公开(公告)号：DE102011004080A1

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：DE102011004080

申请日：2011-02-14

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV

Inventor： WUERFL HANS-JOACHIM ,  HILT OLIVER DR ,  WEYERS MARKUS ,  BRUNNER FRANK DR ,  BAHAT-TREIDEL ELDAD ,  CHO EUNJUNG DR

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/20 ,  H01L29/205

Abstract: Die Erfindung betrifft einen Heterostruktur-Feldeffekttransistor (HFET) mit einem Substrat (201), einer auf dem Substrat (201) angeordneten Nukleationsschicht (202), einer auf der Nukleationsschicht (202) angeordneten kohlenstoffdotierten GaN-Schicht (203), einer auf der kohlenstoffdotierten GaN-Schicht (203) angeordneten ersten AlGaN-Schicht (204) und auf der ersten AlGaN-Schicht (204) angeordneten Source-Elektrode (205), einer auf der ersten AlGaN-Schicht (204) angeordneten Drain-Elektrode (206) und einer zwischen der Source-Elektrode (205) und der Drain-Elektrode (206) auf der ersten AlGaN-Schicht (204) angeordneten Gate-Elektrode (207). Erfindungsgemäß ist zwischen der kohlenstoffdotierten GaN-Schicht (203) und der ersten AlGaN-Schicht (204) eine unintentionally-doped GaN-Schicht vorgesehen. Ein zweiter Aspekt der Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines solchen HFETs.

公开(公告)号：DE102010001788A1

公开(公告)日：2011-08-11

申请号：DE102010001788

申请日：2010-02-10

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN EV

Inventor： HILT OLIVER DR ,  WUERFL JOACHIM DR

IPC: H01L29/68 ,  H01L21/331 ,  H01L21/335 ,  H01L23/36 ,  H01L29/41 ,  H01L29/861 ,  H05K1/18

Abstract: Die Erfindung betrifft Halbleiterbauelemente, insbesondere einen skalierbaren Aufbau für laterale Halbleiterbauelemente mit hoher Stromtragfähigkeit. Eine erfindungsgemäße Transistorzelle umfasst eine Steuerelektrode, eine Vielzahl von Quellenfeldern sowie eine Vielzahl von Senkenfeldern. Die Steuerelektrode umschließt mindestens eines der Quellenfelder oder der Senkenfelder vollständig. Ein erfindungsgemäßer Transistor umfasst eine Vielzahl von Transistorzellen auf einem Substrat, deren jede ein Quellenkontaktfeld und/oder ein Senkenkontaktfeld umfasst. Die Quellenkontaktfelder sind jenseits des Substrats miteinander leitend verbunden, und die Senkenkontaktfelder sind ebenfalls jenseits des Substrats miteinander leitend verbunden. Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung eines Transistors umfasst folgende Schritte: Bereitstellen eines Substrats; Ausbilden einer Vielzahl von Transistorzellen auf dem Substrat, deren jede eine Steuerelektrode, eine Vielzahl von Quellenfeldern und eine Vielzahl von Senkenfeldern umfasst; leitendes Verbinden der Steuerelektroden miteinander; Ausbilden eines Quellenkontaktfelds und/oder eines Senkenkontaktfelds in jeder Transistorzelle; leitendes Verbinden der Quellenfelder jeder Transistorzelle mit einem Quellenkontaktfeld; leitendes Verbinden der Senkenfelder jeder Transistorzelle mit einem Senkenkontaktfeld; Ausbilden mindestens eines Bumps auf jedem der Quellenkontaktfelder und auf jedem der Senkenkontaktfelder; Bereitstellen einer Leiterplatine; leitendes Verbinden der Bumps der Quellenkontaktfelder miteinander über Leiterbahnen auf der Leiterplatine; und leitendes Verbinden der Bumps der Senkenkontaktfelder miteinander über Leiterbahnen auf der Leiterplatine. Die Anordnung der Bumps und der Leiterbahnen auf der Leiterplatine ermöglicht eine geringe Halbleiterflächenbelegung durch Verdrahtung. Die erfindungsgemäße Anordnung der Quellenfelder, Senkenfelder und Steuerelektroden bezüglich der Bumps ermöglicht einen geringen Wärmewiderstand zwischen den aktiven Transistorgebieten und den Bumps.