公开(公告)号：DE102014223911A1

公开(公告)日：2015-07-30

申请号：DE102014223911

申请日：2014-11-25

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： FRONHEISER JODY A ,  KRISHNAN BHARAT V ,  AKARVARDAR MURAT KEREM ,  BENTLEY STEVEN ,  JACOB AJEY POOVANNUMMOOTTIL ,  LIU JINPING

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/04

Abstract: Eine hierin offenbarte anschauliche Vorrichtung umfasst einen Fin, der in einem Halbleitersubstrat mit einer Kristallstruktur festgelegt ist, wobei wenigstens eine Seitenwand des Fins in einer im Wesentlichen -Kristallrichtung des Substrats angeordnet ist, eine Gatestruktur, die um den Fin angeordnet ist, einen äußersten Seitenwandabstandshalter, der an gegenüberliegenden Seiten der Gatestruktur angeordnet ist, und ein Epi-Halbleitermaterial, das um Bereiche des Fins gebildet ist, die seitlich außerhalb des äußersten Seitenwandabstandshalters in den Source-/Drainbereichen der Vorrichtung angeordnet sind, wobei das Epi-Halbleitermaterial entlang der Seitenwände des Fins eine im Wesentlichen gleichförmige Dicke aufweist.

公开(公告)号：SG10201405538XA

公开(公告)日：2015-06-29

申请号：SG10201405538X

申请日：2014-09-08

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： XIE RUILONG ,  JACOB AJEY POOVANNUMMOOTTIL ,  XIE RUILONG ,  JACOB AJEY POOVANNUMMOOTTIL

Abstract: One method disclosed includes, among other things, removing a sacrificial gate structure to thereby define a replacement gate cavity, performing an etching process through the replacement gate cavity to define a fin structure in a layer of semiconductor material using a patterned hard mask exposed within the replacement gate cavity as an etch mask and forming a replacement gate structure in the replacement gate cavity around at least a portion of the fin structure.

公开(公告)号：DE102014222562B4

公开(公告)日：2016-10-27

申请号：DE102014222562

申请日：2014-11-05

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： XIE RUILONG ,  JACOB AJEY POOVANNUMMOOTTIL

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78

Abstract: Verfahren zum Bilden einer FinFET-Vorrichtung, umfassend ein: Bilden einer strukturierten Hartmaske über einer Schicht aus Halbleitermaterial, wobei die strukturierte Hartmaske eine Struktur gemäß einer Finstruktur aufweist, die in der Schicht aus Halbleitermaterial zu bilden ist; Bilden einer Opfergatestruktur über der strukturierten Hartmaske und der Schicht aus Halbleitermaterial; Bilden eines ersten Seitenwandabstandshalters neben der Opfergatestruktur nach dem Bilden der Opfergatestruktur; Bilden einer Schicht aus isolierendem Material neben dem ersten Seitenwandabstandshalter; Durchführen von wenigstens einem ersten Ätzprozess zum Entfernen des ersten Seitenwandabstandshalters und dadurch Festlegen einer Abstandshalterausnehmung zwischen der Schicht aus isolierendem Material und der Opfergatestruktur; im Wesentlichen Füllen von wenigstens der Abstandshalterausnehmung mit einem isolierenden Material zum Festlegen von wenigstens zweiten Seitenwandabstandshaltern in der Abstandshalterausnehmung; Durchführen von wenigstens einem zweiten Ätzprozess zum Entfernen der Opfergatestruktur und dadurch zum Festlegen einer Austauschgateausnehmung, die zwischen den zweiten Abstandshaltern angeordnet ist; Durchführen von wenigstens einem Ätzprozess durch die Austauschgateausnehmung zum Festlegen der Finstruktur in der Schicht aus Halbleitermaterial unter Verwendung der strukturierten Hartmaske, die innerhalb der Austauschgateausnehmung freiliegt, als einer Ätzmaske; und Bilden einer Austauschgatestruktur in der Austauschgateausnehmung um wenigstens einen Bereich der Finstruktur herum.

公开(公告)号：DE102014222562A1

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：DE102014222562

申请日：2014-11-05

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： XIE RUILONG ,  JACOB AJEY POOVANNUMMOOTTIL

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78

Abstract: Ein offenbartes Verfahren umfasst unter anderem ein Entfernen einer Opfergatestruktur, um dadurch eine Austauschgateausnehmung festzulegen, ein Durchführen eines Ätzprozesses durch die Austauschgatestruktur zum Festlegen einer Finstruktur in einer Schicht aus Halbleitermaterial unter Verwendung einer strukturierten Hartmaske, die innerhalb der Austauschgateausnehmung als eine Ätzmaske freiliegt, und ein Bilden einer Austauschgatestruktur in der Austauschgateausnehmung um wenigstens einen Bereich der Finstruktur herum.