公开(公告)号：DE102020200721A1

公开(公告)日：2020-08-27

申请号：DE102020200721

申请日：2020-01-22

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： NOWAK EDWARD J ,  ADUSUMILLI SIVA P ,  XIE RUILONG ,  FROUGIER JULIEN

IPC: G06N3/063

Abstract: Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung stellen eine neuromorphe Schaltungsstruktur bereit, umfassend: einen ersten sich vertikal erstreckenden neuronalen Knoten, der konfiguriert ist, um ein Ausgangssignal basierend auf mindestens einer Eingabe zu dem ersten sich vertikal erstreckenden neuronalen Knoten zu erzeugen; einen Verbindungsstapel neben dem sich vertikal erstreckenden neuronalen Knoten, wobei der Verbindungsstapel eine erste Leiterbahn, die mit dem ersten sich vertikal erstreckenden neuronalen Knoten gekoppelt und konfiguriert ist, um das Ausgangssignal zu empfangen, eine zweite Leiterbahn, die vertikal von der ersten Leiterbahn getrennt ist, und eine Speicher-Via umfasst, die die erste Leiterbahn mit der zweiten Leiterbahn vertikal koppelt; und einen zweiten sich vertikal erstreckenden neuronalen Knoten neben dem Verbindungsstapel, wobei der zweite sich vertikal erstreckende neuronale Knoten mit der zweiten Leiterbahn gekoppelt ist, um das Ausgangssignals von dem ersten sich vertikal erstreckenden neuronalen Knoten zu empfangen.

公开(公告)号：DE112011103549B4

公开(公告)日：2016-10-20

申请号：DE112011103549

申请日：2011-09-06

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： ANDERSON BRENT A ,  NOWAK EDWARD J

IPC: H01L29/66 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur, aufweisend: Bilden mindestens eines Dorns (14) auf einer Siliciumschicht (10c) eines Substrats, welches eine darunter liegende Isolatorschicht (10b) aufweist; Ätzen der Siliciumschicht, um mindestens eine Siliciuminsel (18') unter dem mindestens einen Dorn (14) zu bilden; Ionenimplantation (5) in Seitenwände der mindestens einen Siliciuminsel (18'), um dotierte Zonen (20) auf den Seitenwänden zu bilden; Anwachsen von epitaxialem Material (22) auf den dotierten Seitenwandzonen (20); Bilden einer Dielektrikumsschicht (26) auf dem Substrat, von welcher eine obere Fläche so planarisiert wird, dass sie mit einer oberen Fläche des mindestens einen Dorns (14) coplanar ist; Entfernen des mindestens einen Dorns (14), um eine Öffnung (28) in der Dielektrikumsschicht (26) zu bilden; und Ätzen der mindestens einen Siliciuminsel (18'), um mindestens eine diskrete Finnenstruktur (30) zu bilden, welche dotierte Source- und Drain-Zonen aufweist.