公开(公告)号：DE112012004387T5

公开(公告)日：2014-07-10

申请号：DE112012004387

申请日：2012-08-02

Applicant: HAMAMATSU PHOTONICS KK

Inventor： NAGANO TERUMASA ,  HOSOKAWA NOBURO ,  SUZUKI TOMOFUMI ,  BABA TAKASHI

IPC: H01L31/107 ,  G01T1/24 ,  H01L27/144 ,  H01L27/146 ,  H01L31/02

Abstract: Ein Halbleiter-Licht-Detektionselement 10 beinhaltet eine Mehrzahl von Lawinen-Photodioden APD, die im Geigermodus arbeiten und auf einem Halbleitersubstrat 1N ausgebildet sind, Löschwiderstände R1, die in Reihe mit den jeweiligen Lawinen-Photodioden APD verbunden und auf einer Seite einer Hauptoberfläche 1Na des Halbleitersubstrats 1N angeordnet sind, und eine Mehrzahl von Durchgangslochelektroden TE, welche mit den Löschwiderständen R1 elektrisch verbunden und so ausgebildet sind, dass sie das Halbleitersubstrat 1N von der Seite der Hauptoberfläche 1Na zu einer Seite einer Hauptoberfläche 1Nb penetrieren. Ein Montagesubstrat 20 beinhaltet eine Mehrzahl von Elektroden E9, welche entsprechend den jeweiligen Durchgangslochelektroden TE auf einer Seite einer Hauptoberfläche 20a entsprechend angeordnet sind. Die Durchgangslochelektroden TE und die Elektroden E9 sind über Bump-Elektroden BE elektrisch verbunden und eine Seitenoberfläche 1Nc des Halbleitersubstrats 1N und eine Seitenoberfläche 30c eines Glassubstrats 30 sind zueinander bündig.

公开(公告)号：DE112013005690T5

公开(公告)日：2015-10-15

申请号：DE112013005690

申请日：2013-11-26

Applicant: HAMAMATSU PHOTONICS KK

Inventor： YAMANAKA TATSUMI ,  HOSOKAWA NOBURO ,  SAKAMOTO AKIRA

IPC: H01L27/144 ,  H01L27/14 ,  H01L31/10

Abstract: Diese Fotodiodenanordnung ist mit einer Vielzahl von Fotodioden ausgestattet, welche auf einem Halbleiterträgermaterial ausgebildet sind. Jede der Fotodioden weist auf: einen ersten Halbleiterbereich eines ersten Leitungstyps, welcher auf dem Halbleiterträgermaterial vorgesehen ist; einen zweiten Halbleiterbereich des ersten Leitungstyps, welcher eine höhere Störstellenkonzentration als die des ersten Halbleiterbereichs aufweist und auf einer Oberfläche des Halbleiterträgermaterials in Bezug zu dem ersten Halbleiterbereich positioniert ist; einen dritten Halbleiterbereich eines zweiten Leitungstyps, welcher den ersten Halbleiterbereich und einen Fotodetektionsbereich bildet und an der einen Oberfläche in Bezug zu dem ersten Halbleiterbereich so vorgesehen ist, um den zweiten Halbleiterbereich zu umgeben und von dem zweiten Halbleiterbereich getrennt zu sein; und eine Durchbruchselektrode, welche mit dem dritten Halbleiterbereich elektrisch verbunden ist und innerhalb einer Durchbruchsöffnung zum Hindurchtreten zwischen der einen Oberfläche und der anderen Oberfläche des Halbleiterträgermaterials positioniert ist, um durch den ersten Halbleiterbereich und den zweiten Halbleiterbereich hindurch zu treten.

公开(公告)号：DE112018001385T5

公开(公告)日：2019-11-28

申请号：DE112018001385

申请日：2018-03-14

Applicant: HAMAMATSU PHOTONICS KK

Inventor： SUGIMOTO TATSUYA ,  KOTANI KYOSUKE ,  SUZUKI TOMOFUMI ,  SHIBAYAMA KATSUMI ,  HOSOKAWA NOBURO ,  INOUE NAO ,  ITO MASASHI ,  KURAMOTO YUTAKA

