公开(公告)号：DE102010003559B4

公开(公告)日：2019-07-18

申请号：DE102010003559

申请日：2010-03-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： WEI ANDY ,  HEINRICH JENS ,  RICHTER RALF

IPC: H01L23/525

Abstract: Halbleiterbauelement (100) mit:einem Transistor (150) mit einer Gateelektrodenstruktur (110A), die auf einer Oberfläche eines Halbleitergebiets (102) ausgebildet ist und die ein Gatedielektrikumsmaterial mit großem ε und ein metallenthaltendes Elektrodenmaterial, das über dem Gatedielektrikumsmaterial mit großem ε ausgebildet ist, aufweist;einer elektronischen Sicherung (110B) mit einem Halbleiterkörper (112), der über einem Oberflächenbereich eines Isolationsgebiets (102B), der in Bezug auf die Oberfläche des Halbleitergebiets (102) abgesenkt ist, ausgebildet ist, so dass eine Differenz im Höhenniveau der Gateelektrodenstruktur und der elektronischen Sicherung besteht und eine Höhe des abgesenkten Oberflächenbereichs geringer ist als eine Höhe der Oberfläche des Halbleitergebiets; undeiner Elektrodenstruktur (110C), die über einem nicht-abgesenkten Oberflächenbereich der Isolationsstruktur (102B) lateral benachbart zu dem Halbleiterkörper (112) der elektronischen Sicherung (110B) ausgebildet ist und den Halbleiterkörper (112) der elektronischen Sicherung lateral vollständig umschließt.

公开(公告)号：DE102009046250B4

公开(公告)日：2015-11-26

申请号：DE102009046250

申请日：2009-10-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： HEINRICH JENS ,  WERNER THOMAS ,  SELIGER FRANK ,  RICHTER FRANK

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

Abstract: Verfahren mit: Bilden einer Öffnung, die eine Breite aufweist, in einer Gateelektrodenstruktur eines Transistors durch Entfernen eines Platzhalterelektrodenmaterials der Gateelektrodenstruktur; Bilden eines Opferfüllmaterials in der Öffnung, um zumindest eine Unterseite der Öffnung abzudecken; Vergrößern der Breite der Öffnung, in der das Opferfüllmaterial gebildet ist, an einem oberen Bereich in Anwesenheit des Opferfüllmaterials; Entfernen des Opferfüllmaterials aus der Öffnung; Bilden einer Materialschicht an Seitenwänden und der Unterseite der Öffnung, die die größere Breite an dem oberen Bereich besitzt, wobei die Materialschicht eine austrittsarbeitseinstellende Substanz aufweist, um die Austrittsarbeit einer Gateelektrode einzustellen; und Einfüllen eines leitenden Elektrodenmaterials in die Öffnung über der Materialschicht.

公开(公告)号：DE102010064287B4

公开(公告)日：2014-05-08

申请号：DE102010064287

申请日：2010-12-28

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： HEINRICH JENS ,  FEUSTEL FRANK ,  FROHBERG KAI

IPC: H01L29/417 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/092 ,  H01L29/772

Abstract: Verfahren mit: Bilden von Drain- und Sourcegebieten in einem aktiven Gebiet eines Transistors in Anwesenheit einer Gateelektrodenstruktur; Implantieren einer Silizidstoppsorte in die Drain- und Sourcegebiete an einer vorbestimmten Tiefe zum Bilden einer Silizidstoppschicht innerhalb der Drain- und Sourcegebiete, wobei die Silizidstoppschicht an der vorbestimmten Tiefe positioniert wird; und Bilden eines Metallsilizidgebiets über der Stoppschicht, wobei das Metallsilizidgebiet durch Bilden eines Metallsilizids in den Drain- und Sourcegebiete unter Anwendung der Silizidstoppsorte zur Steuerung einer Tiefe des Metallsilizids derart gebildet wird, dass sich das Metallsilizid bis hinab zu der vorbestimmten Tiefe erstreckt.

公开(公告)号：DE102009043628A1

公开(公告)日：2011-03-31

申请号：DE102009043628

申请日：2009-09-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： HEINRICH JENS ,  MARXSEN GERD ,  STEFFEN KATJA

IPC: H01L21/336

Abstract: In einem Austauschgateverfahren erhält ein oberer Bereich einer Gateöffnung eine verbesserte Querschnittsform nach dem Abscheiden einer austrittsarbeitseinstellenden Sorte auf der Grundlage eines Polierprozesses, wobei ein Opfermaterial die empfindlichen Materialien in der Gateöffnung schützt.

