公开(公告)号：DE102009031110B4

公开(公告)日：2013-06-20

申请号：DE102009031110

申请日：2009-06-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： LENSKI MARKUS ,  RUTTLOFF KERSTIN ,  MAZUR MARTIN ,  SELIGER FRANK ,  OTTERBACH RALF

IPC: H01L21/8238

Abstract: Verfahren mit: Bilden einer ersten Gateelektrodenstruktur (210A) über einem ersten Halbleitergebiet (202A) eines Halbleiterbauelements (200) und einer zweiten Gateelektrodenstruktur (210B) über einem zweiten Halbleitergebiet (202B), wobei die erste und die zweite Gateelektrodenstruktur (210A, 210B) eine Gateisolationsschicht mit einem dielektrischen Material mit großem &egr;, ein Platzhaltermaterial (212) und eine auf dem Platzhaltermaterial (212) gebildete dielektrische Deckschicht (213, 213A, 213B) aufweisen; Bilden einer Abstandshalterschicht (203) über dem ersten und dem zweiten Halbleitergebiet (202A, 202B) und über der ersten und der zweiten Gateelektrodenstruktur (210A, 210B); Bilden eines ersten Versatzabstandshalters (203A) an der ersten Gateelektrodenstruktur (210A) aus der Abstandshalterschicht (203), während die zweite Gateelektrodenstruktur (201B) und das zweite Halbleitergebiet (202B) von der Abstandshalterschicht (203) bedeckt bleiben; Bilden einer verformungsinduzierenden Halbleiterlegierung (204) in dem ersten Halbleitergebiet (202A) zur Induzierung einer Verformung in dem ersten Halbleitergebiet (202A) unter Anwendung des ersten Versatzabstandshalters (203A) zum Einstellen eines lateralen Abstands der verformungsinduzierenden Halbleiterlegierung (204) von der ersten Gateelektrodenstruktur (210A); Bilden einer Hartmaske, um zumindest das erste Halbleitergebiet (202A) und die erste Gateelektrodenstruktur (210A) abzudecken und um zumindest einen Teil der Abstandshalterschicht (203), der über dem zweiten Halbleitergebiet (210B) gebildet ist, freizulegen; und Bilden eines zweiten Versatzabstandshalters (203B) aus der Abstandshalterschicht (203) an der zweiten Gateelektrodenstruktur (210B) unter Anwendung der Hartmaske (220) als eine Ätzmaske; Bilden von Drain- und Sourcegebieten (252) in dem ersten und dem zweiten Halbleitergebiet (202A, 202B) und Ersetzen des Platzhaltermaterials (212) der ersten und der zweiten Gateelektrodenstruktur (210A, 210B) durch ein leitendes Elektrodenmaterial nach dem Bilden der Drain- und Sourcegebiete (252).

公开(公告)号：DE102010040060B4

公开(公告)日：2012-04-12

申请号：DE102010040060

申请日：2010-08-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KRONHOLZ STEPHAN ,  LENSKI MARKUS ,  RUTTLOFF KERSTIN ,  JASCHKE VOLKER

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/316 ,  H01L27/088

Abstract: Ein Siliziumdioxidmaterial wird in komplexen Halbleiterbauelementen in Form einer Doppelbeschichtung bereitgestellt, die ein nicht-dotiertes Siliziumdioxidmaterial in Verbindung mit einem Siliziumdioxid mit hoch-dichtem Plasma aufweist, wodurch die Abhängigkeit von der Strukturmusterdichte verringert wird. In einigen anschaulichen Ausführungsformen wird die Siliziumdioxiddoppelbeschichtung als ein Abstandshaltermaterial und als ein Hartmaskenmaterial in Prozessstrategien verwendet, um ein verformungsinduzierendes Halbleitermaterial einzubauen.

公开(公告)号：DE102009031110A1

公开(公告)日：2011-01-13

申请号：DE102009031110

申请日：2009-06-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： LENSKI MARKUS ,  RUTTLOFF KERSTIN ,  MAZUR MARTIN ,  SELIGER FRANK ,  OTTERBACH RALF

IPC: H01L21/8238

Abstract: Bei der Herstellung von Transistoren auf der Grundlage komplexer Metallgatestrukturen mit großem ε wird die Effizienz eines Austauschgateverfahrens verbessert, indem die Gatehöhe von Transistoren unterschiedlicher Leitfähigkeitsart effizienter eingestellt wird, wenn dielektrische Deckschichten der Transistoren einen unterschiedlichen Prozessverlauf erleiden und daher eine nachfolgende Anpassung der endgültigen Deckschichtdicke in einer Art der Transistoren erfordern. Zu diesem Zweck wird ein Hartmaskenmaterial während einer Prozesssequenz zur Herstellung von Versatzabstandshaltern in einer Gateelektrodenstruktur verwendet, während die andere Gateelektrodenstruktur abgedeckt wird.

