公开(公告)号：KR20180041266A

公开(公告)日：2018-04-23

申请号：KR20187010644

申请日：2011-04-08

Applicant: HOYA CORP

Inventor： NOZAWA OSAMU ,  SHISHIDO HIROAKI ,  SAKAI KAZUYA

IPC: G03F1/26 ,  C23C14/06 ,  G03F1/32 ,  G03F1/54 ,  G03F1/68 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/32 ,  B82Y30/00 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0641 ,  G03F1/26 ,  G03F1/54 ,  G03F7/2041 ,  Y10S977/755

Abstract: 파장 200㎚이하의노광광에대한천이금속, 규소및 질소를주성분으로하는재료로이루어지는광 반투광막(위상시프트막)의내광성을향상시키고, 마스크수명을개선할수 있는위상시프트마스크블랭크및 그제조방법, 및위상시프트마스크를제공한다. ArF 엑시머레이저노광광이적용되는위상시프트마스크를제작하기위해서사용되는위상시프트마스크블랭크이며, 투광성기판상에광 반투과막을구비하고, 상기광 반투과막은, 천이금속, 규소및 질소를주성분으로하는불완전질화물막으로이루어지고, 상기광 반투과막의천이금속과규소와의사이에있어서의천이금속의함유비율이 9% 미만인것을특징으로하는위상시프트마스크블랭크이다.

公开(公告)号：DE102009060677A1

公开(公告)日：2010-08-19

申请号：DE102009060677

申请日：2009-12-28

Applicant: HOYA CORP

Inventor： SUZUKI TOSHIYUKI ,  HASHIMOTO MASAHIRO ,  ONO KAZUNORI ,  OHKUBO RYO ,  SAKAI KAZUYA

IPC: G03F1/50 ,  G03F1/54

Abstract: Ein Dünnfilm, der aus einem Material besteht, das ein Metall und Silicium enthält, wird auf einem lichtdurchlässigen Substrat ausgebildet. Dann wird eine Vorbehandlung zur Modifikation einer Hauptfläche des Dünnfilms durchgeführt, so dass bei kumulativer Einstrahlung von Belichtungslicht mit einer Wellenlänge von höchstens 200 nm auf eine Dünnfilmstruktur einer durch Strukturieren des Dünnfilms zu erzeugenden Photomaske die Übertragungscharakteristik der Dünnfilmstruktur sich nicht mehr als in einem vorgegebenen Grad ändert. Diese Behandlung wird beispielsweise durch Ausführen einer Wärmebehandlung in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre bei 450°C bis 900°C durchgeführt.

公开(公告)号：JP2014197190A

公开(公告)日：2014-10-16

申请号：JP2014044684

申请日：2014-03-07

Applicant: Hoya株式会社 ,  Hoya Corp ,  Hoya株式会社

Inventor： NOZAWA JUN ,  SHISHIDO HIROAKI ,  SAKAI KAZUYA

IPC: G03F1/26 ,  C23C14/06 ,  C23C14/34

Abstract: 【課題】位相シフト膜の面内や膜厚方向における組成や光学特性の均一性が高く、複数の基板間における位相シフト膜の組成や光学特性の均一性も高く、さらに低欠陥であるマスクブランクを製造する方法を提供することを目的としている。【解決手段】本発明は、真空容器内に不活性ガスおよび反応性ガスを導入し、スパッタリング法にて積層構造の位相シフト膜を形成するマスクブランクの製造方法である。本製造方法は、位相シフト膜の形成において、少なくともシリコンを含むターゲットを2以上配置し、前記ターゲットの一つをメタルモードでスパッタリングして形成する低透過層と、前記ターゲットの他の一つをポイズンモードでスパッタリングして形成する高透過層と、を順不同で積層してなる積層構造の位相シフト膜を形成する工程を含むこと、を特徴としている。【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种具有高均匀性的平面组成和相移膜的膜厚度方向组成的掩模坯料的制造方法和光学特性以及相移膜组成的高均匀性 和多个基板之间的光学特性，并且是低缺陷的。解决方案：制造掩模坯料的方法包括将惰性气体和反应性气体引入真空容器中，并通过溅射形成具有层压结构的相移膜，并且包括 通过在至少两个含硅靶上形成相变膜的步骤，通过以等离子体模式溅射其它靶，以金属模式溅射靶材和高渗透层之间层叠低渗透层， 其中层不以特定顺序层压，以形成具有层压结构的相移层。

