公开(公告)号：DE102010002454A1

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：DE102010002454

申请日：2010-02-26

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： SEIDEL ROBERT ,  WERNER THOMAS

IPC: H01L21/768

Abstract: In komplexen Metallisierungssystemen werden vertikale Kontakte und Metallleitungen auf der Grundlage einer dualen Einlegestrategie hergestellt, wobei eine Kantenverrundung oder Eckenverrundung an der Grabenhartmaske vor dem Bilden der Kontaktlochöffnungen auf der Grundlage eines selbstjustierten Kontaktloch/Grabenkonzepts angewendet wird. Folglich können selbstjustierte Verbindungsstrukturen erhalten werden, während gleichzeitig für bessere Füllbedingungen während des Abscheidens von Barrierenmaterialien und leitenden Füllmaterialien gesorgt wird.

公开(公告)号：DE102007052049B4

公开(公告)日：2020-06-18

申请号：DE102007052049

申请日：2007-10-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： RICHTER RALF ,  SEIDEL ROBERT ,  BOEMMELS JUERGEN ,  FOLTYN THOMAS

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

Abstract: Verfahren mit:Definieren einer lateralen Position einer Zwischenschichtverbindung (122V) zwischen einer ersten Metallschicht (110) mit einer ersten Metallleitung (111A) und einer zweiten Metallschicht (120) eines Halbleiterbauelements (100) mittels einer ersten Maske (140);Bilden einer zweiten Maske (104), die ausgebildet ist, einen Graben (122T) in einem dielektrischen Material (122) mit kleinem ε, das zwischen der ersten (110) und der zweiten (120) Metallschicht gebildet ist, zu definieren, wobei der Graben (122T) einer zweiten Metallleitung (121) der zweiten Metallschicht (120) entspricht, die lateral senkrecht zur ersten Metallleitung (110) orientiert ist; undBilden einer Öffnung für die Zwischenschichtverbindung (122V) und des Grabens (122T) in dem dielektrischen Material (122) mit kleinem ε in einem gemeinsamen Ätzprozess, wobei eine laterale Größe der Öffnung in einer Breitenrichtung (125A) der ersten Metallleitung (121) größer ist als eine Breite der ersten Metallleitung (121) und in der zur Breitenrichtung lateral senkrechten Richtung (125B) durch den Graben (122T) festgelegt ist,wobei die erste Maske (140) über der ersten Metallschicht (110) gebildet wird, bevor das dielektrische Material (122) mit kleinem ε über der ersten Maske (140) gebildet wird, undeine dielektrische Barrierenschicht (113) als letzte Schicht der ersten Metallschicht (110) gebildet wird und die erste Maske (140) unter Verwendung der dielektrischen Barrierenschicht (113) als Ätzstoppschicht während des Strukturierens der darüberliegenden ersten Maske (140) gebildet wird.

公开(公告)号：DE102008044964B4

公开(公告)日：2015-12-17

申请号：DE102008044964

申请日：2008-08-29

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： SEIDEL ROBERT ,  RICHTER RALF

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: Verfahren mit: Bilden einer Öffnung in einem dielektrischen Material (211) mit kleinem &egr; einer Metallisierungsschicht (210) eines Halbleiterbauelements (200); Abscheiden eines Barrierematerials (212B) in der Öffnung; Bilden eines Metallgebiets durch Abscheiden von Kupfer auf dem Barrierematerial (212B); Entfernen eines Teils des Kupfers durch Ausführen eines selektiven Ätzprozesses, um eine Vertiefung (212R) zu bilden; Entfernen des Barrierematerials (212B) von den Seitenwänden der Vertiefung (212R); Bilden von Seitenwandabstandshaltern (214) auf den Seitenwänden der Vertiefung (212R), die von dem Barrierematerial (212B) befreit worden sind; wobei die Seitenwandabstandshalter durch Abscheiden eines Seitenwandabstandshaltermaterials und anschließendes anisotropes Ätzen gebildet werden; und Bilden eines Deckmaterials (213) zumindest in der Vertiefung (212R) und auf den Seitenwandabstandshaltern (214).