IPC: G02B26/06 ,  B81B3/00 ,  G01J3/45 ,  G01N21/35

Abstract: Ein Lichtmodul weist ein optisches Element und eine Basis auf, auf der das optische Element montiert ist. Das optische Element weist einen optischen Abschnitt mit einer optischen Fläche; einen elastischen Abschnitt, der derart um den optischen Abschnitt herum vorgesehen ist, dass ein ringförmiger Bereich gebildet wird; und ein Paar von Trägerabschnitten auf, die derart vorgesehen sind, dass der optische Abschnitt in einer ersten Richtung entlang der optischen Fläche sandwichartig aufgenommen wird und auf die eine elastische Kraft aufgebracht wird und zwischen denen sich in Abstand gemäß elastischer Verformung des elastischen Abschnitts verändert. Die Basis weist eine Hauptfläche und einen Montagebereich auf, in dem eine mit der Hauptfläche kommunizierende Öffnung vorgesehen ist. Die Trägerabschnitte werden in einem Zustand in die Öffnung eingesetzt, bei dem eine elastische Kraft des elastischen Abschnitts aufgebracht wird. Das optische Element wird in dem Montagebereich von einer Reaktionskraft des elastischen Kraft gelagert, die von einer Innenfläche der Öffnung auf die Trägerabschnitte in einem Zustand aufgebracht wird, bei dem die optische Fläche die Hauptfläche schneidet.

公开(公告)号：DE112013005685T5

公开(公告)日：2015-09-24

申请号：DE112013005685

申请日：2013-11-26

Applicant: HAMAMATSU PHOTONICS KK

Inventor： YAMANAKA TATSUMI ,  SAKAMOTO AKIRA ,  HOSOKAWA NOBURO

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/14 ,  H01L27/144 ,  H01L31/10

Abstract: Eine Fotodiodenanordnung umfasst eine Vielzahl von in einem Halbleiterträgermaterial gebildeten Fotodioden. Jede der Fotodioden umfasst einen ersten Halbleiterbereich eines ersten Leitungstyps, und welcher in dem Trägermaterial vorgesehen ist, einen zweiten Halbleiterbereich eines zweiten Leitungstyps, welcher mit Bezug zu dem ersten Halbleiterbereich auf einer Oberflächenseite des Halbleiterträgermaterials so vorgesehen ist, dass ein vorbestimmter Bereich umgeben ist, und welcher zusammen mit dem ersten Halbleiterbereich einen Lichterkennungsbereich bildet, und eine Durchbruchselektrode, welche innerhalb einer durch die eine Oberfläche und die andere Oberfläche des Halbleiterträgermaterials hindurchtretende Durchbruchsöffnung so aufweist, dass diese durch den ersten Halbleiterbereich und den vorbestimmten Bereich hindurch tritt und den zweiten Halbleiterbereich elektrisch verbindet. Die Durchbruchsöffnung umfasst einen sich von der einen Oberfläche bis zu der anderen Oberfläche erstreckenden Teilbereich.

公开(公告)号：DE112012004412T8

公开(公告)日：2014-11-20

申请号：DE112012004412

申请日：2012-08-02

Applicant: HAMAMATSU PHOTONICS KK

Inventor： NAGANO TERUMASA ,  HOSOKAWA NOBURO ,  SUZUKI TOMOFUMI ,  BABA TAKASHI

IPC: H01L31/107 ,  H01L27/14 ,  H01L27/146 ,  H01L31/02 ,  H01L31/10

公开(公告)号：DE112012004412T5

公开(公告)日：2014-08-07

申请号：DE112012004412

申请日：2012-08-02

Applicant: HAMAMATSU PHOTONICS KK

Inventor： NAGANO TERUMASA ,  HOSOKAWA NOBURO ,  SUZUKI TOMOFUMI ,  BABA TAKASHI

IPC: H01L31/107 ,  H01L27/14 ,  H01L27/146 ,  H01L31/02 ,  H01L31/10

Abstract: Eine Lichterfassungsvorrichtung (1) hat ein Halbleiter-Lichterfassungselement (10A), das ein Halbleitersubstrat (1N) hat, und ein Montagesubstrat (20), das als gegenüberliegend zu dem Halbleiter-Lichterfassungselement (10) angeordnet ist. Das Halbleiter-Lichterfassungselement (10A) enthält eine Vielzahl von Avalanche-Photodioden (APD), die im Geiger-Modus arbeiten und in dem Halbleitersubstrat (1N) gebildet sind, und Elektroden (E7), die elektrisch mit den jeweiligen Avalanche-Photodioden (APD) verbunden sind und auf einer Seite einer Hauptoberfläche (1Nb) des Halbleitersubstrats (1N) angeordnet sind. Das Montagesubstrat (20) enthält eine Vielzahl von Elektroden (E9), die entsprechend den jeweiligen Elektroden (E7) auf der Seite der Hauptoberfläche (20a) angeordnet sind, und Quenching-Widerstände (R1), die elektrisch mit den jeweiligen Elektroden (E9) verbunden sind und auf der Seite der Hauptoberfläche (20a) angeordnet sind. Die Elektroden (E7) und die Elektroden (E9) sind durch Bump-Elektroden (BE) verbunden.

