中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

55 records (took 0.024 seconds)

    마스크 블랭크, 전사용 마스크, 전사용 마스크의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법
    1.
    发明公开
    마스크 블랭크, 전사용 마스크, 전사용 마스크의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법 审中-公开
    掩模坯，转印掩模，转印掩模制造方法以及半导体器件制造方法

    公开(公告)号：KR20180008458A

    公开(公告)日：2018-01-24

    申请号：KR20177032345

    申请日：2016-05-10

    Applicant: HOYA CORP

    Inventor： NOZAWA OSAMU ,  KAJIWARA TAKENORI ,  OHKUBO RYO

    IPC: G03F1/26 ,  G03F1/48 ,  G03F1/80 ,  H01L21/3065

    CPC classification number: G03F1/26 ,  G03F1/48

    Abstract: 본발명은, 패턴형성용박막에패턴을형성할때에행해지는불소계가스에의한드라이에칭에대한내성이투광성기판에비해높고, 약액(藥液) 세정에대한내성도높으며, 노광광에대한투과율도높다는 3가지의특성을동시에만족시키는에칭스토퍼막을구비하는마스크블랭크를제공한다. 또, 투광성기판의주표면상에패턴형성용박막을구비한마스크블랭크로서, 패턴형성용박막은, 규소를함유하고, 투광성기판과패턴형성용박막의사이에에칭스토퍼막을가지며, 에칭스토퍼막은, 규소, 알루미늄및 산소를함유하는것을특징으로한다.

    Abstract translation: 本发明的特征在于，当在用于图案形成的薄膜上形成图案时由氟基气体进行的干法蚀刻的耐受性高于透明基板的耐受性，抗化学溶液的清洁性高且对曝光光的透射率也高 并且同时满足掩模板的全部三个特性的蚀刻阻挡膜。 在透明基板的主面上具有图案形成用薄膜的掩模基板中，图案形成用薄膜含有硅，在透明基板与图案形成用薄膜之间设置有蚀刻停止膜， 硅，铝和氧气。

    마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 및 반도체 디바이스의 제조 방법
    3.
    发明公开
    마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 및 반도체 디바이스의 제조 방법 审中-公开

    公开(公告)号：KR20200133377A

    公开(公告)日：2020-11-27

    申请号：KR20207030238

    申请日：2019-03-15

    Applicant: HOYA CORP

    Inventor： MAEDA HITOSHI ,  NOZAWA OSAMU ,  HORIGOME YASUTAKA

    IPC: G03F1/32 ,  G03F1/58 ,  G03F1/72 ,  G03F1/84

    Abstract: 마스크블랭크(100)는, 투광성기판(1) 위에위상시프트막(2)을구비하고, 해당위상시프트막(2)이, 하층(21), 중간층(22) 및상층(23)의순으로적층된구조를포함한다. 하층(21)이질화규소계재료로형성되고, 중간층(22)이산화질화규소계재료로형성되며, 상층(23)이산화규소계재료로형성된다. 하층(21)이중간층(22) 및상층(23)보다도질소의함유량이많고,상층(23)이중간층(22) 및하층(21)보다도산소의함유량이많다. 위상시프트막(2)의전체막 두께에대한중간층(22)의막 두께의비율이 0.15 이상이며, 위상시프트막(2)의전체막 두께에대한상층(21)의막 두께의비율이 0.10 이하이다.

    마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 및 반도체 디바이스의 제조 방법
    4.
    发明公开
    마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 및 반도체 디바이스의 제조 방법 审中-公开
    掩模基座相移掩模和用于制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：KR20180030471A

    公开(公告)日：2018-03-23

    申请号：KR20177035245

    申请日：2016-08-02

    Applicant: HOYA CORP

    Inventor： NOZAWA OSAMU ,  SHISHIDO HIROAKI ,  KAJIWARA TAKENORI

    IPC: G03F1/32 ,  G03F1/00 ,  G03F7/20

    CPC classification number: C23C14/06 ,  G03F1/32

    Abstract: ArF 노광광에대하여소정의투과율로투과하는기능과그 투과하는 ArF 노광광에대하여소정의위상차를발생시키는기능을겸비하고, ArF 내광성이높은위상시프트막을구비하는마스크블랭크를제공한다. 위상시프트막은, ArF 노광광을 2% 이상의투과율로투과시키는기능과, 그투과하는 ArF 노광광에대하여 150도이상 180도이하의위상차를발생시키는기능을가지고, 기판측으로부터하층과상층이적층되고, 하층은, 규소, 또는규소에산소이외의비금속원소및 반금속원소에서선택되는 1 이상의원소를함유해서형성되고, 표층이외의상층은, 규소및 질소, 또는이들에산소를제외한비금속원소및 반금속원소에서선택되는 1 이상의원소를함유하는재료로형성되고, 하층은, 굴절률(n)이 1.8 미만이고또한소쇠계수(k)가 2.0 이상이고, 상층은, 굴절률(n)이 2.3 이상이고또한소쇠계수(k)가 1.0 이하이며, 상층은하층보다도두껍다.