公开(公告)号：DE102010002451A1

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：DE102010002451

申请日：2010-02-26

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： SEIDEL ROBERT ,  FROHBERG KAI ,  PETERS CARSTEN

IPC: H01L21/283 ,  H01L29/41

Abstract: In komplexen Halbleiterbauelementen werden Kontaktelemente in der Kontaktebene hergestellt, indem die Kontaktöffnungen strukturiert und die Kontaktöffnungen mit dem Metall der ersten Metallisierungsschicht in einer gemeinsamen Abscheidesequenz gefüllt werden. Dazu wird in einigen anschaulichen Ausführungsformen ein Opferfüllmaterial in den Kontaktöffnungen vor dem Abscheiden des dielektrischen Materials der ersten Metallisierungsschicht vorgesehen.

公开(公告)号：DE102009055433B4

公开(公告)日：2012-02-09

申请号：DE102009055433

申请日：2009-12-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： SEIDEL ROBERT ,  NOPPER MARKUS ,  PREUSSE AXEL

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/768 ,  H01L29/41

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Kontaktelements in einem Halbleiterbauelement (200), wobei das Verfahren umfasst: Bilden einer ersten Kontaktöffnung (210a) in einem dielektrischen Zwischenschichtmaterial (210), wobei die erste Kontaktöffnung (210a) eine Verbindung zu einem Kontaktbereich (254) eines Schaltungselements (250) herstellt, das in einem Halbleitergebiet des Halbleiterbauelements (200) ausgebildet ist; Bilden einer Aktivierungsschicht (221) über über dem dielektrischen Zwischenschichtmaterial (210) und in der ersten Kontaktöffnung (210a); Entfernen eines ersten Bereichs der Aktivierungsschicht von dem dielektrischen Zwischenschichtmaterial (210) und von einem Teil der ersten Kontaktöffnung (210a), während ein zweiter Bereich der Aktivierungsschicht zumindest an der Unterseite der ersten Kontaktöffnung bewahrt wird; wobei Entfernen des ersten Bereichs der Aktivierungsschicht umfasst: Vorsehen eines Opfermaterials (203) derart, dass die erste Kontaktöffnung (210a) gefüllt wird, und Entfernen eines ersten Teils des Opfermaterials (203) derart, dass ein zweiter Teil des Opfermaterials (203b) bewahrt wird, der den zweiten Bereich der Aktivierungsschicht abdeckt; Ausführen eines selektiven Abscheideprozesses...

公开(公告)号：DE102009023377B4

公开(公告)日：2017-12-28

申请号：DE102009023377

申请日：2009-05-29

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： SEIDEL ROBERT ,  WERNER THOMAS

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

Abstract: Verfahren mit: Bilden einer Kontaktdurchführungsöffnung (141a) in einer dielektrischen Schicht (141) einer Metallisierungsschicht (140) eines Halbleiterbauelements (100); Bilden einer Opfermaterialschicht (143) als leitendes Material auf der dielektrischen Schicht (141) und in der Kontaktdurchführungsöffnung (141a); Bilden mehrerer Gräben (143a) in der Opfermaterialschicht, wobei einer der mehreren Gräben eine Verbindung zu der Kontaktdurchführungsöffnung (141a) besitzt; Bilden von Metallgebieten (142) in den mehreren Gräben (143a) und in der Kontaktdurchführungsöffnung; Entfernen der Opfermaterialschicht (143) zwischen funktionalen Metallgebieten der Metallgebiete (142) unter Anwendung eines selektiven Ätzprozesses (111), der selektiv zu den Metallgebieten (142) und zu der dielektrischen Schicht ist (141); Beibehalten der Opfermaterialschicht zwischen nicht-funktionalen Metallgebieten der Metallgebiete; und Abscheiden einer dielektrischen Deckschicht (144), um Luftspalte (144a) zwischen zumindest den funktionalen Metallgebieten zu bilden, wobei funktionale Metallgebiete solche sind, bei denen eine elektrische Isolation erforderlich ist.

