公开(公告)号：DE102006001254B4

公开(公告)日：2015-03-19

申请号：DE102006001254

申请日：2006-01-10

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： JUNGNICKEL GOTTHARD ,  PLATZ ALEXANDER ,  KUECHENMEISTER FRANK

IPC: H01L21/60 ,  B23H3/00 ,  H05K3/34

Abstract: Verfahren mit: Bilden mehrerer blei- und zinnenthaltender Lothöcker über einem Substrat; Bilden von Lotkugeln durch Wiederverflüssigen der mehreren Lothöcker in einer inerten Umgebung mit Wasserstoff oder einer Wasserstoff/Stickstoff-Mischung durch Erwärmen der Lothöcker über eine Schmelztemperatur der Lothöcker; und Abkühlen des Substrates mit den wiederverflüssigten Lothöckern, wobei die Lotkugeln einer Einwirkung von Umgebungsluft ausgesetzt werden, wenn eine Temperatur des Substrats einen Wert unterschreitet, der zwischen 190 Grad C und 250 Grad C liegt.

公开(公告)号：DE102012219330A1

公开(公告)日：2013-04-25

申请号：DE102012219330

申请日：2012-10-23

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KUECHENMEISTER FRANK ,  LEHMANN LOTHAR ,  PLATZ ALEXANDER ,  JUNGNICKEL GOTTHARD ,  KOSGALWIES SVEN

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/283 ,  H01L21/58 ,  H01L23/50

Abstract: Ein hierin offenbartes beispielhaftes Verfahren umfasst ein Bilden eines leitenden Pads in einer Schicht aus isolierendem Material, ein Bilden einer Passivierungsschicht über dem leitenden Pad, ein Durchführen von wenigstens einem Ätzprozess auf der Passivierungsschicht, um eine Öffnung in der Passivierungsschicht festzulegen, die wenigstens einen Bereich des leitenden Pads freilegt, ein Bilden einer Schutzschicht auf der Passivierungsschicht, in der Öffnung und auf dem freiliegenden Bereich des leitenden Pads, ein Bilden einer durch Wärme ausheilbaren Materialschicht über der Schutzschicht, ein Durchführen eines Ätzprozesses, um eine strukturierte durch Wärme ausheilbare Materialschicht festzulegen, die eine Öffnung aufweist, welche einen Bereich der Schutzschicht freilegt, ein Durchführen eines Ätzprozesses auf der Schutzschicht, um dadurch wenigstens einen Bereich des leitenden Pads freizulegen, und ein Bildens eines leitenden Höckers, der mit dem leitenden Pad leitend verbunden ist.

公开(公告)号：DE102010029528A1

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：DE102010029528

申请日：2010-05-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： UEBERREITER GUIDO ,  LEHR MATTHIAS ,  PLATZ ALEXANDER

IPC: H01L21/822

Abstract: Es wird eine Chipumrandung eines Halbleiterbauelements mit einer variierenden Strukturdichte so vorgesehen, dass ein Gradient zwischen dem Chipgebiet und der Chipumrandung geringer ist. Folglich wird bei einer vorgegebenen Breite der Chipumrandung eine erforderliche mechanische Stabilität erreicht, während gleichzeitig Unterschiede in der Topografie zwischen dem Chipgebiet und der Chipumrandung reduziert werden, wodurch zu besseren Prozessbedingungen für komplexe Lithografieprozesse beigetragen wird.

公开(公告)号：DE602006019266D1

公开(公告)日：2011-02-10

申请号：DE602006019266

申请日：2006-07-20

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KUECHENMEISTER FRANK ,  PLATZ ALEXANDER ,  JUNGNICKEL GOTTHARD ,  SIURY KERSTIN

IPC: H01L21/60 ,  C25F3/02 ,  H01L21/3213 ,  H01L23/485 ,  H05K3/34