    Abstract translation: 本发明提供一种掩模基板，其具备以规定的透射率透过ArF曝光光，并对所透射的ArF曝光光产生规定的相位差，同时具有高的ArF耐光性的相移膜。 相移膜以2％或更高的透射率透射ArF曝光光线，并为所透射的ArF曝光光线产生150度和180度之间的相位差。 下层和上层从基材开始层压。 下层由硅或硅和含有一种或多种选自非金属元素（不包括氧和准金属元素）的元素的材料形成。 除了表面层以外的上层由硅和氮或硅，氮和包含选自非氧化物和类金属元素的非金属元素中的一种或多种元素的材料形成。 下层具有小于1.8的折射率n和不小于2.0的消光系数k。 上层具有不小于2.3的折射率n和不大于1.0的消光系数k。 上层比下层厚。

    Fotomaskenrohling, Fotomaske und Verfahren zum Herstellen einer Fotomaske
    5.
    发明专利
    Fotomaskenrohling, Fotomaske und Verfahren zum Herstellen einer Fotomaske 未知

    公开(公告)号：DE102009010855B4

    公开(公告)日：2021-06-24

    申请号：DE102009010855

    申请日：2009-02-27

    Applicant: HOYA CORP

    Inventor： NOZAWA OSAMU

    IPC: G03F1/80 ,  G03F1/32 ,  G03F1/46 ,  G03F1/50 ,  G03F1/54 ,  H01L21/027

    Abstract: Fotomaskenrohling zum Ausbilden einer für ArF-Excimerlaser-Belichtungslicht geeigneten Fotomaske, wobei der Fotomaskenrohling eine auf einem transparenten Substrat (1) ausgebildete lichtabschirmende Schicht (30) aufweist, die mindestens zwei Lagen aufweist; wobei die lichtabschirmende Schicht (30) aufweist:eine lichtabschirmende Lage (2; 26), die aus einem Material hergestellt ist, das Tantalnitrid enthält und 7 Atom-% oder mehr und 32 Atom-% oder weniger Stickstoff enthält, wobei das Material durch ein Gas auf Chlorbasis, das keinen Sauerstoff enthält, trockenätzbar ist; undeine auf der lichtabschirmenden Lage (2; 26) ausgebildete vorderseitige Antireflexionslage (3; 36), wobei die vorderseitige Antireflexionslage aus einem Material hergestellt ist, das Tantaloxid enthält und 50 Atom-% oder mehr Sauerstoff enthält, wobei das Material durch ein Gas auf Chlorbasis nicht trockenätzbar ist und durch ein Gas auf Fluorbasis trockenätzbar ist,wobei die lichtabschirmende Lage (2; 26) keinen Sauerstoff enthält,wobei die vorderseitige Antireflexionslage (3; 36) keinen Stickstoff enthält,wobei die lichtabschirmende Lage (2; 26) aus einem Material hergestellt ist, das einen ersten Brechungsindex n1 von nicht weniger als 1,80 und nicht mehr als 2,20 aufweist und einen ersten Extinktionskoeffizienten k1 von nicht weniger als 2,05 und nicht mehr als 2,37, undwobei die vorderseitige Antireflexionslage (3; 36) aus einem Material hergestellt ist, das einen zweiten Brechungsindex n2 von nicht weniger als 2,23 aufweist und einen zweiten Extinktionskoeffizienten k2 von nicht mehr als 1,09.

    MASK BLANK, PHASE SHIFT MASK, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
    7.
    发明专利
    MASK BLANK, PHASE SHIFT MASK, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE 未知

    公开(公告)号：SG11202002928WA

    公开(公告)日：2020-04-29

    申请号：SG11202002928W

    申请日：2018-11-20

    Applicant: HOYA CORP

    Inventor： NOZAWA OSAMU ,  HORIGOME YASUTAKA ,  MAEDA HITOSHI

    IPC: G03F1/32 ,  C23C14/08 ,  G03F7/20

    Abstract: Provided is a mask blank including a phase shift film. The phase shift film is made of a material containing a non-metallic element and silicon and includes first, second, and third layers; refractive indexes n1, n2, and n3 of the first, second, and third layers, respectively, at the wavelength of an exposure light satisfy the relations of n1 n3; and extinction coefficients k1, k2, and k3 of the first, second, and third layers, respectively, at the wavelength of an exposure light satisfy the relation of k1>k2>k3.

    MASK BLANK, METHOD FOR MANUFACTURING TRANSFER MASK, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
    8.
    发明专利
    MASK BLANK, METHOD FOR MANUFACTURING TRANSFER MASK, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE 未知

    公开(公告)号：SG11201907771TA

    公开(公告)日：2019-09-27

    申请号：SG11201907771T

    申请日：2018-01-24

    Applicant: HOYA CORP

    Inventor： NOZAWA OSAMU ,  OHKUBO RYO ,  SHISHIDO HIROAKI

    IPC: G03F1/48 ,  G03F1/20 ,  G03F1/24

    Abstract: A light shielding film 2 made up of a material containing one or more elements selected from silicon and tantalum and a hard mask film 3 made up of a material containing chrome, oxygen, and carbon are laminated on a translucent substrate 1. The hard mask film 3 is a single layer film having a composition gradient portion with increased oxygen content on the surface and on the neighboring region. The maximum peak for N1s in a narrow scan spectrum obtained via X-ray photoelectron spectroscopy analysis is the lower limit of detection or less. The portions excluding the composition gradient portion of the hard mask film 3 have a 50 atom% or more chrome content, and the maximum peak for Cr2p in a narrow scan spectrum obtained via X-ray photoelectron spectroscopy analysis has a binding energy of 574 eV or less.

Patent Agency Ranking