公开(公告)号：DE102012201025B4

公开(公告)日：2018-05-09

申请号：DE102012201025

申请日：2012-01-25

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： RICHTER RALF ,  HUISINGA TORSTEN ,  HEINRICH JENS

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines CMOS-Bauelements auf einem Halbleitersubstrat (102), das ein erstes Transistorgebiet (101) und ein zweites Transistorgebiet (103) aufweist, wobei das Verfahren umfasst:Bilden einer ersten Schicht eines ersten verspannungsinduzierenden Materials (140) über dem ersten Transistorgebiet (101) und dem zweiten Transistorgebiet (103);Entfernen von Bereichen der ersten Schicht über dem zweiten Transistorgebiet (103);isotropes Ätzen von Bereichen der ersten Schicht (140) über dem ersten Transistorgebiet (101) nach dem Entfernen der Bereiche der ersten Schicht (140) über dem zweiten Transistorgebiet (103), um die Kanten der ersten Schicht abzurunden;Bilden einer zweiten Schicht aus dielektrischem Material (150) über dem ersten Transistorgebiet (101) und dem zweiten Transistorgebiet (103), wobei nach dem Abrunden der Kanten der ersten Schicht die zweite Schicht aus dielektrischem Material (150) über dem ersten Transistorgebiet (101) über der ersten Schicht aus verspannungsinduzierenden Material (140) gebildet wird; undBilden von leitenden Kontakten (170) in der ersten Schicht (140) und der zweiten Schicht aus dielektrischem Material (150) über dem ersten Halbleitergebiet (101), wobei die leitenden Kontakte (170) elektrisch mit dotierten Gebieten (120), die in dem Halbleitersubstrat (102) ausgebildet sind, verbunden sind.

公开(公告)号：DE102010003451B4

公开(公告)日：2013-12-24

申请号：DE102010003451

申请日：2010-03-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： RICHTER RALF ,  HEINRICH JENS ,  WEI ANDY

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/283 ,  H01L21/8238

Abstract: Verfahren mit: Bilden eines Opfermaskenmaterials über einer Gateelektrodenstruktur eines Transistors, wobei die Gateelektrodenstruktur ein Platzhaltermaterial und eine über dem Platzhaltermaterial gebildete dielektrische Deckschicht aufweist; Entfernen der dielektrischen Deckschicht in Anwesenheit des Opfermaskenmaterials, so dass eine Oberfläche des Platzhaltermaterials freigelegt wird; Entfernen des Opfermaskenmaterials; Bilden einer Materialschicht über dem Transistor; Entfernen eines Teils der Materialschicht durch Ausführen des Ätzprozesses derart, dass die Oberfläche des Platzhaltermaterials freigelegt wird; und Ersetzen des Platzhaltermaterials durch ein metallenthaltendes Elektrodenmaterial.

公开(公告)号：DE102007015503B4

公开(公告)日：2013-03-21

申请号：DE102007015503

申请日：2007-03-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： MARXSEN GERD ,  STOECKGEN UWE ,  HEINRICH JENS ,  HOEFGEN ALEXANDER

IPC: H01L21/302 ,  B24B37/013 ,  B24B37/04 ,  B24B37/30

Abstract: System (100) zum chemisch-mechanischen Polieren mit: einer Poliervorrichtung zum Polieren einer Oberfläche eines Substrats (108), wobei die Poliervorrichtung einen steuerbar bewegbaren Polierkopf (104), aufweist, der ausgebildet ist, das Substrat (108), aufzunehmen und in Position zu halten, wobei der Polierkopf zwei oder mehr kraftausübende Zonen (140-1, 140-2, 140-3) zum Ausüben unterschiedlicher zonenspezifischer Kräfte auf mindestens zwei Zonen (141-1, 141-2, 141-3) des Substrats (108), aufweist, wobei die zonenspezifischen Kräfte durch ein unter Druck stehendes Gas, eine unter Druck stehende Flüssigkeit oder durch elektromechanische Wandler ausgeübt werden; einem Sensor (131) zum Ermitteln zonenspezifischer Substratdaten, die sich auf mindestens zwei Zonen (141-1, 141-2, 141-3) des Substrats (108), beziehen; einer Steuerung (120) zum Erzeugen mindestens jeweils eines Einstellwertes für zwei oder mehr Betriebsparameter des Poliersystems (100) in einem nachfolgenden chemisch-mechanischen Polierprozess in Reaktion auf die zonenspezifischen Substratdaten, wobei die Steuerung (120) die mindestens zwei oder mehr kraftausübenden Zonen (140-1, 140-2, 140-3) ansteuert,...