公开(公告)号：JP2013178372A

公开(公告)日：2013-09-09

申请号：JP2012042000

申请日：2012-02-28

Applicant: Hoya Corp ,  Hoya株式会社

Inventor： HASHIMOTO MASAHIRO ,  SAKAI KAZUYA

IPC: G03F1/68

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a transfer mask capable of improving chemical resistance, hot-water resistance and light resistance and preventing deterioration of mask performance due to chemical processing, hot water washing or exposure light and the like.SOLUTION: After a thin film pattern 2a made of a material including transition metal and silicon is formed on a translucent substrate 1, a surface modified layer including an oxide on the surface of the thin film pattern 2a is formed by making ozone gas act on the thin film pattern 2a under irradiation of ultraviolet light. Thereby, a transfer mask 20 having enhanced chemical resistance, hot water resistance and light resistance is obtained.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够提高耐化学性，耐热水性和耐光性并防止由于化学处理，热水洗涤或曝光光等引起的掩模性能的劣化的转印掩模的制造方法。解决方案： 在透光性基板1上形成由包含过渡金属和硅的材料构成的薄膜图案2a之后，通过使臭氧气体作用在薄膜上形成包含氧化物在薄膜图案2a的表面的表面改性层 紫外线照射下的图案2a。 由此，获得具有增强的耐化学性，耐热水性和耐光性的转印掩模20。

公开(公告)号：JP2013178371A

公开(公告)日：2013-09-09

申请号：JP2012041999

申请日：2012-02-28

Applicant: Hoya Corp ,  Hoya株式会社

Inventor： HASHIMOTO MASAHIRO ,  SAKAI KAZUYA

IPC: G03F1/54 ,  H01L21/302

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for removing a thin film of a substrate with thin films, capable of reducing damage to the substrate after removing the thin film and preventing a residue of the thin film.SOLUTION: By using a mask blank 10 having a light shielding film 2 made of a material including, for example, a molybdenum silicide compound and an etching mask film 3 made of a chromium based material which are formed on a translucent substrate 1 in this order, and patterning the thin films of the mask blank by a photolithography method, an etching mask film pattern 3a and a light shielding film pattern 2a are formed. After processing of making an ozone gas with high concentration of 100 volume% act on (for example, contact) the etching mask film pattern 3a while heating the substrate at 100°C or more, the etching mask film pattern 3a is peeled and removed.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用薄膜除去基板的薄膜的方法，其能够在去除薄膜之后减少对基板的损伤并防止薄膜残留。解决方案：通过使用掩模板10 具有由例如硅化钼化合物和由铬基材料制成的蚀刻掩模膜3的材料制成的遮光膜2，所述蚀刻掩模膜3依次形成在透光性基板1上，并且将 通过光刻法形成掩模坯料，形成蚀刻掩模膜图案3a和遮光膜图案2a。 在将100体积％的高浓度的臭氧气体加工成（例如，接触）蚀刻掩模膜图案3a之后，在100℃以上加热基板的同时，剥离蚀刻掩模膜图案3a。

公开(公告)号：JP2012003255A

公开(公告)日：2012-01-05

申请号：JP2011110266

申请日：2011-05-17

Applicant: Hoya Corp ,  Hoya株式会社

Inventor： SAKAI KAZUYA ,  HASHIMOTO MASAHIRO

IPC: G03F1/58 ,  G03F1/32 ,  G03F1/82

CPC classification number: G03F1/54 ,  C03C17/225 ,  C03C17/23 ,  C03C23/007 ,  C03C2217/281 ,  C03C2217/29 ,  G03F1/50 ,  G03F1/68

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a mask blank and a method for manufacturing a transfer mask, and a mask blank and a transfer mask which are capable of improving light resistance of a thin film against exposure light having a wavelength of 200 nm or less and significantly improving a mask lifetime.SOLUTION: A method for manufacturing a mask blank having a thin film formed on a transparent substrate includes steps of: forming a thin film made of a material containing transition metal on the transparent substrate; and performing superheated steam treatment onto the thin film.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种制造掩模坯料的方法和用于制造转印掩模的方法，以及掩模坯料和转印掩模，其能够改善薄膜的耐光性，防止具有 波长为200nm以下，显着提高掩模寿命。 解决方案：一种用于制造具有形成在透明基板上的薄膜的掩模坯料的方法，包括以下步骤：在透明基板上形成由含有过渡金属的材料制成的薄膜; 并对薄膜进行过热蒸汽处理。 版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2011209762A

