公开(公告)号：DE102018207344A1

公开(公告)日：2019-03-21

申请号：DE102018207344

申请日：2018-05-11

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： XIE RUILONG ,  LIEBMANN LARS ,  ZANG HUI ,  BENTLEY STEVEN

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Bilden einer integrierten Schaltung (IC) beschrieben, das mehrere vertikale Feldeffekttransistoren (VFETs) umfasst (z. B. in einer VFET-Anordnung). In dem Verfahren werden selbstausgerichtete Gates für jedes Paar von VFETs und eine selbstausgerichtete Gateerweiterung zum Kontaktieren dieser selbstausgerichteten Gates im Wesentlichen gleichzeitig gebildet, sodass sich die Gates um ein Paar von Halbleiterfinnen wickeln, die sich in einer Ausrichtung befinden, in der sie Ende an Ende ausgerichtet sind, und sodass die Gateerweiterung den Raum zwischen benachbarten Enden dieser Halbleiterfinnen füllt. Durch Bildung von selbstausgerichteten Gates und einer selbstausgerichteten Gateerweiterung für ein Paar von VFETs vermeidet das Verfahren den Bedarf an einer lithografischen Strukturierung von Erweiterungsschnittisolationsbereichen zwischen benachbarten Paaren von VFETs in einer VFET-Anordnung. Demzufolge ermöglicht das Verfahren eine Umsetzung von VFET-Anordnungsdesigns mit einem verringerten Finnenabstand, ohne Defekte zu erzeugen, die z. B. durch Überlagerungsfehler hervorgerufen werden. Hierin wird auch ein IC beschrieben, der gemäß dem Verfahren gebildet wird.

公开(公告)号：DE102019201057A1

公开(公告)日：2019-08-22

申请号：DE102019201057

申请日：2019-01-29

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： ZHUANG LEI L ,  PRANATHARTIHARAN BALASUBRAMANIAN ,  LIEBMANN LARS ,  XIE RUILONG ,  HOOK TERENCE

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78

Abstract: In einem selbstausgerichteten Finnen-Schnittprozess zum Herstellen von integrierten Schaltungen wird ein Opfergate oder ein epitaktisch gebildeter Source/Drain-Bereich als eine Ätzmaske in Verbindung mit einem Finnen-Schnitt-Ätzschritt verwendet, um unerwünschte Abschnitte der Finnen zu entfernen. Der Prozess eliminiert eine Verwendung einer lithografisch definierten Ätzmaske zum Schneiden der Finnen, was eine präzise und genaue Ausrichtung des Finnen-Schnitts ermöglicht.