公开(公告)号：DE102013214439A1

公开(公告)日：2014-02-13

申请号：DE102013214439

申请日：2013-07-24

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： RYAN VIVIAN W ,  GEISLER HOLM ,  BREUER DIRK

IPC: H01L21/60 ,  G01L1/06 ,  H01L21/66

Abstract: Der hierin offenbarte Gegenstand betrifft im Allgemeinen ein Testen von auf einem Halbleiterchip gebildeten Säulenhöckern, um die Gegenwart von anomal festen Säulenhöckern zu erfassen. Ein anschauliches hierin offenbartes Verfahren umfasst ein Anordnen einer Testprobe neben einer Seite eines Säulenhöckers, der über einem Metallisierungssystem eines Halbleiterchips gebildet ist, und ein Durchführen eines lateralen Krafttests an dem Säulenhöcker durch ein Kontaktieren der Seite des Säulenhöckers mit der Testprobe während eines Bewegens der Testprobe mit einer im Wesentlichen konstanten Geschwindigkeit, die geringer ist als ungefähr 1 μm/s.

公开(公告)号：DE102013214410A1

公开(公告)日：2014-01-30

申请号：DE102013214410

申请日：2013-07-24

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： RYAN VIVIAN W ,  GEISLER HOLM ,  BREUER DIRK

IPC: H01L21/66 ,  G01L1/00 ,  G01N3/08 ,  H01L21/60

Abstract: Im Allgemeinen betrifft der hierin offenbarte Gegenstand ein Erfassen der Gegenwart von anomal schwachen BEOL-Stellen in einem Metallisierungssystem eines Halbleiterchips oder Wafers. Ein hierin offenbartes anschauliches Verfahren umfasst unter anderem ein Durchführen eines lateralen Krafttests an einem Säulenhöcker, der über einem Metallisierungssystem eines Halbleiterchips gebildet ist, wobei der laterale Krafttest ein Kontaktieren des Säulenhöckers mit einer Testprobe während eines Bewegens der Testprobe mit einer im Wesentlichen konstanten Geschwindigkeit, die geringer ist als ungefähr 1 μm/s, entlang eines Pfads umfasst, der unter einem im Wesentlichen nicht verschwindenden Winkel bezüglich einer Ebene des Metallisierungssystems orientiert ist. Ferner ist der im Wesentlichen nicht verschwindende Winkel ausgebildet, so dass sich die Testprobe im Wesentlichen von dem Metallisierungssystem weg bewegt und so dass eine durch die Testprobe während des lateralen Krafttests auf den Säulenhöcker ausgeübte Kraft eine nach oben gerichtete Komponente umfasst, die auf das Metallisierungssystem eine Zuglast ausübt. Darüber hinaus umfasst das offenbarte Verfahren ein Bestimmen einer Verhaltenswechselwirkung zwischen dem Säulenhöcker und dem Metallisierungssystem während des lateralen Krafttests.

公开(公告)号：DE102013214441B4

公开(公告)日：2019-03-28

申请号：DE102013214441

申请日：2013-07-24

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： RYAN VIVIAN W ,  KIM HOON ,  ZHANG XUNYUAN

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: Verfahren, umfassend:Bilden einer Vertiefung (40) in einer dielektrischen Schicht (20) eines Substrats (25);Bilden einer ersten Übergangsmetallschicht (60) in der Vertiefung an Eckabschnitten (70) der Vertiefung (40),Bilden einer zweiten Übergangsmetallschicht (80) in der Vertiefung (40) über der ersten Übergangsmetallschicht (60), um die Vertiefung (40) zu beschichten;Füllen der Vertiefung(40) mit einer Füllschicht (90),Ausglühen des Substrats, wobei die erste Übergangsmetallschicht (60) und die zweite Übergangsmetallschicht (80) während des Ausglühens einen Legierungsbereich (100) neben den Eckabschnitten (70) bilden, wobei der Legierungsbereich eine verringerte Benetzbarkeit für ein Füllschichtmaterial als das zweite Übergangsmetall aufweist; undPolieren des Substrats (25), um Teile der Füllschicht (90) zu entfernen, die sich über der Vertiefung (40) erstrecken,wobei das erste Übergangsmetall (60) an Seitenwand- und in Bodenbereichen der Vertiefung (40) fehlt.

