公开(公告)号：DE102010063781B4

公开(公告)日：2016-08-11

申请号：DE102010063781

申请日：2010-12-21

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： JAVORKA PETER ,  WIATR MACIEJ ,  KRONHOLZ STEPHAN-DETLEF

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092

Abstract: Verfahren mit: Bilden einer schwellwertspannungseinstellenden Halbleiterlegierung auf einem ersten Halbleitergebiet, während ein zweites Halbleitergebiet maskiert ist, wobei Bilden der schwellwertspannungseinstellenden Halbleiterlegierung Bilden eines silizium- und germaniumenthaltenden Halbleitermaterials umfasst; Bilden einer ersten Gateelektrodenstruktur eines ersten p-Kanaltransistors mit einer ersten Gatelänge über dem ersten Halbleitergebiet, das die schwellwertspannungseinstellende Halbleiterlegierung aufweist; Bilden einer zweiten Gateelektrodenstruktur eines zweiten p-Kanaltransistors mit einer zweiten Gatelänge, die kleiner ist als die erste Gatelänge, auf dem zweiten Halbleitergebiet, wobei die erste und die zweite Gateelektrodenstruktur ein dielektrisches Material mit großem ε enthalten, wobei die zweite Gatelänge 50 nm oder kleiner ist; Ausführen einer Wannenimplantationssequenz derart, dass die maximale Wannendotierstoffkonzentration vor dem Bilden der ersten und der zweiten Gateelektrodenstruktur eingestellt wird; Bilden eines ersten Drain- und Sourcegebiets in dem ersten Halbleitergebiet; und Bilden eines zweiten Drain- und Sourcegebiets in dem zweiten Halbleitergebiet, wobei die ersten und zweiten Drain- und Sourcegebiete die gleiche Leitfähigkeitsart besitzen.

公开(公告)号：DE102009021487B4

公开(公告)日：2013-07-04

申请号：DE102009021487

申请日：2009-05-15

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KRONHOLZ STEPHAN ,  BOSCHKE ROMAN ,  PAPAGEORGIOU VASSILIOS ,  WIATR MACIEJ

IPC: H01L21/84 ,  H01L27/12

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, wobei das Verfahren umfasst: Bilden einer Öffnung durch eine vergrabene isolierende Schicht des Halbleiterbauelements, um einen Teil eines kristallinen Materials eines Substrats des Halbleiterbauelements freizulegen; Bilden einer Aussparung in einem Teil des kristallinen Materials durch die Öffnung hindurch, wobei die Aussparung eine größere laterale Abmessung im Vergleich zur Öffnung besitzt; Bilden eines Halbleitermaterials in der Aussparung, wobei zumindest ein Teil des Halbleitermaterials eine Dotierstoffsorte so aufweist, dass ein pn-Übergang mit dem kristallinen Material gebildet wird; und Bilden eines Metallsilizids auf der Grundlage des Halbleitermaterials.

公开(公告)号：DE102010029531A1

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：DE102010029531

申请日：2010-05-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KRONHOLZ STEPHAN ,  JAVORKA PETER ,  WIATR MACIEJ ,  BOSCHKE ROMAN ,  KRUEGER CHRISTIAN

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: In komplexen Halbleiterbauelementen kann die Defektrate, die typischerweise mit dem Vorsehen eines Silizium/Germaniummaterials in dem aktiven Gebiet von p-Kanaltransistoren verknüpft ist, deutlich verringert werden, indem Kohlenstoff vor oder während des selektiven epitaktischen Aufwachsens des Silizium/Germaniummaterials eingebaut wird. In einigen Ausführungsformen wird die Kohlenstoffsorte während des selektiven Aufwachsprozesses eingebaut, während in anderen Fällen ein Ionenimplantationsprozess angewendet wird. In diesem Falle können bessere Verformungsbedingungen auch in n-Kanaltransistoren geschaffen werden.

公开(公告)号：DE102009031114B4

公开(公告)日：2011-07-07

申请号：DE102009031114

申请日：2009-06-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KRONHOLZ STEPHAN ,  BOSCHKE ROMAN ,  PAPAGEORGIOU VASSILIOS ,  WIATR MACIEJ

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/84 ,  H01L27/06 ,  H01L27/12 ,  H01L29/861

Abstract: Der pn-Übergang einer Subtratdiode in einem komplexen Halbleiterbauelement wird auf der Grundlage eines eingebetteten in-situ n-dotierten Halbleitermaterials hergestellt, wodurch bessere Diodeneigenschaften geschaffen werden. Beispielsweise wird ein Silizium/Kohlenstoffhalbleitermaterial in einer Aussparung im Substratmaterial gebildet, wobei die Größe und die Form der Aussparung so gewählt sind, dass eine unerwünschte Wechselwirkung mit Metallsilizidmaterial vermieden wird.

公开(公告)号：DE102010063296A1

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：DE102010063296

申请日：2010-12-16

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： THEES HANS-JUERGEN ,  KRONHOLZ STEPHAN ,  WIATR MACIEJ

IPC: H01L21/8234

Abstract: In komplexen Halbleiterbauelementen wird eine Halbleiterlegierung, etwa ein Schwellwert einstellendes Halbleitermaterial in Form von Silizium/Germanium in einer frühen Fertigungsphase selektiv in gewissen aktiven Gebieten bereitgestellt, wobei ein ausgeprägter Grad an Vertiefung und Materialverlust insbesondere in Isolationsgebieten vermieden wird, indem eine schützende Materialschicht selektiv über den Isolationsgebieten hergestellt wird. Beispielsweise wird in einigen anschaulichen Ausführungsformen ein Siliziummaterial selektiv auf den Isolationsgebieten abgeschieden.

