的方式形成该第2导电层(103)；该第1导电层(102)和该第2导电层(103)都形成细线状的布线图形；在设该第1导电层(102)的宽度为1的情况下，该第2导电层(103)的宽度为1.5以上、300以下；虽然该第2导电性物质具有比该第1导电性物质更高的透光率、但导电性比第1导电性物质更低。
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公开(公告)号：CN1331376C
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200410011973.1
申请日：2004-09-27
Applicant: FCM株式会社
Inventor： 三浦茂纪
IPC: H05K1/02 , H05K3/14 , H05K3/38 , H05K1/00 , C23C16/02 , C23C14/02 , C23C14/14 , C23C16/50 , C23C26/00 , C23C28/02 , C23C14/06 , C23C14/20 , C23C14/34 , C23F4/00 , C25D5/12 , C08J7/00
CPC classification number: H05K3/381 , C23C4/02 , C23C14/028 , C23C14/20 , C23C14/562 , C23C18/1608 , C23C18/1612 , C23C18/204 , C25D5/024 , C25D5/10 , H05K1/0393 , H05K2203/092 , H05K2203/1545
Abstract: 本发明涉及一种导电性片材(1)，是在绝缘性基体(2)的表面的至少一部分上形成有金属层(3)的导电性片材(1)，其特征在于，上述绝缘性基体(2)是长1～10000m的长带状，通过对其表面的至少一部分照射阳离子，使其照射部分的表面粗糙度Ra值达到0.2～200nm，并且，对照射该阳离子的部分，利用溅射法或蒸镀法，形成上述金属层(3)，根据本发明的导电性片材，可以提高绝缘性基体与金属层之间的密接性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100469223C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200410076844.0
申请日：2004-09-08
Applicant: FCM株式会社
Inventor： 三浦茂纪
IPC: H05K3/42 , H05K3/16 , H05K3/18 , H05K3/24 , H05K3/28 , H05K3/40 , H05K3/38 , H05K1/11 , H05K1/09 , H01L21/60 , C25D5/02 , C25D7/00
CPC classification number: H01L21/4846 , H01L21/4864 , H05K3/108 , H05K3/381 , H05K3/388 , H05K3/423 , H05K3/426 , H05K2201/0154 , H05K2201/0355 , H05K2201/0394 , H05K2201/09509 , H05K2201/09563 , H05K2201/09609 , H05K2203/092 , Y10T29/49155 , Y10T29/49165 , Y10T428/24917
Abstract: 本发明的导电性薄板(1)具有以下特征，即，在具有1个以上通孔(3)的绝缘性基体(2)中，该通孔(3)是贯穿该绝缘性基体(2)的细孔，且在包括该通孔(3)壁面的绝缘性基体(2)的整个面上，根据溅射法或者蒸镀法形成有基底导电层(5)，并且在该基底导电层(5)表面的整个面或者部分面上，形成有顶部导电层(6)，同时，由该顶部导电层(6)填充该通孔(3)。
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公开(公告)号：CN1606400A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN200410011973.1
申请日：2004-09-27
Applicant: FCM株式会社
Inventor： 三浦茂纪
IPC: H05K1/02 , H05K3/14 , H05K3/38 , H05K1/00 , C23C16/02 , C23C14/02 , C23C14/14 , C23C16/50 , C23C26/00 , C23C28/02 , C23C14/06 , C23C14/20 , C23C14/34 , C23F4/00 , C25D5/12 , C08J7/00
CPC classification number: H05K3/381 , C23C4/02 , C23C14/028 , C23C14/20 , C23C14/562 , C23C18/1608 , C23C18/1612 , C23C18/204 , C25D5/024 , C25D5/10 , H05K1/0393 , H05K2203/092 , H05K2203/1545
Abstract: 本发明涉及一种导电性片材(1)，是在绝缘性基体(2)的表面的至少一部分上形成有金属层(3)的导电性片材(1)，其特征在于，上述绝缘性基体(2)是长1～10000m的长带状，通过对其表面的至少一部分照射阳离子，使其照射部分的表面粗糙度Ra值达到0.2～200nm，并且，对照射该阳离子的部分，利用溅射法或蒸镀法，形成上述金属层(3)，根据本发明的导电性片材，可以提高绝缘性基体与金属层之间的密接性。
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公开(公告)号：CN100379092C
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200410100006.2
申请日：2004-11-30
Applicant: FCM株式会社
Inventor： 三浦茂纪
CPC classification number: C22C13/00 , H01R13/03 , Y10T428/12556 , Y10T428/12687 , Y10T428/12708 , Y10T428/12715
Abstract: 本发明提供一种端子，在导电性基体上的全面或者部分，通过电镀形成由 Sn-Ag-Cu 三元合金构成的表面层，其特征是，该 Sn-Ag-Cu 三元合金，以 Sn 含70～99.8质量%、 Ag 含0.1～15质量%、 Cu 含0.1～15质量%的比率构成，其熔点是210～230℃，且与在所述表面层仅由 Sn 形成时相比，形成更微小的粒状的结晶状态。
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公开(公告)号：CN101048536A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200580036329.2
申请日：2005-10-19
Applicant: FCM株式会社
Inventor： 三浦茂纪
Abstract: 本发明的形成Sn－Ag－Cu三元合金薄膜的方法是通过电镀形成所述Sn－Ag－Cu三元合金薄膜的方法，其特征在于，电镀液含有Sn化合物、Ag化合物、Cu化合物、无机系螯合剂和有机系螯合剂；该无机系螯合剂是聚合磷酸盐系螯合剂或者由以下化学式(I)表示的螯合剂的任一种；所述有机系螯合剂是卟啉类、二三甲基乙酰甲烷、酞菁类或者由以下化学式(II)表示的化合物的任一种。MFX(X－Y)－…(I)(上述化学式(I)中，M表示任意的金属，X表示任意的自然数，Y表示M的氧化数。)R－(CH2CH2O)n－A…(II)(上述化学式(II)中，R表示碳数8～30的烷基，A表示CH2COONa或者CH2SO4Na，n表示自然数)。
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公开(公告)号：CN1638198A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410100006.2
申请日：2004-11-30
Applicant: FCM株式会社
Inventor： 三浦茂纪
CPC classification number: C22C13/00 , H01R13/03 , Y10T428/12556 , Y10T428/12687 , Y10T428/12708 , Y10T428/12715
Abstract: 本发明提供一种端子，在导电性基体上的全面或者部分，通过电镀形成由Sn－Ag－Cu三元合金构成的表面层，其特征是，该Sn－Ag－Cu三元合金，以Sn含70～99.8质量％、Ag含0.1～15质量％、Cu含0.1～15质量％的比率构成，其熔点是210～230℃，且与在所述表面层仅由Sn形成时相比，形成更微小的粒状的结晶状态。
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