公开(公告)号：DE102010002451B4

公开(公告)日：2012-01-26

申请号：DE102010002451

申请日：2010-02-26

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： SEIDEL ROBERT ,  FROHBERG KAI ,  PETERS CARSTEN

IPC: H01L21/283 ,  H01L29/41

Abstract: Verfahren mit: Bilden einer Kontaktöffnung (122) in dem dielektrischen Zwischenschichtmaterial (121), das über und benachbart zu einem Schaltungselement eines Halbleiterbauelements (100) ausgebildet ist; Bilden eines dielektrischen Materials einer Metallisierungsschicht (130) über dem dielektrischen Zwischenschichtmaterial (121) und der Kontaktöffnung (122); Bilden eines Grabens (132) einer Metallleitung der Metallisierungsschicht (130) in dem dielektrischen Material derart, dass dieser mit der Kontaktöffnung (122) in Verbindung steht; und Füllen der Kontaktöffnung (122) und des Grabens (132) mit einem leitenden Material durch Ausführen einer Abscheidesequenz gemeinsam für die Kontaktöffnung (122) und den Graben (132), wobei Bilden des dielektrischen Materials umfasst: a) Abscheiden eines Ätzstoppmaterials (133a) über der Kontaktöffnung (122) derart, dass die Kontaktöffnung (122) im Wesentlichen verschlossen wird; b) Einebnen des Ätzstoppmaterials (133a) vor dem Bilden des Grabens (132); und c) Bilden einer dielektrischen Schicht über dem eingeebneten Ätzstoppmaterial (133a); und wobei das Ätzstoppmaterial (133a) beim Bilden...

公开(公告)号：DE102009055433A1

公开(公告)日：2011-07-07

申请号：DE102009055433

申请日：2009-12-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： SEIDEL ROBERT ,  NOPPER MARKUS ,  PREUSSE AXEL

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/768 ,  H01L29/41

Abstract: Bei der Herstellung von Kontaktebenen komplexer Halbleiterbauelemente wird ein besseres Füllverhalten von unten nach oben erweicht, indem ein Aktivierungsmaterial selektiv im unteren Teil der Kontaktöffnungen vorgesehen wird und indem eine selektive Abscheidetechnik verwendet wird. Folglich können durch Abscheidung hervorgerufene Unregelmäßigkeiten, etwa Hohlräume effizient unterdrückt werden, selbst wenn Kontaktöffnungen mit einem großem Aspektverhältnis vorgesehen sind.

公开(公告)号：DE102009023377A1

公开(公告)日：2010-12-16

申请号：DE102009023377

申请日：2009-05-29

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MODULE ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： SEIDEL ROBERT ,  WERNER THOMAS

IPC: H01L23/528 ,  B81B1/00 ,  B81C1/00 ,  H01L21/768

Abstract: In einem komplexen Metallisierungssystem eines Halbleiterbauelements werden Luftspalte in selbstjustierender Weise auf der Grundlage eines Opfermaterials, etwa eines Kohlenstoffmaterials, hergestellt, das nach dem Strukturieren eines dielektrischen Materials, das zur Herstellung einer Kontaktdurchführungsöffnung dient, abgeschieden wird. Folglich werden bessere Prozessbedingungen während des Strukturierens der Kontaktdurchführungsöffnung und des Opfermaterials in Verbindung mit einem hohen Grad an Flexibilität bei der Auswahl geeigneter Materialien für die dielektrische Schicht und die Opferschicht erreicht, wodurch eine bessere Gleichmäßigkeit und bessere Bauteileigenschaften erhalten werden.

公开(公告)号：DE102018202132A1

公开(公告)日：2019-05-23

申请号：DE102018202132

申请日：2018-02-12

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： NAUMANN RONALD ,  ZINKE MATTHIAS ,  SEIDEL ROBERT ,  BARCHEWITZ TOBIAS

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/283 ,  H01L21/60

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft Halbleiterstrukturen und insbesondere eine Halbleiterstruktur mit einem im Wesentlichen geraden Kontaktprofil und Verfahren zur Herstellung. Die Struktur umfasst ein Blockmaterial mit einer oberen oxidierten Schicht an einer Grenzfläche zu einem isolierenden Material; und eine Zwischenverbindungskontaktstruktur mit einem im Wesentlichen geraden Profil durch die oxidierte Schicht des Blockmaterials.