公开(公告)号：DE102009021490B4

公开(公告)日：2013-04-04

申请号：DE102009021490

申请日：2009-05-15

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： LENSKI MARKUS ,  RUTTLOFF KERSTIN ,  JASCHKE VOLKER ,  SELIGER FRANK

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/283 ,  H01L27/088

Abstract: In komplexen Halbleiterbauelementen werden Abstandshalterelemente auf der Grundlage einer Mehrschrittabscheidetechnik hergestellt, wobei ein gewisser Grad an Variabilität in den diversen Teilschichten der Abstandshaltermaterialien hinsichtlich einer unterschiedliche Dicke in verschiedenen Bereichen einer Teilschicht angewendet wird, um die Ätzbedingungen während des nachfolgenden anisotropen Ätzprozesses zu verbessern. Daher führen die Abstandshalterelemente mit der besseren Form zu günstigeren Abscheidebedingungen, wenn ein verspannungsinduzierendes dielektrisches Material verwendet wird. Folglich können Ausbeuteverluste auf Grund von Kontaktausfällen in dicht gepackten Bauteilbereichen, etwa statischen RAM-Bereichen, verringert werden.

公开(公告)号：DE102010063293B3

公开(公告)日：2012-05-31

申请号：DE102010063293

申请日：2010-12-16

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： SCHEIPER THILO ,  RUTTLOFF KERSTIN ,  WIATR MACIEJ ,  FLACHOWSKY STEFAN

IPC: H01L21/8238

Abstract: In komplexen Halbleiterbauelementen wird die Profilierung der tiefen Drain- und Sourcegebiete individuell für n-Kanaltransistoren und p-Kanaltransistoren erreicht, ohne dass zusätzliche Prozessschritte erforderlich sind, indem ein Opferabstandshalterelement als eine Ätzmaske zum Entfernen einer dielektrischen Deckschicht und als eine Implantationsmaske zum Einbau der Drain- und Sourcedotierstoffe für tiefe Drain- und Sourcebereiche für eine Transistorart verwendet wird. Andererseits wird der übliche Hauptabstandshalter für den Einbau der tiefen Drain- und Sourcegebiete der anderen Transistorart verwendet.

公开(公告)号：DE102010040060A1

公开(公告)日：2012-03-01

申请号：DE102010040060

申请日：2010-08-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KRONHOLZ STEPHAN ,  LENSKI MARKUS ,  RUTTLOFF KERSTIN ,  JASCHKE VOLKER

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/316 ,  H01L27/088

Abstract: Ein Siliziumdioxidmaterial wird in komplexen Halbleiterbauelementen in Form einer Doppelbeschichtung bereitgestellt, die ein nicht-dotiertes Siliziumdioxidmaterial in Verbindung mit einem Siliziumdioxid mit hoch-dichtem Plasma aufweist, wodurch die Abhängigkeit von der Strukturmusterdichte verringert wird. In einigen anschaulichen Ausführungsformen wird die Siliziumdioxiddoppelbeschichtung als ein Abstandshaltermaterial und als ein Hartmaskenmaterial in Prozessstrategien verwendet, um ein verformungsinduzierendes Halbleitermaterial einzubauen.

公开(公告)号：DE102010001400B4

公开(公告)日：2019-12-05

申请号：DE102010001400

申请日：2010-01-29

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： HEINRICH JENS ,  FROHBERG KAI ,  MUELLER SVEN ,  RUTTLOFF KERSTIN

IPC: H01L21/84

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines SOl-Halbleiterbauelements (200), wobei das Verfahren umfasst:Freilegen eines Bereichs (210a) eines kristallinen Substratmaterials (202) des SOI-Halbleiterbauelements (200);Bilden mehrerer Schaltungselemente (250) in dem freigelegten Bereich (210a) des kristallinen Substratmaterials (202);Bilden eines Transistors (260) in einer Halbleiterschicht (204) des SOI-Halbleiterbauelements (200), wobei die Halbleiterschicht (204) über dem kristallinen Substratmaterial (202) und einer vergrabenen, isolierenden Schicht (203) ausgebildet ist;Bilden eines dielektrischen Materials (222) über den mehreren Schaltungselementen (250) und dem Transistor (260);Bilden eines Einebnungsmaterials (205) über dem dielektrischen Material (222);Einebnen des dielektrischen Materials (222) durch Aussetzen des SOI-Halbleiterbauelements (200) an eine Ätzumgebung, die das Einebnungsmaterial und einen überschüssigen Bereich des dielektrischen Materials (222) entfernt; undBilden von Kontaktelementen (223a) in dem eingeebneten dielektrischen Material (222), so dass eine Verbindung zu dem Transistor (260) und den mehreren Schaltungselementen (250) hergestellt wird.

