公开(公告)号：DE102013110218A1

公开(公告)日：2014-03-20

申请号：DE102013110218

申请日：2013-09-17

Applicant: HITACHI HIGH TECH SCIENCE CORP

Inventor： MAN XIN ,  FUJII TOSHIAKI

IPC: G01N23/203 ,  H01L21/66

Abstract: Eine Kristallanalysevorrichtung umfasst: einen Messdatenspeicher, der dazu ausgelegt ist, Elektronenrückstreumuster-(EBSP)-Daten zu speichern, die an Elektronenstrahleinstrahlungsstellen an mehreren Querschnitten einer Probe gemessen werden, die im Wesentlichen parallel in vorgegebenen Abständen hergestellt sind; eine Kristallorientierungsdatenbank, die dazu ausgelegt ist, in sich Informationen über Kristallausrichtungen zu sammeln, die EBSPs entsprechen; und eine Abbildungserstellungseinheit, die eine dreidimensionale Kristallorientierungsabbildung anhand einer Verteilung von Kristallorientierungen in Normalrichtungen mehrerer Flächen eines polyedrischen Bilds mit den in den vorgegebenen Abständen angeordneten Querschnitten erstellt, indem die Kristallorientierungen in den Normalrichtungen der Flächen aus der Kristallorientierungsdatenbank auf der Grundlage der im Messdatenspeicher gespeicherten EBSP-Daten ausgelesen werden.

公开(公告)号：DE102013102659B4

公开(公告)日：2021-07-29

申请号：DE102013102659

申请日：2013-03-15

Applicant: HITACHI HIGH TECH SCIENCE CORP

Inventor： MAN XIN

IPC: H01J37/30 ,  G01N1/28 ,  G01N23/225 ,  H01J37/26

Abstract: Proben-Vorbereitungseinrichtung, die dazu ausgestaltet ist, eine Probe (7) vorzubereiten, welche dazu verwendet wird, um ein Diffraktionsmuster von Rückstreu-Elektronen zu beobachten, wobei die Proben-Vorbereitungseinrichtung enthält:eine Probenstufe (6), welche ausgelegt ist, eine Probe (7) zu halten;eine Säule (2) eines fokussierten Ionenstrahls (9), welche ausgelegt ist, einen fokussierten Ionenstrahl (9) an die Probe (7) anzulegen und ein Beobachtungsfeld (7c) zu verarbeiten; undeine Bestrahlungsbereich-Einstelleinheit (16), welche ausgelegt ist, einen Bestrahlungsbereich eines fokussierten Ionenstrahls (9) einzustellen, welcher umfasst:einen ersten Bestrahlungsbereich (33) zum Ausbilden des Beobachtungsfeldes (7c), welches durch einen Elektronenstrahl (8) zu bestrahlen ist, um die Rückstreu-Elektronen zu erfassen, wobei das Beobachtungsfeld (7c) parallel zu einer Fläche (7a) der Probe (7) ist; undeinen zweiten Bestrahlungsbereich (73) zum Ausbilden einer ersten geneigten Fläche (7d) und einer zweiten geneigten Fläche (7e), die mit dem Beobachtungsfeld (7c) und der Fläche (7a) von der Probe (7) verbunden sind und derart geformt sind, dass sich das Beobachtungsfeld (7c) dazwischen befindet, wobei jede davon mit Bezug auf eine senkrechte Richtung des Beobachtungsfeldes (7c) bei einem Winkel von 67,5° oder mehr und weniger als 90° geneigt ist.

