公开(公告)号：DE102010003556B4

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：DE102010003556

申请日：2010-03-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： PREUSSE AXEL ,  SCHROEDER NORBERT ,  STOECKGEN UWE

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/768 ,  H01L21/84

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Kontaktelements in einem Halbleiterbauelement, wobei das Verfahren umfasst: Bilden eines Metalls in einer Kontaktöffnung, die in einem dielektrischen Material einer Kontaktebene ausgebildet ist, indem ein selektiver Abscheideprozess ausgeführt wird, wobei die Kontaktöffnung eine Verbindung zu einem Kontaktbereich eines Schaltungselements herstellt, das zumindest teilweise in einer Halbleiterschicht des Halbleiterbauelements ausgebildet ist; Bilden eines Kontaktelements aus dem Metall, wobei das Kontaktelement lateral eingebettet ist, indem das Metall bis zu einer Höhe der Kontaktöffnung eingefüllt wird, die kleiner ist als eine Höhe einer Oberfläche eines dielektrischen Materials der Kontaktebene; und Ausführen eines Einebnungsprozesses auf der Grundlage des lateral eingebetteten Kontaktelements, so dass eine im Wesentlichen planare Oberflächentopographie der Kontaktebene geschaffen wird, wobei ein chemisch-mechanischer Polierprozesses ausgeführt wird, so dass ein Teil des dielektrischen Materials abgetragen wird.

公开(公告)号：DE102007015503B4

公开(公告)日：2013-03-21

申请号：DE102007015503

申请日：2007-03-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： MARXSEN GERD ,  STOECKGEN UWE ,  HEINRICH JENS ,  HOEFGEN ALEXANDER

IPC: H01L21/302 ,  B24B37/013 ,  B24B37/04 ,  B24B37/30

Abstract: System (100) zum chemisch-mechanischen Polieren mit: einer Poliervorrichtung zum Polieren einer Oberfläche eines Substrats (108), wobei die Poliervorrichtung einen steuerbar bewegbaren Polierkopf (104), aufweist, der ausgebildet ist, das Substrat (108), aufzunehmen und in Position zu halten, wobei der Polierkopf zwei oder mehr kraftausübende Zonen (140-1, 140-2, 140-3) zum Ausüben unterschiedlicher zonenspezifischer Kräfte auf mindestens zwei Zonen (141-1, 141-2, 141-3) des Substrats (108), aufweist, wobei die zonenspezifischen Kräfte durch ein unter Druck stehendes Gas, eine unter Druck stehende Flüssigkeit oder durch elektromechanische Wandler ausgeübt werden; einem Sensor (131) zum Ermitteln zonenspezifischer Substratdaten, die sich auf mindestens zwei Zonen (141-1, 141-2, 141-3) des Substrats (108), beziehen; einer Steuerung (120) zum Erzeugen mindestens jeweils eines Einstellwertes für zwei oder mehr Betriebsparameter des Poliersystems (100) in einem nachfolgenden chemisch-mechanischen Polierprozess in Reaktion auf die zonenspezifischen Substratdaten, wobei die Steuerung (120) die mindestens zwei oder mehr kraftausübenden Zonen (140-1, 140-2, 140-3) ansteuert,...

公开(公告)号：DE102010003556A1

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：DE102010003556

申请日：2010-03-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： PREUSSE AXEL ,  SCHROEDER NORBERT ,  STOECKGEN UWE

IPC: H01L21/445

Abstract: Kontaktelemente in der Kontaktebene eines Halbleiterbauelements werden auf der Grundlage einer selektiven Abscheidetechnik, etwa durch stromloses Plattieren, hergestellt, wobei eine effiziente Einebnung der Kontaktebene erreicht wird, ohne dass die Kontaktelemente einer unerwünschten mechanischen Belastung ausgesetzt werden. In einigen anschaulichen Ausführungsformen wird eine Überfüllung der Kontaktöffnungen zuverlässig vermieden und das Einebnen der Oberflächentopographie wird auf der Grundlage eines nicht-kritischen Polierprozesses erreicht. In anderen Fällen werden elektrochemische Ätztechniken in Verbindung mit einer leitenden Stromverteilungsschicht angewendet, um überschüssiges Material der Kontaktelemente zu entfernen, ohne eine unerwünschte mechanische Belastung hervorzurufen.