公开(公告)号：EP0788027A4

公开(公告)日：1997-12-10

申请号：EP95925991

申请日：1995-07-19

Applicant: HOYA CORP

Inventor： MITSUI HIDEAKI ,  MATSUMOTO KENJI ,  YAMAGUCHI YOICHI

IPC: F02G5/00 ,  F02M45/04 ,  F02M47/00 ,  F02M47/02 ,  F02M51/06 ,  F02M57/02 ,  F02M59/10 ,  F02M59/36 ,  F02M59/46 ,  F02M63/00 ,  G03F1/00 ,  G03F1/32 ,  G03F1/68 ,  H01L21/027 ,  G03F1/08 ,  H01L21/30

CPC classification number: G03F1/32

Abstract: A phase shift mask blank including a translucent film containing silicon, nitrogen and a transition metal selected from the group consisting of tungsten, tantalum, chromium and titanium on a transparent substrate, wherein the proportion of nitrogen in the translucent film is 5 to 70 at%. Since the translucent film has a small surface roughness (nmRa), an excellent phase shift mask can be obtained by patterning the blank.

Abstract translation: 本发明涉及具有至少包含在透明基板上选自钨，钽，铬或钛，硅和氮的过渡金属的光半透膜的相移掩模坯料，该光半透膜 含有5〜70原子％的氮气，并且通过对本发明的相移掩模板的光半透膜进行构图，可以获得优异的相移掩模，因为光半透膜具有小的表面粗糙度 （NMRA）。

公开(公告)号：DE10214092B4

公开(公告)日：2012-03-15

申请号：DE10214092

申请日：2002-03-28

Applicant: HOYA CORP

Inventor： SHIOTA YUKI ,  NOZAWA OSAMU ,  MITSUI HIDEAKI

IPC: G03F1/32 ,  G03F1/00

Abstract: Halbton-Phasenverschiebungsmasken-Rohling für Halbton-Phasenverschiebungsmasken, die auf einem transparenten Substrat einen lichtdurchlässigen Teil, der Belichtungslicht transmittiert, und einen Phasenverschiebungsteil aufweisen, der einen Teil des Belichtungslichts transmittiert und die Phase des transmittierten Lichts in einem vorherbestimmten Ausmaß verschiebt, wobei der Maskenrohling einen Phasenverschiebungsfilm aufweist, der den Phasenverschiebungsteil auf dem transparenten Substrat bildet, dadurch gekennzeichnet, dass der Phasenverschiebungsfilm aus zwei Schichten aufgebaut ist, einer niedrigdurchlässigen Schicht und einer hochdurchlässigen Schicht, die einen kleineren Extinktionskoeffizenten aufweist als die niedrigdurchlässige Schicht und auf der niedrigdurchlässigen Schicht angeordnet ist, die hochdurchlässige Schicht SiOxNy aufweist, der Extinktionskoeffizient K1 der niedrigdurchlässigen Schicht und der Extinktionskoeffizient K2 der hochdurchlässigen Schicht die Bedingungen K2

公开(公告)号：DE10307518A1

公开(公告)日：2003-09-04

申请号：DE10307518

申请日：2003-02-21

Applicant: HOYA CORP

Inventor： SHIOTA YUUKI ,  NOZAWA OSAMU ,  OHKUBO RYO ,  MITSUI HIDEAKI

IPC: B32B3/10 ,  B32B9/04 ,  B32B15/00 ,  B32B17/06 ,  B44C1/22 ,  C25F3/00 ,  G03F1/00 ,  G03F1/08 ,  G03F1/14

Abstract: A phase shifter film containing silicon, oxygen and nitrogen shifts the phase of a transmitted light by a predetermined quantity simultaneously, when a portion of exposed light is transmitted, so that the light transmitted through the light transmission region and phase shifter region are canceled by each other. Independent claims are also included for the following: (1) halftone phase shift mask; and (2) halftone phase shift mask manufacturing method.

公开(公告)号：DE10214092A1

公开(公告)日：2002-10-31

申请号：DE10214092

申请日：2002-03-28

Applicant: HOYA CORP

Inventor： SHIOTA YUKI ,  NOZAWA OSAMU ,  MITSUI HIDEAKI

IPC: G03F1/00 ,  G03F7/09

Abstract: Four layers of phase shift membranes with high and low refractive indexes are alternately laminated together. The layers with low refractive index prevent light reflection with respect to exposure light, adjust the phase shift and layers with high refractive index adjust the transmittance. An Independent claim is included for half tone phase shift mask.

