公开(公告)号：DE102013214439B4

公开(公告)日：2019-10-17

申请号：DE102013214439

申请日：2013-07-24

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： RYAN VIVIAN W ,  GEISLER HOLM ,  BREUER DIRK

IPC: H01L21/60 ,  G01L1/06 ,  H01L21/66

Abstract: Verfahren, umfassend:Anordnen einer Testprobe an einer Seite eines Säulenhöckers, der über einem Metallisierungssystem eines Halbleiterchips gebildet ist; undDurchführen eines lateralen Krafttests an dem Säulenhöcker durch Kontaktieren der Seite des Säulenhöckers mit der Testprobe, während die Testprobe mit einer konstanten Geschwindigkeit bewegt wird, die geringer ist als 1 µm/s.

公开(公告)号：DE102013214410B4

公开(公告)日：2019-03-14

申请号：DE102013214410

申请日：2013-07-24

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： RYAN VIVIAN W ,  GEISLER HOLM ,  BREUER DIRK

IPC: H01L21/66 ,  G01L1/00 ,  G01N3/08 ,  H01L21/60

Abstract: Verfahren, umfassend:Durchführen eines lateralen Krafttests an einem Säulenhöcker (903), der über einem Metallisierungssystem (904) eines Halbleiterchips (902) gebildet ist,wobei der laterale Krafttest ein Kontaktieren einer Seite des Säulenhöckers (903) mit einer Testprobe (920) während eines Bewegens der Testprobe (920) mit einer im Wesentlichen konstanten Geschwindigkeit entlang eines Pfads (921) umfasst, die geringer ist als ungefähr 1 µm/s,wobei der Pfad (921) unter einem im Wesentlichen nicht verschwindenden Winkel (922) relativ zu einer Ebene (923) des Metallisierungssystems (904) orientiert ist,wobei der im Wesentlichen nicht verschwindende Winkel (922) ausgebildet ist, so dass sich die Testprobe (920) im Wesentlichen von dem Metallisierungssystem (904) weg bewegt und so dass durch die Testprobe (920) während des lateralen Krafttests auf den Säulenhöcker (903) eine Kraft ausgeübt wird, die eine Komponente umfasst, die von dem Metallisierungssystem weg gerichtet ist und an dem Metallisierungssystem (904) eine Zuglast (920T) hervorruft; undBestimmen einer Verhaltenswechselwirkung zwischen dem Säulenhöcker (903) und dem Metallisierungssystem (904) während des lateralen Krafttests.

公开(公告)号：SG173970A1

公开(公告)日：2011-09-29

申请号：SG2011011343

申请日：2011-02-17

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： GEISLER HOLM ,  LEHR MATTHIAS ,  KUECHENMEISTER FRANK ,  GRILLBERGER MICHAEL

Abstract: OF THE DISCLOSUREASSESSING METAL STACK INTEGRITY IN SOPHISTICATED SEMICONDUCTOR DEVICES BY MECHANICALLY STRESSING DIECONTACTSThe metallization system of complex semiconductor devices may be evaluated in terms of mechanical integrity on the basis of a measurement system and measurement procedures in which individual contact elements, such as metal pillars or solder bumps,are mechanically stimulated, while the response of the metallization system, for instance in the form of directly measured forces, is determined in order to quantitatively evaluate mechanical status of the metallization system. In this manner, the complex material systems and the mutual interactions thereof may be efficiently assessed.

公开(公告)号：DE102013214439A1

公开(公告)日：2014-02-13

申请号：DE102013214439

申请日：2013-07-24

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： RYAN VIVIAN W ,  GEISLER HOLM ,  BREUER DIRK

IPC: H01L21/60 ,  G01L1/06 ,  H01L21/66

Abstract: Der hierin offenbarte Gegenstand betrifft im Allgemeinen ein Testen von auf einem Halbleiterchip gebildeten Säulenhöckern, um die Gegenwart von anomal festen Säulenhöckern zu erfassen. Ein anschauliches hierin offenbartes Verfahren umfasst ein Anordnen einer Testprobe neben einer Seite eines Säulenhöckers, der über einem Metallisierungssystem eines Halbleiterchips gebildet ist, und ein Durchführen eines lateralen Krafttests an dem Säulenhöcker durch ein Kontaktieren der Seite des Säulenhöckers mit der Testprobe während eines Bewegens der Testprobe mit einer im Wesentlichen konstanten Geschwindigkeit, die geringer ist als ungefähr 1 μm/s.

