公开(公告)号：DE102019200725A1

公开(公告)日：2019-08-22

申请号：DE102019200725

申请日：2019-01-22

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： ZANG HUI ,  XU GUOWEI ,  TABAKMAN KEITH

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336

Abstract: Bei der Herstellung einer FinFET-Vorrichtung wird eine Isolationsarchitektur zwischen Stellen von Gate- und Source/Drain-Kontakten bereitgestellt. Die Isolationsarchitektur kann einen Low-k-Abstandshalter und eine Kontaktätzstoppschicht umfassen. Die Isolationsarchitektur umfasst ferner eine ätzselektive High-k-Schicht, die angepasst ist, um eine Verschlechterung bei einem Ätzen zur Öffnung der Source/Drain-Kontaktstellen zu verhindern. Die High-k-Schicht zusammen mit einer selbstausgerichteten Kontakt (SAC) -Deckschicht, die über dem Gate angeordnet ist, bildet eine verbesserte Isolationsstruktur, die Kurzschlüsse oder eine parasitäre Kapazität zwischen dem Source- und Source/Drain-Kontakten verhindert.

公开(公告)号：DE102019201288A1

公开(公告)日：2019-09-12

申请号：DE102019201288

申请日：2019-02-01

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： GU MAN ,  HAN TAO ,  HONG JUNSIC ,  SHU JIEHUI ,  SIRMAN ASLI ,  ADAMS CHARLOTTE ,  LIU JINPING ,  TABAKMAN KEITH

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/088 ,  H01L29/43 ,  H01L29/78

Abstract: Es werden ein Verfahren zum Bilden eines stabilen Low-k-Seitenwandabstandshalters, wobei ein oberer Abschnitt des Abstandshalters einer thermischen Behandlung und Plasma-Behandlung vor nachfolgenden Prozessen unterzogen wird und die sich ergebende Vorrichtung bereitgestellt. Ausführungsformen umfassen ein Bereitstellen eines Paares von Gates, die durch einen tiefen Graben über einem Substrat getrennt sind, eine EPI-Schicht am Boden des tiefen Grabens und eines Low-k-Seitenwandabstandshalters auf jeder gegenüberliegenden Seitenwand des Paares; ein Bilden einer Maskenschicht am Boden des tiefen Grabens, wobei ein oberer Abschnitt der Low-k-Seitenwandabstandshalter freiliegt; und ein Behandeln des oberen Abschnitts der Low-k-Seitenwandabstandshalter mit einer thermischen Behandlung und Plasma-Behandlung.

公开(公告)号：DE102018220751A1

公开(公告)日：2019-07-18

申请号：DE102018220751

申请日：2018-11-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： ZANG HUI ,  XU GUOWEI ,  TABAKMAN KEITH ,  SARDESAI VIRAJ

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L23/528 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78

Abstract: Die Erfindung betrifft im Allgemeinen Halbleiterstrukturen und insbesondere Middle-of-Line-Strukturen und -Herstellungsverfahren. Die Struktur umfasst: eine Mehrzahl von Gatestrukturen mit Source- und/oder Drain-Metallisierungsmerkmalen; Abstandshalter auf Seitenwänden der Gatestrukturen, die aus einem ersten Material und einem zweiten Material gebildet sind; und Kontakte in elektrischem Kontakt zu den Source- und/oder Drain-Metallisierungsmerkmalen, die von den Gatestrukturen durch die Abstandshalter getrennt sind.