公开(公告)号：DE102019212543A1

公开(公告)日：2020-02-27

申请号：DE102019212543

申请日：2019-08-22

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： ZANG HUI ,  XU GUOWEI

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/49

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft Halbleiterstrukturen und insbesondere Replacement-Metal-Gate-Strukturen mit reduziertem Kurzschluss und gleichförmiger Abschrägung, sowie Herstellungsverfahren. Die Struktur umfasst: eine Vorrichtung mit langem Kanal, die aus einem leitfähigen Gatematerial mit einer Deckschicht über dem leitfähigen Gatematerial gebildet ist, wobei sich die Deckschicht zu den Seiten des leitfähigen Gatematerials erstreckt; und eine Vorrichtung mit kurzem Kanal, die aus dem leitfähigen Gatematerial und der Deckschicht über dem leitfähigen Gatematerial gebildet ist.

公开(公告)号：DE102019210597A1

公开(公告)日：2020-01-23

申请号：DE102019210597

申请日：2019-07-18

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： ZANG HUI ,  TAN CHUNG FOONG ,  XU GUOWEI ,  WANG HAITING ,  ZHONG YUE ,  XIE RUILONG ,  LEE TEK PO RINUS ,  BEASOR SCOTT

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088

Abstract: Ein hierin offenbartes anschauliches Verfahren umfasst ein Bilden eines low-k-Seitenwandabstandhalters an gegenüberliegenden Seitenwänden einer Gatestruktur, ein Bilden von Kontaktätzstoppschichten (CESLs) an dem low-k-Seitenwandabstandhalter in den Source/Drain-Bereichen des Transistors und ein Bilden eines ersten isolierenden Material über den CESLs. In diesem Beispiel umfasst das Verfahren auch ein Aussparen des ersten isolierenden Materials, um im Wesentlichen vertikal orientierte Abschnitte der CESLs freizulegen, wobei ein Abschnitt einer seitlichen Breite der im Wesentlichen vertikal orientierten Abschnitte der CESLs entfernt wird, um getrimmte CESLs zu bilden, und ein Bilden eines high-k-Abstandhalters an gegenüberliegenden Seiten der Gatestruktur, wobei zumindest ein Abschnitt des high-k-Abstandhalters seitlich neben den getrimmten und im Wesentlichen vertikal orientierten Abschnitten der getrimmten CESLs angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102019200725A1

公开(公告)日：2019-08-22

申请号：DE102019200725

申请日：2019-01-22

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： ZANG HUI ,  XU GUOWEI ,  TABAKMAN KEITH

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336

Abstract: Bei der Herstellung einer FinFET-Vorrichtung wird eine Isolationsarchitektur zwischen Stellen von Gate- und Source/Drain-Kontakten bereitgestellt. Die Isolationsarchitektur kann einen Low-k-Abstandshalter und eine Kontaktätzstoppschicht umfassen. Die Isolationsarchitektur umfasst ferner eine ätzselektive High-k-Schicht, die angepasst ist, um eine Verschlechterung bei einem Ätzen zur Öffnung der Source/Drain-Kontaktstellen zu verhindern. Die High-k-Schicht zusammen mit einer selbstausgerichteten Kontakt (SAC) -Deckschicht, die über dem Gate angeordnet ist, bildet eine verbesserte Isolationsstruktur, die Kurzschlüsse oder eine parasitäre Kapazität zwischen dem Source- und Source/Drain-Kontakten verhindert.

公开(公告)号：DE102019207381A1

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：DE102019207381

申请日：2019-05-21

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： XU GUOWEI ,  ZANG HUI ,  WANG HAITING ,  BEASOR SCOTT

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78

Abstract: Verschiedene Prozesse bilden verschiedene Strukturen, einschließlich beispielhafter Vorrichtungen, die (unter anderen Komponenten) eine erste Schicht mit Kanalbereichen, Source/Drain-Strukturen in der ersten Schicht an gegenüberliegenden Seiten der Kanalbereiche, einen Gate-Isolator auf dem Kanalbereich und einen Gate-Stapel auf dem Gate-Isolator umfassen. Der Gate-Stapel kann einen Gate-Leiter und einen Stapelisolator oder einen Gatekontakt auf dem Gate-Leiter umfassen. Der Gate-Stapel weist untere Seitenwände neben den Source/Drain-Strukturen und obere Seitenwände distal zu den Source/Drain-Strukturen auf. Ferner befinden sich untere Abstandshalter zwischen den Source/Drain-Kontakten und den unteren Seitenwänden des Gate-Stapels; und obere Abstandshalter zwischen den Source/Drain-Kontakten und den oberen Seitenwänden des Gate-Stapels. In einigen Strukturen können die oberen Abstandshalter die unteren Abstandshalter teilweise überlappen.

公开(公告)号：DE102019204967A1

公开(公告)日：2019-11-14

申请号：DE102019204967

申请日：2019-04-08

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： WANG HAITING ,  LU RONGTAO ,  CHANG CHIH-CHIANG ,  XU GUOWEI ,  ZANG HUI ,  BEASOR SCOTT ,  XIE RUILONG

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: Die vorliegenden Angaben beziehen sich auf Halbleiterstrukturen und insbesondere auf angeschrägte Austauschgatestrukturen sowie auf Herstellungsverfahren. Die Struktur umfasst: ein zurückgesetztes Gatedielektrikumsmaterial in einer Grabenstruktur; mehrere zurückgesetzte Austrittsarbeitsmaterialien innerhalb der Grabenstruktur auf dem zurückgesetzten Gatedielektrikumsmaterial; mehrere zusätzliche Austrittsarbeitsmaterialien innerhalb der Grabenstruktur, die sich oberhalb des zurückgesetzten Gatedielektrikumsmaterials und der mehreren zurückgesetzten Austrittsarbeitsmaterialien befinden; ein Gatemetall innerhalb der Grabenstruktur und über den mehreren zusätzlichen Austrittsarbeitsmaterialien, wobei das Gatemetall und die mehreren zusätzlichen Austrittsarbeitsmaterialien eine flache Oberfläche unterhalb einer oberen Oberfläche der Grabenstruktur haben; und ein Deckmaterial über dem Gatematerial und den mehreren zusätzlichen Austrittsarbeitsmaterialien.