公开(公告)号：DE102013214440A1

公开(公告)日：2014-02-13

申请号：DE102013214440

申请日：2013-07-24

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： RYAN VIVIAN W ,  GEISLER HOLM ,  BREUER DIRK

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/66 ,  H01L21/768 ,  H01L23/488

Abstract: Der hierin offenbarte Gegenstand betrifft im allgemeinen ein Reparieren anomal fester Säulenhöcker, die über einem Metallisierungssystem eines Halbleiterchips oder Wafers erfasst werden können. Ein hierin offenbartes anschauliches Verfahren umfasst unter anderem ein Bilden eines Säulenhöckers über einem Metallisierungssystem eines Halbleiterchips und ein Bilden einer Mehrzahl von Aussparungen in dem Säulenhöcker, wobei die Mehrzahl von Aussparungen ausgelegt ist, um eine Flexibilität des Säulenhöckers anzupassen, wenn der Säulenhöcker einer lateralen Kraft ausgesetzt wird.

公开(公告)号：DE102010002453B4

公开(公告)日：2018-05-09

申请号：DE102010002453

申请日：2010-02-26

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： GEISLER HOLM ,  LEHR MATTHIAS ,  KUECHENMEISTER FRANK ,  GRILLBERGER MICHAEL

IPC: H01L21/66 ,  G01N29/04 ,  H01L21/768

Abstract: Verfahren mit:Hervorrufen einer mechanischen Belastung in einem dielektrischen Material (252) eines Metallisierungssystems (220) eines Halbleiterbauelements (200) durch Ausüben einer lateralen mechanischen Kraft (F) auf ein einzelnes Chipkontaktelement (210), das in dem Metallisierungssystem (220) ausgebildet ist und sich über eine Oberfläche des dielektrischen Materials (252) hinaus erstreckt; undBestimmen mindestens eines Parameterwertes, der eine Antwort des dielektrischen Materials (252) auf die hervorgerufene mechanische Belastung angibt.

公开(公告)号：DE102013214410A1

公开(公告)日：2014-01-30

申请号：DE102013214410

申请日：2013-07-24

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： RYAN VIVIAN W ,  GEISLER HOLM ,  BREUER DIRK

IPC: H01L21/66 ,  G01L1/00 ,  G01N3/08 ,  H01L21/60

Abstract: Im Allgemeinen betrifft der hierin offenbarte Gegenstand ein Erfassen der Gegenwart von anomal schwachen BEOL-Stellen in einem Metallisierungssystem eines Halbleiterchips oder Wafers. Ein hierin offenbartes anschauliches Verfahren umfasst unter anderem ein Durchführen eines lateralen Krafttests an einem Säulenhöcker, der über einem Metallisierungssystem eines Halbleiterchips gebildet ist, wobei der laterale Krafttest ein Kontaktieren des Säulenhöckers mit einer Testprobe während eines Bewegens der Testprobe mit einer im Wesentlichen konstanten Geschwindigkeit, die geringer ist als ungefähr 1 μm/s, entlang eines Pfads umfasst, der unter einem im Wesentlichen nicht verschwindenden Winkel bezüglich einer Ebene des Metallisierungssystems orientiert ist. Ferner ist der im Wesentlichen nicht verschwindende Winkel ausgebildet, so dass sich die Testprobe im Wesentlichen von dem Metallisierungssystem weg bewegt und so dass eine durch die Testprobe während des lateralen Krafttests auf den Säulenhöcker ausgeübte Kraft eine nach oben gerichtete Komponente umfasst, die auf das Metallisierungssystem eine Zuglast ausübt. Darüber hinaus umfasst das offenbarte Verfahren ein Bestimmen einer Verhaltenswechselwirkung zwischen dem Säulenhöcker und dem Metallisierungssystem während des lateralen Krafttests.

公开(公告)号：DE102010002453A1

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：DE102010002453

申请日：2010-02-26

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： GEISLER HOLM ,  LEHR MATTHIAS ,  KUECHENMEISTER FRANK ,  GRILLBERGER MICHAEL

IPC: H01L21/66 ,  G01N29/04 ,  H01L21/768

Abstract: Das Metallisierungssystem komplexer Halbleiterbauelemente kann im Hinblick auf mechanische Integrität auf der Grundlage eines Messsystems und Messverfahren bewertet werden, wobei Kontaktelemente, etwa Metallsäulen oder Lothöcker, individuell mechanisch stimuliert werden, während die Antwort des Metallisierungssystems, beispielsweise in Form direkt gemessener Kräfte, bestimmt wird, um damit quantitativ den mechanischen Status des Metallisierungssystems zu bewerten. Auf diese Weise können die komplexen Materialsysteme und die gegenseitigen Wechselwirkungen effizient eingeschätzt werden.