公开(公告)号：DE102020211737A1

公开(公告)日：2021-03-25

申请号：DE102020211737

申请日：2020-09-18

Applicant: HITACHI HIGH TECH SCIENCE CORP

Inventor： ASO TAKUMA ,  MAN XIN ,  SATO MAKOTO ,  ASAHATA TATSUYA

IPC: G01N23/22 ,  H01J37/30

Abstract: Bereitgestellt wird ein Bestrahlungsgerät mit Ladungsteilchenstrahl, mit welchem die Zeit, welche erforderlich ist, um eine Substanz oder Struktur jeder einer in einer mehrschichtigen Probe enthaltenen Vielzahl von Beobachtungszielschichten zu beobachten, reduziert werden kann. Das Bestrahlungsgerät mit Ladungsteilchenstrahl umfasst: eine fokussierte Ionenstrahlsäule, welche dafür ausgelegt ist, um eine mehrschichtige Probe mit einem fokussierten Ionenstrahl zu bestrahlen; eine Elektronenstrahlsäule, welche dafür ausgelegt ist, um die mehrschichtige Probe mit einem Elektronenstrahl zu bestrahlen; einen Elektronendetektor, welcher dafür ausgelegt ist, um von der mehrschichtigen Probe erzeugte sekundäre Elektronen oder Reflexionselektronen zu erfassen; eine Bilderzeugungseinheit, welche dafür ausgelegt ist, um ein Beobachtungsbild auf der Grundlage eines von dem Elektronendetektor ausgegebenen Signals zu bilden; und eine Steuereinheit, welche dafür ausgelegt ist, um wiederholt eine Freilegungssteuerung durchzuführen, bei welcher die fokussierte Ionenstrahlsäule gesteuert wird, um eine Schnittfläche der mehrschichtigen Probe in Richtung einer Stapelrichtung mit dem fokussierten Ionenstrahl freizulegen, wobei die Steuereinheit dafür ausgelegt ist, um jedes Mal, wenn eine Freilegung einer Beobachtungszielschicht an einer Schnittfläche der mehrschichtigen Probe bei einem Vorgang von wiederholtem Durchführen der Freilegungssteuerung erfasst wird, eine

公开(公告)号：DE102013102669B4

公开(公告)日：2021-09-16

申请号：DE102013102669

申请日：2013-03-15

Applicant: HITACHI HIGH TECH SCIENCE CORP

Inventor： MAN XIN ,  UEMOTO ATSUSHI

IPC: H01J37/26 ,  G01N1/28

Abstract: Proben-Beobachtungsverfahren zum Beobachten einer Beobachtungsfläche (7a) von einer Probe (7) durch ein Bestrahlen mit einem Ladungspartikelstrahl (8), wobei das Verfahren umfasst:Einstellen einer Neigung einer Probenstufe (6) mit Bezug auf den Ladungspartikelstrahl (8) derart, dass die Beobachtungsfläche (7a) senkrecht zum Ladungspartikelstrahl (8) steht;Platzieren der Probenstufe (6) bei einem ersten Neigungswinkel mit Bezug auf den Ladungspartikelstrahl (8), und Bestrahlen der Beobachtungsfläche (7a) mit dem Ladungspartikelstrahl (8), um ein erstes Ladungspartikel-Bild zu erlangen;Neigen der Probenstufe (6) auf einen zweiten Neigungswinkel, welcher sich vom ersten Neigungswinkel unterscheidet, um eine erste Probenstufen-Achse (23), und Bestrahlen der Beobachtungsfläche (7a) mit dem Ladungspartikelstrahl (8), um ein zweites Ladungspartikel-Bild zu erlangen;Vergleichen eines Bereichs der Beobachtungsfläche (7a) in dem ersten Ladungspartikel-Bild mit einem Bereich der Beobachtungsfläche (7a) in dem zweiten Ladungspartikel-Bild,Berechnen eines optimalen Neigungswinkels der Probenstufe (6) aus dem Vergleich, bei welchem der Bereich der Beobachtungsfläche (7a) im erlangten Ladungspartikel-Bild größer ist,Neigen der Probenstufe (6) auf den optimalen Neigungswinkel; undBestrahlen der Beobachtungsfläche (7a) mit dem Ladungspartikelstrahl (8), um die Beobachtungsfläche (7a) zu beobachten.