公开(公告)号：DE102011085203A1

公开(公告)日：2012-06-14

申请号：DE102011085203

申请日：2011-10-26

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： RICHTER RALF ,  HEINRICH JENS ,  SCHUEHRER HOLGER

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/283 ,  H01L23/52

Abstract: Es werden Vorrichtungen für Halbleiterbauteilstrukturen und zugehörige Herstellungsverfahren bereitgestellt. Ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterbauteilstruktur beinhaltet das Bilden einer Schicht aus dielektrischem Material über einem dotierten Gebiet, das in einem Halbleitersubstrat benachbart zu einer Gatestruktur ausgebildet ist, und das Bilden eines leitenden Kontakts in der Schicht aus dielektrischem Material. Der leitende Kontakt liegt über dem dotierten Gebiet und stellt eine elektrische Verbindung dazu her. Das Verfahren geht weiter, indem eine zweite Schicht aus dielektrischem Material über dem leitenden Kontaktgebildet gebildet wird, ein Lochgebiet in der zweiten Schicht über dem leitenden Kontakt gebildet wird, eine dritte Schicht aus dielektrischem Material über dem Lochgebiet gebildet wird und ein weiteres Lochgebiet in der dritten Schicht über zumindest einem Teil des Lochgebiets in der zweiten Schicht hergestellt wird. Das Verfahren geht weiter, indem ein leitendes Material hergestellt wird, das beide Lochgebiete ausfüllt, so dass der leitende Kontakt kontaktiert wird.

公开(公告)号：DE102010003451A1

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：DE102010003451

申请日：2010-03-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： RICHTER RALF ,  HEINRICH JENS ,  WEI ANDY

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/283 ,  H01L21/8238

Abstract: In einem Austauschgateverfahren wird das Freilegen des Platzhaltermaterials der Gateelektrodenstrukturen auf der Grundlage eines Ätzprozesses bewerkstelligt, wodurch das Erzeugen von prozessabhängigen Ungleichmäßigkeiten vermieden wird, die typischerweise mit einem komplexen Polierprozess zum Freilegen der oberen Oberfläche des Platzhaltermaterials verknüpft sind. In einigen anschaulichen Ausführungsformen wird das Platzhaltermaterial mittels eines Ätzprozesses, der auf einem Opfermaskenmaterial beruht, freigelegt.

公开(公告)号：DE102009055437A1

公开(公告)日：2011-07-07

申请号：DE102009055437

申请日：2009-12-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： RICHTER RALPH ,  HEINRICH JENS ,  WEI ANDY

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/822

Abstract: In komplexen Halbleiterbauelementen mit Metallgateelektrodenstrukturen, die auf der Grundlage eines Austauschgateverfahrens hergestellt werden, werden halbleiterbasierte Widerstände vorgesehen, ohne dass zu einer größeren Komplexität beigetragen wird, indem das Widerstandsgebiet vor dem Abscheiden des Halbleitermaterials der Gateelektrodenstruktur abgesenkt wird. Auf Grund des Unterschieds in der Höhe wird eine zuverlässige schützende dielektrische Materialschicht über der Widerstandsstruktur beim Freilegen des Halbleitermaterials in der Gateelektrodenstruktur beim Entfernen des Halbleitermaterials auf der Grundlage selektiver Ätzrezepte bewahrt. Folglich können gut etablierte Halbleitermaterialien, etwa Polysilizium, für die Widerstandsstrukturen in komplexen Halbleiterbauelementen eingesetzt werden, ohne dass im Wesentlichen die gesamte Prozesssequenz zur Herstellung der komplexen Austauschgateelektrodenstrukturen beeinflusst wird.