公开(公告)号：DE102019214644A1

公开(公告)日：2020-04-30

申请号：DE102019214644

申请日：2019-09-25

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： ZANG HUI ,  WANG HAITING ,  TAN CHUNG FOONG ,  XU GUOWEI ,  XIE RUILONG ,  BEASOR SCOTT H ,  JIANG LIU

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: FinFET-Struktur mit reduzierter effektiver Kapazität und umfassend ein Substrat mit mindestens zwei Finnen darauf, die seitlich voneinander beabstandet sind, ein Metall-Gate über den Finnenoberseiten der Finnen und zwischen Seitenwänden der oberen Abschnitte der Finnen, Source/Drain-Bereiche in jeder Finne auf gegenüberliegenden Seiten des Metall-Gates und einen dielektrischen Streifen innerhalb des Metall-Gates, der zwischen den Seitenwänden der oberen Abschnitte der Finnen angeordnet ist, wobei der dielektrische Streifen seitlich von den Seitenwänden der oberen Abschnitte der Finnen innerhalb des Metall-Gates beabstandet ist.

公开(公告)号：DE102019208487A1

公开(公告)日：2020-01-16

申请号：DE102019208487

申请日：2019-06-12

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： WANG HAITING ,  PANDEY SHESH MANI ,  SHU JIEHUI ,  ECONOMIKOS LAERTIS ,  ZANG HUI ,  XIE RUILONG ,  XU GUOWEI ,  HU ZHAOYING

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: Es werden parallele Finnen (in einer ersten Orientierung) gebildet und Source/Drain-Strukturen werden in oder auf den Finnen gebildet, wobei Kanalbereiche der Finnen zwischen den Source/Drain-Strukturen liegen. Es werden parallele Gate-Strukturen so gebildet, dass sie die Finnen (in einer zweiten Orientierung senkrecht zur ersten Orientierung) schneiden, Source/Drain-Kontakte werden auf Source/Drain-Strukturen gebildet, die sich auf gegenüberliegenden Seiten der Gate-Strukturen befinden, und Kappen werden auf den Source/Drain-Kontakten gebildet. Nach dem Bilden der Kappen wird eine Gate-Schnitt-Struktur gebildet, die den Abschnitt der Gate-Struktur unterbricht, der sich zwischen benachbarten Finnen erstreckt. Der obere Abschnitt der Gate-Schnitt-Struktur umfasst Verlängerungen, wobei sich eine erste Verlängerung in eine der Kappen auf einer ersten Seite der Gate-Schnitt-Struktur erstreckt und eine zweite Verlängerung sich in den Zwischen-Gate-Isolator auf einer zweiten Seite der Gate-Schnitt-Struktur erstreckt.

公开(公告)号：DE102018220751A1

公开(公告)日：2019-07-18

申请号：DE102018220751

申请日：2018-11-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： ZANG HUI ,  XU GUOWEI ,  TABAKMAN KEITH ,  SARDESAI VIRAJ

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L23/528 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78

Abstract: Die Erfindung betrifft im Allgemeinen Halbleiterstrukturen und insbesondere Middle-of-Line-Strukturen und -Herstellungsverfahren. Die Struktur umfasst: eine Mehrzahl von Gatestrukturen mit Source- und/oder Drain-Metallisierungsmerkmalen; Abstandshalter auf Seitenwänden der Gatestrukturen, die aus einem ersten Material und einem zweiten Material gebildet sind; und Kontakte in elektrischem Kontakt zu den Source- und/oder Drain-Metallisierungsmerkmalen, die von den Gatestrukturen durch die Abstandshalter getrennt sind.

公开(公告)号：DE102018202897A1

公开(公告)日：2018-11-29

申请号：DE102018202897

申请日：2018-02-27

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： XIE RUILONG ,  PARK CHANRO ,  SUNG MIN GYU ,  KIM HOON ,  ZANG HUI ,  XU GUOWEI

IPC: H01L21/8234 ,  H01L29/423

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren einer Austauschmetallgatestrukturierung für Nanosheet-Vorrichtungen, umfassend: ein Bilden eines ersten und eines zweiten Nanosheet-Stapels auf einem Substrat, wobei sich der erste und der zweite Nanosheet-Stapel nebeneinander befinden und jeweils vertikale Nanosheets umfassen, die um einen Abstand beabstandet sind; ein Abscheiden eines ersten Metalls, das den ersten Nanosheet-Stapel umgibt und eines zweiten Abschnitts des ersten Metalls, der den zweiten Nanosheet-Stapel umgibt; ein Bilden eines Isolationsbereichs zwischen dem ersten Nanosheet-Stapel und dem zweiten Nanosheet-Stapel; ein Entfernen des zweiten Abschnitts des ersten Metalls, welches den zweiten Nanosheet-Stapel umgibt, durch einen Ätzprozess, wobei der Isolationsbereich verhindert, dass der Ätzprozess den ersten Abschnitt des ersten Metalls erreicht, und dadurch ein Entfernen des ersten Abschnitts des ersten Metalls verhindert; und ein Abscheiden eines zweiten Metalls, welches jedes der Nanosheets des zweiten Nanosheet-Stapels umgibt.