公开(公告)号：DE112012004383T5

公开(公告)日：2014-07-10

申请号：DE112012004383

申请日：2012-08-02

Applicant: HAMAMATSU PHOTONICS KK

Inventor： NAGANO TERUMASA ,  HOSOKAWA NOBURO ,  SUZUKI TOMOFUMI ,  BABA TAKASHI

IPC: H01L31/107 ,  H01L27/14 ,  H01L27/146 ,  H01L31/02

Abstract: Ein Halbleiter-Lichterfassungselement (10) hat eine Vielzahl von Kanälen, von denen jeder zusammengesetzt ist aus einer Photodiodengruppierung (PDA) mit einer Vielzahl von Avalanche-Photodioden (APD), die in einem Geiger-Modus arbeiten, Quenching-Widerständen (R1), die in Reihe mit den jeweiligen Avalanche-Photodioden (APD) geschaltet sind, und Signalleitungen (TL), mit denen die Quenching-Widerstände (R1) parallel geschaltet sind. Ein Montagesubstrat (20) ist so ausgestaltet, dass eine Vielzahl von Elektroden (E9) entsprechend den jeweiligen Kanälen auf einer Seite einer Hauptoberfläche (20a) angeordnet ist, und so dass eine Signalverarbeitungseinheit (SP) zum Verarbeiten von Ausgangssignalen von den jeweiligen Kanälen auf einer Seite einer Hauptoberfläche (20b) angeordnet ist. In einem Halbleitersubstrat (1N) sind elektrisch mit den Signalleitungen (TL) verbundene Durchgangslochelektroden (TE) für die jeweiligen Kanäle gebildet. Die Durchgangslochelektroden (TE) und die Elektroden (E9) sind elektrisch durch Bump-Elektroden (BE) verbunden.

公开(公告)号：JP2013089919A

公开(公告)日：2013-05-13

申请号：JP2011232109

申请日：2011-10-21

Applicant: Hamamatsu Photonics Kk ,  浜松ホトニクス株式会社

Inventor： NAGANO TERUMASA ,  HOSOKAWA NOBURO ,  SUZUKI TOMOHITO ,  BABA TAKASHI

IPC: H01L31/107 ,  G01T1/20 ,  H01L27/146 ,  H01L31/02 ,  H01L31/09

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L27/1446 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14658 ,  H01L31/107

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light detection device which can significantly improve an aperture ratio.SOLUTION: A light detection device 1 comprises a semiconductor photodetector 10A which includes a semiconductor substrate 1N and a mounting substrate 20 which is disposed oppositely to the semiconductor photodetector 10A. The semiconductor photodetector 10A includes a plurality of avalanche photodiodes APD which are operable in Geiger mode and are formed in a semiconductor substrate 1N and electrodes E7 which are electrically connected to each of the avalanche photodiodes APD and are disposed on a principal plane 1Nb side of the semiconductor substrate 1N. A mounting substrate 20 includes a plurality of electrodes E9 which are disposed on a principal plane 20a side for each electrode E7 and quenching resistors R1 which are electrically connected to each of the electrodes E9 and are disposed on the principal plane 20a side. The electrodes E7 and the electrodes E9 are each connected via a bump electrode BE.

Abstract translation: 要解决的问题：提供可以显着提高开口率的光检测装置。 解决方案：光检测装置1包括半导体光电检测器10A，其包括半导体基板1N和与半导体光电检测器10A相对设置的安装基板20。 半导体光电检测器10A包括多个雪豹光电二极管APD，其可以盖革模式操作，并形成在半导体衬底1N中，电极E7与每个雪崩光电二极管APD电连接并设置在 半导体衬底1N。 安装基板20包括多个电极E9，其设置在每个电极E7的主平面20a侧上，并且电连接到每个电极E9并设置在主平面20a侧上的淬火电阻器R1。 电极E7和电极E9分别经由凸块电极BE连接。 版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2013089917A