公开(公告)号：DE10165081B4

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：DE10165081

申请日：2001-09-12

Applicant: HOYA CORP

Inventor： NOZAWA OSAMU ,  MITSUI MASARU ,  MITSUI HIDEAKI

IPC: G03F1/32 ,  B32B17/06 ,  C03C17/22 ,  G03F1/54 ,  G03F1/68 ,  H01L21/027

Abstract: Verfahren zur Herstellung einer Halbton-Phasenverschiebungsmaske mit einem auf einem transparenten Substrat (100) erzeugten Muster aus einem transluzenten Film (300a), wobei der transluzente Film (300a) Silicium und mindestens eines von Stickstoff und Sauerstoff enthält, wobei das Verfahren die thermische Behandlung des Musters aus dem transluzenten Film (300a) umfasst, durchgeführt unter einer Inertgasatmosphäre bei mehr als 150°C nach der Erzeugung des Musters aus dem transluzenten Film (300a), so dass die Druckspannung des transluzenten Films (300a) verringert wird.

公开(公告)号：DE102005025398A1

公开(公告)日：2006-04-20

申请号：DE102005025398

申请日：2005-06-02

Applicant: HOYA CORP

Inventor： MITSUI HIDEAKI

IPC: B32B9/00 ,  B32B17/06 ,  G03C5/00 ,  G03F1/32 ,  G03F1/34 ,  G03F1/54 ,  G03F1/60 ,  G03F1/68 ,  G03F1/80 ,  G03F7/00 ,  H01L21/027

公开(公告)号：DE10307545A1

公开(公告)日：2003-11-06

申请号：DE10307545

申请日：2003-02-21

Applicant: HOYA CORP

Inventor： SHIOTA YUUKI ,  NOZAWA OSAMU ,  MITSUI HIDEAKI

IPC: G03F1/00 ,  G03F1/08 ,  G03F1/14

公开(公告)号：DE10144646A1

公开(公告)日：2002-05-29

申请号：DE10144646

申请日：2001-09-11

Applicant: HOYA CORP

Inventor： NOZAWA OSAMU ,  MITSUI MASARU ,  OOTSUKA HITOSHI ,  MITSUI HIDEAKI

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/56 ,  G03F1/00 ,  G03F1/26 ,  G03F1/32 ,  G03F1/50 ,  G03F1/68 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  G03F9/00 ,  B61C1/00

公开(公告)号：DE10144347A1

公开(公告)日：2002-05-02

申请号：DE10144347

申请日：2001-09-10

Applicant: HOYA CORP

Inventor： NOZAWA OSAMU ,  MITSUI HIDEAKI

IPC: C23C14/00 ,  C23C14/06 ,  C23C14/22 ,  C23C14/34 ,  G03F1/00 ,  G03F1/26 ,  G03F1/32 ,  G03F1/68 ,  H01L21/027 ,  G03F1/08

Abstract: There is disclosed a manufacturing method of a phase shift mask blank in which dispersions of phase angle and transmittance among blanks can be reduced as much as possible and yield is satisfactory. In the manufacturing method of the phase shift mask blank, a process of using a sputtering method to continuously form a thin film on a transparent substrate comprises: successively subjecting a plurality of substrates to a series of process of supplying the transparent substrate into a sputtering chamber, forming the thin film for forming a pattern in the sputtering chamber, and discharging the transparent substrate with the film formed thereon from the sputtering chamber; supplying and discharging the transparent substrate substantially at a constant interval; and setting a film formation time to be constant among a plurality of blanks.

公开(公告)号：DE69523165D1

公开(公告)日：2001-11-15

申请号：DE69523165

申请日：1995-07-19

Applicant: HOYA CORP

Inventor： MITSUI HIDEAKI ,  MATSUMOTO KENJI ,  YAMAGUCHI YOICHI

IPC: F02G5/00 ,  F02M45/04 ,  F02M47/00 ,  F02M47/02 ,  F02M51/06 ,  F02M57/02 ,  F02M59/10 ,  F02M59/36 ,  F02M59/46 ,  F02M63/00 ,  G03F1/00 ,  G03F1/32 ,  G03F1/68 ,  H01L21/027 ,  G03F1/08 ,  H01L21/30

Abstract: The present invention is concerned with a phase-shift mask blank having a light semi-transmitting film which at least contains a transition metal selected from tungsten, tantalum, chromium or titanium, silicon and nitrogen on a transparent substrate, the light semi-transmitting film containing 5 to 70 at% of nitrogen, and an excellent phase-shift mask can be obtained by patterning the light semi-transmitting film of the phase-shift mask blank of the present invention since the light semi-transmitting film has a small surface roughness (nmRa).