公开(公告)号：DE102012108788B4

公开(公告)日：2020-10-01

申请号：DE102012108788

申请日：2012-09-18

Applicant: HITACHI HIGH TECH SCIENCE CORP

Inventor： YAMAMOTO YO ,  MAN XIN ,  ASAHATA TATSUYA

IPC: H01J37/30 ,  G01N1/32 ,  G01N23/225

Abstract: Zusammengesetzte Ladungsteilchenstrahlvorrichtung, umfassend:eine FIB Säule (1);eine SEM Säule (2), die im Wesentlichen senkrecht in einem rechten Winkel bezüglich der FIB Säule (1) angeordnet ist;einen Probentisch (3) zum Befestigen einer Probe (4);einen Detektor (5) zum Detektieren eines aus der Probe (4) erzeugten Sekundärteilchens;ein Beobachtungsbild-Entwicklungsteil (8) zum Formen eines FIB Bildes (56) und eines SEM Bildes (55) auf der Basis eines Erkennungssignals des Detektors (5); undein Sichtanzeigeteil (9) zum Darstellen des FIB Bildes (56) und des SEM Bildes (55), bei dem eine horizontale Richtung der Probe (4) in dem FIB Bild (56) und eine horizontale Richtung der Probe (4) in dem SEM Bild (55) dieselben sind; undein Dreidimensionalbild-Entwicklungsteil (15) zum Umkehren von horizontalen Richtungen einer Vielzahl der SEM Bilder (55), die gewonnen werden, indem eine Beobachtungsebenenbildung durch FIB Bestrahlung und SEM Bildgewinnung der Beobachtungsebene wiederholt werden, undzum Formen eines dreidimensionalen Bildes aus der umgekehrten Vielzahl der SEM Bilder (55).

公开(公告)号：DE102013102659A1

公开(公告)日：2013-09-19

申请号：DE102013102659

申请日：2013-03-15

Applicant: HITACHI HIGH TECH SCIENCE CORP

Inventor： MAN XIN

IPC: H01J37/30 ,  G01N1/28 ,  G01N23/225 ,  H01J37/26

Abstract: Es ist eine Einrichtung zum Vorbereiten einer Probe bereitgestellt, welche enthält: eine Probenstufe, welche eine Probe hält; eine Säule eines fokussierten Ionenstrahls, welche einen fokussierten Ionenstrahl an die gleiche Probe anlegt und die Probe verarbeitet; und eine Bestrahlungsbereich-Einstelleinheit, welche einen Bestrahlungsbereich eines fokussierten Ionenstrahls einstellt, welcher einen ersten Bestrahlungsbereich, welcher zur Ausbildung eines Beobachtungsfeldes verwendet wird, welches mit einem Elektronenstrahl bestrahlt wird, um Rückstreu-Elektronen zu erfassen, und einen zweiten Bestrahlungsbereich, welcher zur Ausbildung einer geneigten Fläche verwendet wird, welche mit Bezug auf die senkrechte Linie des Beobachtungsfeldes bei einem Winkel von 67,5° oder mehr und weniger als 90° geneigt ist, umfasst.

公开(公告)号：DE112018001614T5

公开(公告)日：2020-01-16

申请号：DE112018001614

申请日：2018-03-27

Applicant: HITACHI HIGH TECH SCIENCE CORP

Inventor： MAN XIN ,  AZUMA JUNZO

IPC: H01J37/22 ,  H01J37/317

Abstract: Diese Querschnittsbeobachtungsvorrichtung beschießt ein Objekt mit einem geladenen Teilchenstrahl, um wiederholt Querschnitte des Objekts freizulegen, beschießt zumindest einige der Querschnitte aus der Mehrzahl der freigelegten Querschnitte mit einem geladenen Teilchenstrahl, um Querschnittsbildinformationen zu erlangen, die jeden der zumindest einigen der Querschnitte beschreiben, erzeugt für jeden dieser Querschnitte ein Querschnittsbild, das durch die erlangten Querschnittsbildinformationen beschrieben wird, und erzeugt ein dreidimensionales Bild, bei dem die erzeugten Querschnittsbilder aufeinandergestapelt sind. Diese Querschnittsbeobachtungsvorrichtung zeigt ein erstes dreidimensionales Bild zusammen mit einem zweiten dreidimensionalen Bild an, wobei das erste dreidimensionale Bild ein dreidimensionales aus dem Stapel der ersten Querschnittsbilder ist, bei denen es sich um Querschnittsbilder der Querschnitte handelt, die durch die entsprechenden Querschnittsbildinformationen beschrieben sind, die auf Grundlage einer ersten Bedingung erlangt wurden, und das zweite dreidimensionale Bild ein dreidimensionales Bild aus dem Stapel aus zweiten Querschnittsbildern ist, bei denen es sich um Querschnittsbilder der Querschnitte handelt, die durch die entsprechenden Querschnittsbildinformationen beschrieben sind, die auf Grundlage einer zweiten Bedingung erlangt wurden.

