中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

8 records (took 0.023 seconds)

    DIODE LASER AND LASER RESONATOR FOR A DIODE LASER HAVING IMPROVED LATERAL BEAM QUALITY
    1.
    发明申请
    DIODE LASER AND LASER RESONATOR FOR A DIODE LASER HAVING IMPROVED LATERAL BEAM QUALITY 审中-公开
    二极管和激光谐振器具有改进横向光束质量二极管

    公开(公告)号：WO2011020923A3

    公开(公告)日：2012-02-09

    申请号：PCT/EP2010062256

    申请日：2010-08-23

    Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV ,  ERBERT GOETZ ,  SPREEMANN MARTIN ,  WENZEL HANS ,  FRICKE JOERG

    Inventor： ERBERT GOETZ ,  SPREEMANN MARTIN ,  WENZEL HANS ,  FRICKE JOERG

    IPC: H01S5/125 ,  H01S5/10 ,  H01S5/20

    CPC classification number: H01S5/125 ,  H01S5/1064 ,  H01S5/1089 ,  H01S5/1215 ,  H01S5/2036 ,  H01S2301/166

    Abstract: The present invention relates to a diode laser and to a laser resonator for a diode laser having improved lateral beam quality without using an external resonator. The present invention in particular relates to a broad area laser having high power output. It is the aim of the present invention to provide a diode laser and a laser resonator for a diode laser, which has high lateral beam quality at high power output, requires little adjustment effort and is inexpensive to produce. The laser resonator according to the invention comprises a gain section (GS), a first planar Bragg reflector (DBR1) and a second planar Bragg reflector (DBR2), wherein the gain section (GS) has a trapezoidal design and the first planar Bragg reflector (DBR1) is arranged on a first base side of the trapezoidal gain section (GS) and the second planar Bragg reflector (DBR2) is arranged on the opposing base side of the trapezoidal gain section (GS), wherein the width (D1) of the first planar Bragg reflector (DBR1) differs from the width (D2) of the second planar Bragg reflector (DBR2).

    Abstract translation: 本发明涉及一种二极管激光器和一个激光谐振器为具有改进的横向光束质量的二极管激光器，而无需使用外部谐振器，特别是，本发明涉及一种宽条形激光器具有高输出功率。 本发明提供一种二极管激光器和一个激光谐振器为二极管激光器，其具有在高功率输出的高侧的光束质量的目的，要求在调整一个低的费用和制造成本低。 根据本发明的激光谐振器包括一个增益部分（GS），第一平面布拉格反射器（DBR1）和第二平面布拉格反射器（DBR2），其中，所述增益部（GS）在形状上是梯形的，并且在第一第一平面布拉格反射器（DBR1） 梯形增益部（GS）和在梯形增益部分（GS）的相对的基侧上的第二平面布拉格反射器（DBR2）的基端侧被布置，其中，所述宽度在第一平面反射镜的宽度的（DBR1）的（D1）（D2） 第二平面布拉格反射器（DBR1）不同。

    Wellenleiterstruktur und optisches System mit Wellenleiterstruktur
    2.
    发明专利
    Wellenleiterstruktur und optisches System mit Wellenleiterstruktur 未知

    公开(公告)号：DE102016115723A1

    公开(公告)日：2018-03-01

    申请号：DE102016115723

    申请日：2016-08-24

    Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV

    Inventor： MUELLER ANDRE ,  ERBERT GOETZ ,  FRICKE JOERG ,  WENZEL HANS ,  SUMPF BERND ,  PASCHKE KATRIN

    IPC: H01S5/026

    Abstract: Die Erfindung betrifft eine Wellenleiterstruktur und ein optisches System mit einer Wellenleiterstruktur. Die erfindungsgemäße Wellenleiterstruktur (100) umfasst einen ersten Wellenleiterbereich (10) mit einer konstanten ersten Breite (w1), dazu ausgebildet, elektromagnetische Wellen modenerhaltend entlang seiner Längsachse (L10) zu führen; einen zweiten Wellenleiterbereich (20), dazu ausgebildet, elektromagnetische Wellen modenerhaltend entlang seiner Längsachse (L20) zu führen, wobei die Längsachse (L10) des ersten Wellenleiterbereichs (10) und die Längsachse (L20) des zweiten Wellenleiterbereichs (20) eine gemeinsame Längsachse (L10, L20) der Wellenleiterstruktur (100) ausbilden, wobei eine erste Stirnfläche des ersten Wellenleiterbereichs (10) und eine erste Stirnfläche des zweiten Wellenleiterbereichs (20) zueinander ausgerichtet sind, wobei die Breite der ersten Stirnfläche des zweiten Wellenleiterbereichs (20) der ersten Breite (w1) entspricht, und sich die Breite (w) des zweiten Wellenleiterbereichs (20) entlang seiner Längsachse (L20) von der ersten Stirnfläche zu einer zweiten Stirnfläche auf eine zweite Breite (w2) größer als die erste Breite (w1) aufweitet; und ein Gitter (40) mit einer Vielzahl von Stegen (42) und Gräben (44), wobei das Gitter (40) entlang der gemeinsamen Längsachse (L10, L20) im zweiten Wellenleiterbereich (20) angeordnet ist.

    Diodenlaser und Laserresonator für einen Diodenlaser mit verbesserter lateraler Strahlqualität
    6.
    发明专利
    Diodenlaser und Laserresonator für einen Diodenlaser mit verbesserter lateraler Strahlqualität 未知

    公开(公告)号：DE102009028823A1

    公开(公告)日：2011-02-24

    申请号：DE102009028823

    申请日：2009-08-21

    Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV

    Inventor： ERBERT GOETZ ,  SPREEMANN MARTIN ,  WENZEL HANS ,  FRICKE JOERG

    IPC: H01S5/125 ,  H01S5/30

    Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft einen Diodenlaser und Laserresonator für einen Diodenlaser mit verbesserter lateralen Strahlqualität ohne Verwendung eines externen Resonators, insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung einen Breitstreifenlaser mit hohen Ausgangsleistungen. Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Diodenlaser und einen Laserresonator für einen Diodenlaser anzugeben, der bei hohen Ausgangsleistungen eine hohe laterale Strahlqualität aufweist, einen geringen Justageaufwand erfordert und preiswert herstellbar ist. Der erfindungsgemäße Laserresonator weist eine Gewinnsektion (GS), einen ersten planaren Bragg Reflektor (DBR1) und einen zweiten planaren Bragg Reflektor (DBR2) auf, wobei die Gewinnsektion (GS) trapezförmig ausgebildet ist und der erste planare Bragg Reflektor (DBR1) an einer ersten Grundseite der trapezförmigen Gewinnsektion (GS) und der zweite planare Bragg Reflektor (DBR2) an der gegenüberliegenden Grundseite der trapezförmigen Gewinnsektion (GS) angeordnet sind, wobei sich die Breite (D1) des ersten planaren Bragg Reflektors (DBR1) von der Breite (D2) des zweiten planaren Bragg Reflektors (DBR1) unterscheidet.

Patent Agency Ranking