公开(公告)号：DE102020201378A1

公开(公告)日：2020-09-10

申请号：DE102020201378

申请日：2020-02-05

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： MANN RANDY W ,  PAUL BIPUL C ,  FROUGIER JULIEN ,  XIE RUILONG

IPC: H01L27/11 ,  G11C11/41 ,  H01L21/8244 ,  H01L27/092

Abstract: Strukturen und statische RAM-Bitzellen, einschließlich komplementärer Feldeffekttransistoren, und Verfahren zum Bilden solcher Strukturen und Bitzellen. Ein erster komplementärer Feldeffekttransistor weist einen ersten Nanosheet-Speichertransistor, einen zweiten Nanosheet-Speichertransistor, der über den ersten Nanosheet-Speichertransistor gestapelt ist, und eine erste Gate-Elektrode auf, die von dem ersten Nanosheet-Speichertransistor und dem zweiten Nanosheet-Speichertransistor gemeinsam genutzt wird. Ein zweiter komplementärer Feldeffekttransistor weist einen dritten Nanosheet-Speichertransistor, einen vierten Nanosheet-Speichertransistor, der über den dritten Nanosheet-Speichertransistor gestapelt ist, und eine zweite Gate-Elektrode auf, die sich der dritte Nanosheet-Speichertransistor und der vierte Nanosheet-Speichertransistor teilen. Die erste Gate-Elektrode und die zweite Gate-Elektrode sind in einer beabstandeten Anordnung entlang einer Längsachse angeordnet. Alle Gate-Elektroden der SRAM-Bitzelle können in einem 1CPP-Layout angeordnet sein.

公开(公告)号：DE102018206813B4

公开(公告)日：2020-03-05

申请号：DE102018206813

申请日：2018-05-03

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： JAISWAL AKHILESH ,  JACOB AJEY P ,  PAUL BIPUL C ,  TAYLOR WILLIAM ,  SHUM DANNY PAK-CHUM

IPC: G11C11/16 ,  H01L27/22

Abstract: Magnetoresistive Speicher (MRM) -Struktur, umfassend:eine Sourceleitung;einen ersten Transistor mit einem Sourcegebiet und einem Draingebiet, wobei die Sourceleitung mit dem Sourcegebiet des ersten Transistors elektrisch verbunden ist;einen magnetischen Tunnelkontakt (MTJ) als Bezug, der zu dem ersten Transistor elektrisch in Reihe geschaltet ist, wobei der Bezugs-MTJ mit dem Draingebiet des ersten Transistors elektrisch verbunden ist;eine MRM-Zelle, die einen MRM-Transistor umfasst, der zu einem MRM-MTJ elektrisch in Reihe geschaltet ist, wobei der MRM-Transistor mit dem Bezugs-MTJ elektrisch verbunden ist, so dass die MRM-Zelle zu dem ersten Transistor und dem Bezugs-MTJ elektrisch in Reihe geschaltet ist;einen Spannungsverstärker, der mit einem Mittelpunktknoten des ersten Transistors und des MRM-Transistors elektrisch verbunden ist;einen Erfassungsverstärker, der mit dem Spannungsverstärker elektrisch verbunden ist; undeine Bitleitung, die mit dem MRM-MTJ der MRM-Zelle elektrisch verbunden ist.

公开(公告)号：DE102020205411A1

公开(公告)日：2020-12-17

申请号：DE102020205411

申请日：2020-04-29

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： PAUL BIPUL C ,  FROUGIER JULIEN ,  XIE RUILONG

IPC: H01L27/11 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8244 ,  H01L27/092

Abstract: Strukturen und statische RAM-Bitzellen, einschließlich komplementärer Feldeffekttransistoren und Verfahren zur Bildung solcher Strukturen und Bitzellen. Eine vergrabene Querverbindung ist in vertikaler Richtung unter einem ersten Feldeffekttransistor und einem zweiten Feldeffekttransistor angeordnet. Die vergrabene Querverbindung ist mit einer Gateelektrode des ersten Feldeffekttransistors gekoppelt, und die vergrabene Querverbindung ist auch mit einem Source/Drain-Bereich des zweiten Feldeffekttransistors gekoppelt.

公开(公告)号：DE102018206813A1

公开(公告)日：2019-08-08

申请号：DE102018206813

申请日：2018-05-03

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： JAISWAL AKHILESH ,  JACOB AJEY P ,  PAUL BIPUL C ,  TAYLOR WILLIAM ,  SHUM DANNY PAK-CHUM

IPC: G11C11/16 ,  H01L27/22

Abstract: Eine magnetoresistive Speicher (MRM) -Struktur umfasst eine Sourceleitung und einen ersten Transistor, der ein Sourcegebiet und ein Draingebiet umfasst. Die Sourceleitung ist mit dem Sourcegebiet des ersten Transistors elektrisch verbunden. Die MRM-Struktur umfasst ferner eine MRM-Zelle, die einen MRM-Transistor umfasst, der mit einem magnetischen Tunnelkontakt (MTJ) des MRM elektrisch in Reihe geschaltet ist. Der MRM-Transistor ist mit dem Draingebiet des ersten Transistors elektrisch verbunden, so dass die MRM-Zelle mit dem ersten Transistor elektrisch in Reihe geschaltet ist. Weiterhin umfasst die MRM-Struktur ferner einen Spannungsverstärker, der mit einem Mittelpunktknoten des ersten Transistors und des MRM-Transistors elektrisch verbunden ist, einen Erfassungsverstärker, der mit dem Spannungsverstärker elektrisch verbunden ist, und eine Bitleitung, die mit dem MRM-MTJ der MRM-Zelle elektrisch verbunden ist.

公开(公告)号：DE102019200120A1

公开(公告)日：2019-07-11

申请号：DE102019200120

申请日：2019-01-08

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： PAUL BIPUL C ,  XIE RUILONG ,  SUVARNA PUNEET HARISCHANDRA

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8238 ,  H01L23/52 ,  H01L27/11

Abstract: Strukturen und Schaltungen mit mehreren Nanosheet-Transistoren und Verfahren zum Bilden solcher Strukturen und Schaltungen. Ein komplementärer Feldeffekttransistor umfasst einen ersten Nanosheet-Transistor mit einem Source/Drain-Bereich und einen zweiten Nanosheet-Transistor mit einem Source/Drain-Bereich, der über dem Source/Drain-Bereich des ersten Nanosheet-Transistors gestapelt ist. Ein Kontakt erstreckt sich vertikal zur Verbindung des Source/Drain-Bereichs des ersten Nanosheet-Transistors des komplementären Feldeffekttransistors und dem Source/Drain-Bereich des zweiten Nanosheet-Transistors des komplementären Feldeffekttransistors.