公开(公告)号：DE102007052049B4

公开(公告)日：2020-06-18

申请号：DE102007052049

申请日：2007-10-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： RICHTER RALF ,  SEIDEL ROBERT ,  BOEMMELS JUERGEN ,  FOLTYN THOMAS

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

Abstract: Verfahren mit:Definieren einer lateralen Position einer Zwischenschichtverbindung (122V) zwischen einer ersten Metallschicht (110) mit einer ersten Metallleitung (111A) und einer zweiten Metallschicht (120) eines Halbleiterbauelements (100) mittels einer ersten Maske (140);Bilden einer zweiten Maske (104), die ausgebildet ist, einen Graben (122T) in einem dielektrischen Material (122) mit kleinem ε, das zwischen der ersten (110) und der zweiten (120) Metallschicht gebildet ist, zu definieren, wobei der Graben (122T) einer zweiten Metallleitung (121) der zweiten Metallschicht (120) entspricht, die lateral senkrecht zur ersten Metallleitung (110) orientiert ist; undBilden einer Öffnung für die Zwischenschichtverbindung (122V) und des Grabens (122T) in dem dielektrischen Material (122) mit kleinem ε in einem gemeinsamen Ätzprozess, wobei eine laterale Größe der Öffnung in einer Breitenrichtung (125A) der ersten Metallleitung (121) größer ist als eine Breite der ersten Metallleitung (121) und in der zur Breitenrichtung lateral senkrechten Richtung (125B) durch den Graben (122T) festgelegt ist,wobei die erste Maske (140) über der ersten Metallschicht (110) gebildet wird, bevor das dielektrische Material (122) mit kleinem ε über der ersten Maske (140) gebildet wird, undeine dielektrische Barrierenschicht (113) als letzte Schicht der ersten Metallschicht (110) gebildet wird und die erste Maske (140) unter Verwendung der dielektrischen Barrierenschicht (113) als Ätzstoppschicht während des Strukturierens der darüberliegenden ersten Maske (140) gebildet wird.