公开(公告)号：DE102010001398B4

公开(公告)日：2018-05-30

申请号：DE102010001398

申请日：2010-01-29

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： HEINRICH JENS ,  FROHBERG KAI ,  RUTTLOFF KERSTIN

IPC: H01L27/06 ,  H01L27/12 ,  H01L29/861

Abstract: Halbleiterbauelement mit:mehreren Substratdioden (250), die in und über einem kristallinen Substratmaterial (202) in einem ersten Bauteilbereich (210a) ausgebildet sind, wobei jede der mehreren Substratdioden (250) eine erste Diodenelektrode (253) und eine zweite Diodenelektrode (252) aufweist;einem Transistor (260), der in und über einer Halbleiterschicht (204) ausgebildet ist, die in einem zweiten Bauteilbereich (210b) vorgesehen ist, wobei die Halbleiterschicht (204) auf einer vergrabenen isolierenden Schicht (203) ausgebildet ist;einer über dem Transistor (260) und den mehreren Substratdioden (250) gebildeten Kontaktebene (220) mit einem Höhenniveau, das in dem ersten Bauteilbereich geringer ist als das Höhenniveau in dem zweiten Bauteilbereich, und die ein dielektrisches Material (221, 222) und mehrere Kontaktelemente (223a, 223t) aufweist, wovon jedes einer ersten Teilmenge (223a) der mehreren Kontaktelemente eine Verbindung zu einer entsprechenden der ersten Diodenelektroden (253) herstellt, wobei zumindest ein zweites (223t) der mehreren Kontaktelemente eine Verbindung zu jeder zweiten Diodenelektrode (252) der mehreren Substratdioden (250) herstellt;einer Metallisierungsschicht (230), die über der Kontaktebene (220) ausgebildet ist, und mehrere Metallleitungen (233a, 233t) in einem dielektrischen Material (231) derart aufweist, dass diese zu den mehreren Kontaktelementen (223a, 223t) eine Verbindung herstellen,wobei das mindestens eine zweite (223t) der mehreren Kontaktelemente eine Verbindung zu einer der mehreren Metallleitungen (233t) außerhalb des ersten Bauteilbereichs (210a) herstellt.

公开(公告)号：DE102008021563B4

公开(公告)日：2012-05-31

申请号：DE102008021563

申请日：2008-04-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： HORSTMANN MANFRED ,  JAVORKA PETER ,  WIECZOREK KARSTEN ,  RUTTLOFF KERSTIN

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines CMOS-Bauelements, wobei das Verfahren umfasst: Bilden eines Gateelektrodenmaterials auf einer Gateisolationsschicht; Bilden eines p-dotierten Gebiets in dem Gateelektrodenmaterial; Bilden eines n-dotierten Gebiets in dem Gateelektrodenmaterial; wobei das Bilden des p-dotierten Gebiets ein Bilden einer ersten Maske und ein Ausführen eines ersten geneigten Implantationsprozesses umfasst, wobei die erste Maske das Eindringen eines p-Dotiermittels in ein Übergangsgebiet zwischen dem n-dotierten Gebiet und dem p-dotierten Gebiet verringert; und wobei das Bilden des n-dotierten Gebiets ein Bilden einer zweiten Maske und ein Ausführen eines zweiten geneigten Implantationsprozesses umfasst, wobei die zweite Maske das Eindringen eines n-Dotiermittels in das Übergangsgebiet verringert; Bilden einer ersten Gateelektrode aus dem n-dotierten Gebiet; Bilden einer zweiten Gateelektrode aus dem p-dotierten Gebiet; und Ausführen eines nasschemischen Reinigungsprozesses an der ersten und der zweiten Gateelektrode.

公开(公告)号：DE102010001400A1

公开(公告)日：2011-08-04

申请号：DE102010001400

申请日：2010-01-29

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： HEINRICH JENS ,  FROHBERG KAI ,  MUELLER SVEN ,  RUTTLOFF KERSTIN

IPC: H01L21/84

Abstract: In komplexen SOI-Bauelementen werden Schaltungselemente, etwa Substratdioden, in dem kristallinen Substratmaterial auf der Grundlage eines Substratfensters hergestellt, wobei die ausgeprägte Oberflächentopographie kompensiert oder zumindest reduziert wird, indem zusätzliche Einebnungsprozesse ausgeführt, etwa das Abscheiden eines Einebnungsmaterials und ein nachfolgender Ätzprozess, wenn die Kontaktebene des Halbleiterbauelements hergestellt wird.