公开(公告)号：DE102010028463B4

公开(公告)日：2014-04-17

申请号：DE102010028463

申请日：2010-04-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： CHUMAKOV DMYTRO ,  GRIMM VOLKER

IPC: H01L29/45 ,  H01L21/283 ,  H01L21/768

Abstract: Verfahren mit. Bilden einer Öffnung in einem dielektrischen Materialsystem, das über einem Substrat eines Halbleiterbauelements ausgebildet ist, wobei das dielektrische Materialsystem mindestens eine erste dielektrische Schicht und eine zweite dielektrische Schicht aufweist; Bilden einer ersten leitenden Barrierenschicht an inneren Seitenwandoberflächenbereichen in der Öffnung; Bilden eines Grabens in dem dielektrischen Materialsystem derart, dass der Graben einen oberen Bereich der Öffnung umfasst; Bilden einer zweiten leitenden Barrierenschicht über den inneren Seitenwandoberflächenbereichen in der Öffnung und in dem Graben; Vergrößern einer Tiefe der Öffnung in Anwesenheit der ersten und zweiten leitenden Barrierenschicht derart, dass diese sich durch das dielektrische Materialsystem erstreckt; und Füllen der Öffnung und des Grabens mit einem leitenden Material.

公开(公告)号：DE102011090166B3

公开(公告)日：2013-04-04

申请号：DE102011090166

申请日：2011-12-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： NAUMANN RONALD ,  GRIMM VOLKER ,  ZAKHAROV ANDREY

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/027 ,  H01L21/306

Abstract: Bei der Herstellung von verformungsinduzierenden dielektrischen Materialschichten über Transistoren unterschiedlicher Leitfähigkeitsart wird die Strukturierung mindestens einer verformungsinduzierenden dielektrischen Materialschicht auf der Grundlage einer Prozesssequenz bewerkstelligt, in der ein negativer Einfluss einer Fluorsorte in einem Sauerstoffplasma beim Entfernen der Lackmaske vermieden oder deutlich unterdrückt wird. Beispielsweise wird ein im Wesentlichen sauerstofffreier Plasmaprozess zum Entfernen des Lackmaterials angewendet.

公开(公告)号：DE102007057688B4

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：DE102007057688

申请日：2007-11-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： RICHTER RALF ,  KAMMLER THORSTEN ,  SALZ HEIKE ,  GRIMM VOLKER

IPC: H01L21/8238

Abstract: Verfahren mit: konformes Abscheiden einer ersten verspannungsinduzierenden dielektrischen Schicht (230) über mehreren ersten Gateelektrodenstrukturen (221) und mehreren zweiten Gateelektrodenstrukturen (221) eines Halbleiterbauelements (200), wobei die ersten und zweiten Gateelektrodenstrukturen (221) zumindest teilweise über einer Halbleiterschicht ausgebildet sind; Bilden einer Ätzsteuerschicht (231) auf der ersten verspannungsinduzierenden Schicht (230) derart, dass eine spezifizierte Füllhöhe der ersten verspannungsinduzierenden Schicht (230) und der Ätzsteuerschicht (231) in einem Raumbereich zwischen zwei benachbarten Gateelektrodenstrukturen (221) erreicht wird, wobei die spezifizierte Füllhöhe mindestens der Hälfte einer Höhe der mehreren ersten und zweiten Gateelektrodenstrukturen (221) entspricht; selektives Entfernen der Ätzsteuerschicht (231) und der ersten verspannungsinduzierenden Schicht (230) von den mehreren zweiten Gateelektrodenstrukturen (221); Abscheiden einer zweiten verspannungsinduzierenden dielektrischen Schicht (240) über der Ätzsteuerschicht (231) und der ersten verspannungsinduzierenden Schicht (230) und den mehreren zweiten Gateelektrodenstrukturen (221); und selektives Entfernen der zweiten verspannungsinduzierenden Schicht (240) von der ersten verspannungsinduzierenden Schicht (230) durch Ausführen eines...

公开(公告)号：DE102010028463A1

公开(公告)日：2011-11-03

申请号：DE102010028463

申请日：2010-04-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： CHUMAKOV DMYTRO ,  GRIMM VOLKER

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/768 ,  H01L29/45

Abstract: Es wird eine effiziente Strukturierungsstrategie angewendet, wenn durch ein dielektrisches Materialsystem auf der Grundlage zweier unterschiedlicher Ätzchemien geätzt wird. Dazu wird ein leitendes Ätzstoppmaterial oder Barrierenmaterial in der Öffnung vor dem Ätzen durch die weitere dielektrische Schicht des Materialsystems hergestellt, wodurch die anfängliche kritische Abmessung im Wesentlichen beibehalten wird und eine Ätzschädigung im Wesentlichen vermieden wird. Somit können bessere Kontaktöffnungen, Kontaktdurchführungen und dergleichen auf der Grundlage gut etablierter Ätzchemien hergestellt werden.