公开(公告)号：DE102006025408B4

公开(公告)日：2011-05-05

申请号：DE102006025408

申请日：2006-05-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： PRESS PATRICK ,  FEUDEL THOMAS ,  BLOOMQUIST JOE ,  HORSTMANN MANFRED

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324

公开(公告)号：DE102007020258B4

公开(公告)日：2018-06-28

申请号：DE102007020258

申请日：2007-04-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： GERHARDT MARTIN ,  RICHTER RALF ,  FEUDEL THOMAS ,  GRIEBENOW UWE

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/283 ,  H01L27/092 ,  H01L29/417

Abstract: Halbleiterbauelement (200) mit:einem ersten Transistor (210, 210A) mit einem Draingebiet und einem Sourcegebiet;mehreren Drainkontakten (232), die mit dem Draingebiet in Verbindung stehen, wobei jeder der mehreren Drainkontakte (232) eine erste laterale Sollabmessung (l) aufweist; undmehreren Sourcekontakten (231), die mit dem Sourcegebiet in Verbindung stehen, wobei jeder der mehreren Sourcekontakte (231) eine zweite laterale Sollabmessung (L) aufweist und wobei sich die erste laterale Sollabmessung (l) von der zweiten lateralen Sollabmessung (L) unterscheidet und wobei die Anzahl an Drainkontakten (232) kleiner als die Anzahl an Sourcekontakten (231) ist; undeinem Zwischenschichtdielektrikumsmaterial (220), das den ersten Transistor (210, 210A) und die mehreren Drainkontakte (232) und die mehreren Sourcekontakte (231) umgibt, wobei das Zwischenschichtdielektrikumsmaterial (220) eine innere Verspannung aufweist, um eine spezielle Verformung in einem Kanalgebiet des ersten Transistors (210, 210A) hervorzurufen.

公开(公告)号：DE102010028464A1

公开(公告)日：2011-11-03

申请号：DE102010028464

申请日：2010-04-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KRONHOLZ STEPHAN ,  KESSLER MATTHIAS ,  FEUDEL THOMAS

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/762

Abstract: Eine Verringerung des Materialverlust von Grabenisolationsstrukturen vor dem Herstellen einer verformungsinduzierenden Halbleiterlegierung in den Transistoren kann zu einer besseren Bauteilgleichmäßigkeit etwa im Hinblick auf den Durchlassstrom und die Schwellwertspannung führen. So wird mindestens ein Prozess unter Anwendung wässriger Flusssäure bei der Herstellung der flachen Grabenisolationen weggelassen, wobei gleichzeitig ein hoher Grad an Kompatibilität zu konventionellen Prozessstrategien bewahrt wird.

公开(公告)号：DE102010028464B4

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：DE102010028464

申请日：2010-04-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KRONHOLZ STEPHAN ,  KESSLER MATTHIAS ,  FEUDEL THOMAS

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/762

Abstract: Verfahren mit: Bilden eines Isolationsgrabens in einer Halbleiterschicht eines Halbleiterbauelements unter Anwendung einer Hartmaske, die eine erste Maskenschicht und eine zweite Maskenschicht aufweist; Bilden eines flachen Grabenisolationsgebiets zum Abgrenzen eines aktiven Gebiets in der Halbleiterschicht durch Fällen des Isolationsgrabens mit einem dielektrischen Material und durch Entfernen eines überschüssigen Anteils des dielektrischen Materials durch Ausführen eines Abtragungsprozesses unter Anwendung der zweiten Maskenschicht als eine Stoppschicht; Entfernen der zweiten Maskenschicht derart, dass die erste Maskenschicht freigelegt wird; Ausführen mindestens eines Wannenimplantationsprozesses in Anwesenheit der ersten Maskenschicht; Bilden einer Gateelektrodenstruktur auf dem aktiven Gebiet nach dem Entfernen der ersten Maskenschicht; und Bilden einer verformungsinduzierenden Halbleiterlegierung in einem Teil des aktiven Gebiets.