公开(公告)号：DE102010063293B3

公开(公告)日：2012-05-31

申请号：DE102010063293

申请日：2010-12-16

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： SCHEIPER THILO ,  RUTTLOFF KERSTIN ,  WIATR MACIEJ ,  FLACHOWSKY STEFAN

IPC: H01L21/8238

Abstract: In komplexen Halbleiterbauelementen wird die Profilierung der tiefen Drain- und Sourcegebiete individuell für n-Kanaltransistoren und p-Kanaltransistoren erreicht, ohne dass zusätzliche Prozessschritte erforderlich sind, indem ein Opferabstandshalterelement als eine Ätzmaske zum Entfernen einer dielektrischen Deckschicht und als eine Implantationsmaske zum Einbau der Drain- und Sourcedotierstoffe für tiefe Drain- und Sourcebereiche für eine Transistorart verwendet wird. Andererseits wird der übliche Hauptabstandshalter für den Einbau der tiefen Drain- und Sourcegebiete der anderen Transistorart verwendet.

公开(公告)号：DE102009010882B4

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：DE102009010882

申请日：2009-02-27

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KRONHOLZ STEPHAN ,  WIATR MACIEJ ,  KESSLER MATTHIAS

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/306 ,  H01L29/78

Abstract: Verfahren mit Bilden von Aussparungen in einem kristallinen Halbleitergebiet lateral beabstandet zu einer Gateelektrodenstruktur eines Transistors durch Ausführen eines ersten anisotropen Ätzprozesses auf der Grundlage einer Plasmaumgebung, wobei die Aussparungen einen lateralen Abstand entlang einer Längsrichtung zu einem Elektrodenmaterial der Gateelektrodenstruktur besitzen; Vergrößern der Aussparungen entlang der Längsrichtung, so dass diese sich unter das Elektrodenmaterial erstrecken, indem ein zweiter kristallographisch anisotroper Ätzprozess ausgeführt wird; Bilden einer verformungsinduzierenden Halbleiterlegierung in den Aussparungen; und Bilden von Drain- und Sourcegebieten in einem Bereich der verformungsinduzierenden Halbleiterlegierung.

公开(公告)号：DE102009035409A1

公开(公告)日：2011-02-10

申请号：DE102009035409

申请日：2009-07-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KAMMLER THORSTEN ,  WIATR MACIEJ ,  BOSCHKE ROMAN ,  JAVORKA PETER

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/8244 ,  H01L27/11

Abstract: In einer statischen Speicherzelle wird die Fehlerrate bei der Herstellung von Kontaktelementen, die ein aktives Gebiet mit einer Gateelektrodenstruktur verbinden, die über einem Isolationsgebiet hergestellt ist, deutlich verringert, indem eine Implantationssorte an einem Endbereich des aktiven Gebiets durch eine Seitenwand des Isolationsgrabens vor dem Füllen des Grabens mit einem isolierenden Material eingebaut wird. Die Implantationssorte ist eine p-Dotierstoffsorte und/oder eine inerte Sorte, um die Materialeigenschaften des Endbereichs des aktiven Gebiets deutlich zu modifizieren.

公开(公告)号：DE102010029531B4

公开(公告)日：2017-09-07

申请号：DE102010029531

申请日：2010-05-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KRONHOLZ STEPHAN ,  JAVORKA PETER ,  WIATR MACIEJ ,  BOSCHKE ROMAN ,  KRUEGER CHRISTIAN

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: In komplexen Halbleiterbauelementen kann die Defektrate, die typischerweise mit dem Vorsehen eines Silizium/Germaniummaterials in dem aktiven Gebiet von p-Kanaltransistoren verknüpft ist, deutlich verringert werden, indem Kohlenstoff vor oder während des selektiven epitaktischen Aufwachsens des Silizium/Germaniummaterials eingebaut wird. Erfindungsgemäß wird ein Ionenimplantationsprozess angewendet, um die Kohlenstoffsorte einzubringen. Dabei werden auch in n-Kanaltransistoren bessere Verformungsbedingungen geschaffen.

公开(公告)号：DE102009039522B4

公开(公告)日：2015-08-13

申请号：DE102009039522

申请日：2009-08-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： WIATR MACIEJ ,  FORSBERG MARKUS ,  KRONHOLZ STEPHAN ,  BOSCHKE ROMAN

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/336

Abstract: Verfahren mit: Bilden einer Ätzstoppschicht (222B) auf einer Grabenisolationsstruktur (220), die ein aktives Gebiet (202A, 202B) in einer Halbleiterschicht (202) eines Halbleiterbauelements (200) lateral begrenzt; Bilden einer ersten Gateelektrodenstruktur (250A, 250B) auf dem aktiven Gebiet (202A, 202B); Ausführen eines Reinigungsprozesses an dem aktiven Gebiet (202A, 202B), während die Ätzstoppschicht (222B) verwendet wird, um einen Materialabtrag der Grabenisolationsstruktur (220) zu unterdrücken; Bilden einer dielektrischen Schicht eines dielektrischen Zwischenschichtmaterials über dem aktiven Gebiet (202A, 202B), über der ersten Gateelektrodenstruktur (250A, 250B) und über der Grabenisolationsstruktur (220); und Bilden einer Aussparung in dem aktiven Gebiet (202A, 202B) durch Ausführen eines Ätzprozesses und Verwenden einer Deckschicht auf der Ätzstoppschicht (222B) als ein Ätzstoppmaterial.