公开(公告)号：DE102018220751A1

公开(公告)日：2019-07-18

申请号：DE102018220751

申请日：2018-11-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： ZANG HUI ,  XU GUOWEI ,  TABAKMAN KEITH ,  SARDESAI VIRAJ

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L23/528 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78

Abstract: Die Erfindung betrifft im Allgemeinen Halbleiterstrukturen und insbesondere Middle-of-Line-Strukturen und -Herstellungsverfahren. Die Struktur umfasst: eine Mehrzahl von Gatestrukturen mit Source- und/oder Drain-Metallisierungsmerkmalen; Abstandshalter auf Seitenwänden der Gatestrukturen, die aus einem ersten Material und einem zweiten Material gebildet sind; und Kontakte in elektrischem Kontakt zu den Source- und/oder Drain-Metallisierungsmerkmalen, die von den Gatestrukturen durch die Abstandshalter getrennt sind.