公开(公告)号：DE102013102669A1

公开(公告)日：2013-09-26

申请号：DE102013102669

申请日：2013-03-15

Applicant: HITACHI HIGH TECH SCIENCE CORP

Inventor： MAN XIN ,  UEMOTO ATSUSHI

IPC: H01J37/26 ,  G01N1/28

Abstract: Ein Proben-Beobachtungsverfahren umfasst: ein Platzieren einer Probenstufe bei einem ersten Neigungswinkel mit Bezug auf einen Ladungspartikelstrahl, und ein Bestrahlen von einer Beobachtungsfläche einer Probe mit dem Ladungspartikelstrahl, um ein erstes Ladungspartikel-Bild zu erlangen; ein Neigen der Probenstufe auf einen zweiten Neigungswinkel, welcher sich vom ersten Neigungswinkel unterscheidet, um eine erste Probenstufen-Achse, und ein Bestrahlen der Beobachtungsfläche mit dem Ladungspartikelstrahl, um ein zweites Ladungspartikel-Bild zu erlangen; ein Neigen der Probenstufe auf einen Neigungswinkel, bei welchem ein Bereich der Beobachtungsfläche in dem erlangten Ladungspartikel-Bild zwischen dem ersten Ladungspartikel-Bild und dem zweiten Ladungspartikel-Bild größer ist; und ein Bestrahlen der Beobachtungsfläche mit dem Ladungspartikelstrahl, um die Beobachtungsfläche zu beobachten.

公开(公告)号：DE102013102537A1

公开(公告)日：2013-09-26

申请号：DE102013102537

申请日：2013-03-13

Applicant: HITACHI HIGH TECH SCIENCE CORP

Inventor： MAN XIN ,  NAKATANI IKUKO

IPC: G01N1/28 ,  G01N1/32

Abstract: Es ist ein Proben-Vorbereitungsverfahren bereitgestellt, welches umfasst: Verarbeiten einer Probe durch einen Ionenstrahl, wodurch ein Dünnfilmabschnitt ausgebildet wird, welcher eine derartige Dicke hat, bei welcher es ermöglicht wird, dass ein Elektronenstrahl dort hindurch übertragen wird; Zuführen eines Ablagerungsgases an den Dünnfilmabschnitt; und Bestrahlen des Dünnfilmabschnitts mit dem Elektronenstrahl, wodurch ein Ablagerungsfilm auf einer vorderen Fläche des Dünnfilmabschnitts und ein Ablagerungsfilm auf einer hinteren Fläche des Dünnfilmabschnitts, welche der vorderen Fläche gegenüberliegt, ausgebildet werden.

公开(公告)号：DE102013102535A1

公开(公告)日：2013-09-26

申请号：DE102013102535

申请日：2013-03-13

Applicant: HITACHI HIGH TECH SCIENCE CORP

Inventor： MAN XIN ,  YAMAMOTO YO ,  UEMOTO ATSUSHI ,  ASAHATA TATSUYA

IPC: H01J37/304 ,  G01N1/28 ,  G01N23/225

Abstract: Es ist eine Verbund-Ladungspartikelstrahl-Vorrichtung bereitgestellt, welche enthält: eine Elektronenstrahl-Säule zum Bestrahlen einer Probe mit einem Elektronenstrahl; eine Ionenstrahl-Säule zum Bestrahlen der Probe mit einem Ionenstrahl, um eine Ätz-Verarbeitung durchzuführen; einen Probenstufen-Antriebsabschnitt zum Bewegen einer Probenstufe in einer Bestrahlungs-Achsenrichtung des Elektronenstrahls; und einen Säulen-Einstellabschnitt zum derartigen Bewegen der Ionenstrahl-Säule in Relation zu einer Probenkammer, dass die Probe durch den Ionenstrahl an einer durch den Elektronenstrahl bestrahlten Position bestrahlt wird.