公开(公告)号：DE102013214439B4

公开(公告)日：2019-10-17

申请号：DE102013214439

申请日：2013-07-24

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： RYAN VIVIAN W ,  GEISLER HOLM ,  BREUER DIRK

IPC: H01L21/60 ,  G01L1/06 ,  H01L21/66

Abstract: Verfahren, umfassend:Anordnen einer Testprobe an einer Seite eines Säulenhöckers, der über einem Metallisierungssystem eines Halbleiterchips gebildet ist; undDurchführen eines lateralen Krafttests an dem Säulenhöcker durch Kontaktieren der Seite des Säulenhöckers mit der Testprobe, während die Testprobe mit einer konstanten Geschwindigkeit bewegt wird, die geringer ist als 1 µm/s.

公开(公告)号：DE102013214410B4

公开(公告)日：2019-03-14

申请号：DE102013214410

申请日：2013-07-24

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： RYAN VIVIAN W ,  GEISLER HOLM ,  BREUER DIRK

IPC: H01L21/66 ,  G01L1/00 ,  G01N3/08 ,  H01L21/60

Abstract: Verfahren, umfassend:Durchführen eines lateralen Krafttests an einem Säulenhöcker (903), der über einem Metallisierungssystem (904) eines Halbleiterchips (902) gebildet ist,wobei der laterale Krafttest ein Kontaktieren einer Seite des Säulenhöckers (903) mit einer Testprobe (920) während eines Bewegens der Testprobe (920) mit einer im Wesentlichen konstanten Geschwindigkeit entlang eines Pfads (921) umfasst, die geringer ist als ungefähr 1 µm/s,wobei der Pfad (921) unter einem im Wesentlichen nicht verschwindenden Winkel (922) relativ zu einer Ebene (923) des Metallisierungssystems (904) orientiert ist,wobei der im Wesentlichen nicht verschwindende Winkel (922) ausgebildet ist, so dass sich die Testprobe (920) im Wesentlichen von dem Metallisierungssystem (904) weg bewegt und so dass durch die Testprobe (920) während des lateralen Krafttests auf den Säulenhöcker (903) eine Kraft ausgeübt wird, die eine Komponente umfasst, die von dem Metallisierungssystem weg gerichtet ist und an dem Metallisierungssystem (904) eine Zuglast (920T) hervorruft; undBestimmen einer Verhaltenswechselwirkung zwischen dem Säulenhöcker (903) und dem Metallisierungssystem (904) während des lateralen Krafttests.

公开(公告)号：DE102013214441A1

公开(公告)日：2014-02-13

申请号：DE102013214441

申请日：2013-07-24

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： RYAN VIVIAN W ,  KIM HOON ,  ZHANG XUNYUAN

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

Abstract: Verfahren zum Bilden einer Verbindungsstruktur, welches das Bilden einer Vertiefung in einer dielektrischen Schicht eines Substrats umfasst. Eine erste Übergangsmetallschicht ist in der Vertiefung an Eckabschnitten der Vertiefung ausgebildet. Eine zweite Übergangsmetallschicht ist in der Vertiefung über der ersten Übergangsmetallschicht ausgebildet, um die Vertiefung zu beschichten. Die Vertiefung ist mit einer Füllschicht gefüllt. Das Substrat wird ausgeheilt. Die erste Übergangsmetallschicht und die zweite Übergangsmetallschicht bilden während des Ausglühens einen Legierungsbereich neben den Eckabschnitten. Der Legierungsbereich weist eine verringerte Benetzbarkeit für ein Füllschichtmaterial als das zweite Übergangsmetall auf. Das Substrat wird poliert, um Teile der Füllschicht, die sich über der Vertiefung erstrecken, zu entfernen. Eine Vorrichtung gemäß dem Verfahren umfasst eine Legierung aus einem ersten und zweiten Übergangsmetall, die an dem Eckabschnitt angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102013214440A1

公开(公告)日：2014-02-13

申请号：DE102013214440

申请日：2013-07-24

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： RYAN VIVIAN W ,  GEISLER HOLM ,  BREUER DIRK

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/66 ,  H01L21/768 ,  H01L23/488

Abstract: Der hierin offenbarte Gegenstand betrifft im allgemeinen ein Reparieren anomal fester Säulenhöcker, die über einem Metallisierungssystem eines Halbleiterchips oder Wafers erfasst werden können. Ein hierin offenbartes anschauliches Verfahren umfasst unter anderem ein Bilden eines Säulenhöckers über einem Metallisierungssystem eines Halbleiterchips und ein Bilden einer Mehrzahl von Aussparungen in dem Säulenhöcker, wobei die Mehrzahl von Aussparungen ausgelegt ist, um eine Flexibilität des Säulenhöckers anzupassen, wenn der Säulenhöcker einer lateralen Kraft ausgesetzt wird.