公开(公告)日：2013-05-13

申请号：JP2011232104

申请日：2011-10-21

Applicant: Hamamatsu Photonics Kk ,  浜松ホトニクス株式会社

Inventor： NAGANO TERUMASA ,  HOSOKAWA NOBURO ,  SUZUKI TOMOHITO ,  BABA TAKASHI

IPC: H01L31/107

CPC classification number: H01L27/1446 ,  H01L27/1443 ,  H01L27/14605 ,  H01L28/20 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/02322 ,  H01L31/107 ,  H01L2224/11

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light detection device which, while aiming at increasing area, can further improve temporal resolution.SOLUTION: A semiconductor photodetector 10 includes a plurality of channels, each consisting of a photodiode array PDA which includes a plurality of avalanche photodiode APDs operating in Geiger mode, a quenching resistor R1 connected in series to each of the avalanche photodiode APDs, and a signal line TL having the quenching resistor R1 connected in parallel thereto. A mounting substrate 20 has a plurality of electrodes E9 corresponding one for one to each channel disposed on a principal plane 20a side, and also has a signal processing part SP to process the output signal from each channel disposed on a principal plane 20b side. A semiconductor substrate 1N has for each channel a through electrode TE formed therein which is electrically connected to the signal line TL. The through electrode TE and the electrode E9 are electrically connected via a bump electrode BE.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种在增加面积的同时瞄准的光检测装置可以进一步提高时间分辨率。 解决方案：半导体光电检测器10包括多个通道，每个通道包括光电二极管阵列PDA，其包括以盖革模式操作的多个雪崩光电二极管APD，与每个雪崩光电二极管APD串联连接的淬火电阻器R1， 以及具有与其并联连接的淬火电阻R1的信号线TL。 安装基板20具有对应于设置在主平面20a侧的每个通道一个的多个电极E9，并且还具有处理来自设置在主平面20b侧上的每个通道的输出信号的信号处理部SP。 半导体衬底1N对于每个沟道形成有与电信号线TL电连接的贯通电极TE。 通孔电极TE和电极E9通过凸块电极BE电连接。 版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2014107445A

公开(公告)日：2014-06-09

申请号：JP2012260066

申请日：2012-11-28

Applicant: Hamamatsu Photonics Kk ,  浜松ホトニクス株式会社

Inventor： YAMANAKA TATSUMI ,  SAKAMOTO AKIRA ,  HOSOKAWA NOBURO

IPC: H01L27/144 ,  H01L27/14 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L31/022408 ,  H01L27/14663 ,  H01L31/103

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photodiode array capable of improving an aperture ratio and reliability.SOLUTION: A photodiode array 1 comprises a plurality of photodiodes PD1 formed on a semiconductor substrate 2. Each of the photodiodes PD1 comprises: a first semiconductor region 3 of a first conductivity type provided on the semiconductor substrate 2; a second semiconductor region 4 of a first conductivity type provided on the surface 21 side of the semiconductor substrate 2 with respect to the first semiconductor region and having higher impurity concentration than impurity concentration of the first semiconductor region 3; a third semiconductor region 5 of a second conductivity type provided on the surface 21 side with respect to the first semiconductor region 3 so as to surround the second semiconductor region 4 apart from the second semiconductor region 4 and constituting a light detection region together with the first semiconductor region 3; and a through electrode 81a provided in a through hole 9A penetrating between the surface 21 and a surface 22 so that it passes through the first semiconductor region and the second semiconductor region and electrically connected to a third semiconductor region 5.

Abstract translation: 要解决的问题：提供能够提高开口率和可靠性的光电二极管阵列。解决方案：光电二极管阵列1包括形成在半导体衬底2上的多个光电二极管PD1。每个光电二极管PD1包括：第一半导体区域3 设置在半导体衬底2上的第一导电类型; 第一导电类型的第二半导体区域4设置在半导体衬底2的相对于第一半导体区域的表面21侧，并且杂质浓度高于第一半导体区域3的杂质浓度; 第二导电类型的第三半导体区域5相对于第一半导体区域3设置在表面21侧，以围绕第二半导体区域4与第二半导体区域4隔开，并与第一半导体区域3一起构成光检测区域 半导体区域3; 以及设置在穿过表面21和表面22的通孔9A中的贯通电极81a，使得其穿过第一半导体区域和第二半导体区域并电连接到第三半导体区域5。