公开(公告)日：2011-10-20

申请号：JP2011161968

申请日：2011-07-25

Applicant: Hoya Corp ,  Hoya株式会社

Inventor： HASHIMOTO MASAHIRO ,  SAKAI KAZUYA ,  SUZUKI HISAYUKI ,  ONO KAZUNORI

IPC: G03F1/32 ,  G03F1/54 ,  G03F1/82

CPC classification number: G03F1/32 ,  G03F1/54 ,  G03F1/80

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a transfer mask improved in the light resistance of a translucent film or a light-shielding film containing a transition metal and silicon against exposure light at a wavelength of 200 nm or less.SOLUTION: The transfer mask which has a transfer pattern formed in a thin film for pattern formation provided on a light-transmissive substrate is produced by using a mask blank, wherein a thin film for pattern formation comprising silicon and a material containing a transition metal other than chromium, and a chromium-based thin film containing chromium are laminated in this order on a light-transmissive substrate, and the chromium content of the thin film for pattern formation is less than 1.0×10atoms/cm.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种改善透光性薄膜的耐光性的转印掩模或含有过渡金属和硅的遮光膜，以抵抗200nm以下的波长的曝光。解决方案：具有 通过使用掩模板制造形成在透光性基板上的图案形成用薄膜中的转印图案，其中，包含硅的图案形成用薄膜和含有铬以外的过渡金属的材料， 含铬的薄膜依次层叠在透光性基板上，图案形成用薄膜的铬含量小于1.0×10原子/ cm。

公开(公告)号：JP2014209200A

公开(公告)日：2014-11-06

申请号：JP2014048489

申请日：2014-03-12

Applicant: Hoya株式会社 ,  Hoya Corp ,  Hoya株式会社

Inventor： SAKAI KAZUYA ,  HASHIMOTO MASAHIRO

IPC: G03F1/60 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/60 ,  H01L21/30

Abstract: 【課題】薄膜の内部応力を小さくすることのできるマスクブランクの製造方法および転写用マスクの製造方法を提供する。【解決手段】透光性基板上に薄膜を備えるマスクブランクの製造方法であって、前記透光性基板は、水素を含有するガラス材料からなり、対向する1組の主表面71を有する透光性基板を準備する工程と、前記透光性基板の主表面71に、ケイ素又は金属の少なくとも一方を含有する材料からなる前記薄膜を形成する工程と、前記薄膜の表面に対して過熱水蒸気を当てることにより前記薄膜の内部応力を低減する過熱水蒸気処理工程とを有することを特徴とするマスクブランクの製造方法。【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够降低薄膜内应力的掩模坯料的制造方法和转印掩模的制造方法。解决方案：制造在半透明的膜上设置有薄膜的掩模坯料的方法 基板包括：准备由含有氢的玻璃材料制成并具有彼此相对的一对主表面71的透光性基板的工序; 在透光性基板的主表面71上形成由含有硅和金属中的至少一种的材料构成的薄膜的工序; 以及将过热蒸汽施加到薄膜表面的过热蒸汽处理步骤，以减小薄膜的内应力。

公开(公告)号：JP2014132359A

公开(公告)日：2014-07-17

申请号：JP2014043575

申请日：2014-03-06

Applicant: Hoya Corp ,  Hoya株式会社

Inventor： SUZUKI TOSHIYUKI ,  HASHIMOTO MASAHIRO ,  ONO KAZUNORI ,  OKUBO AKIRA ,  SAKAI KAZUYA

IPC: G03F1/32 ,  G03F1/82 ,  H01L21/027

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a photomask blank, capable of improving light fastness of a light semi-transmitting film or a light-shielding film containing metal and silicon to exposure light at a wavelength of 200 nm or shorter, and improving a service life of a photomask.SOLUTION: A photomask is manufactured by forming a thin film comprising a material containing molybdenum and silicon on a light-transmitting substrate, then subjecting the thin film to a treatment of increasing the number of SiOmolecules in a surface layer of the thin film to form a layer containing silicon and oxide on the surface layer of the thin film, and patterning the thin film. The above treatment on the thin film is carried out in such a manner that, when a thin film pattern of a photomask manufactured by patterning the treated thin film is continuously irradiated with ArF excimer laser light up to the total dose of 30 kJ/cm, a change amount of the line width of the thin film pattern after the irradiation is 5 nm or less.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种制造光掩模坯料的方法，其能够将光半透明膜或含有金属和硅的遮光膜的耐光性提高到200nm或更短的波长的曝光光，以及 提高光掩模的使用寿命。解决方案：通过在透光性基板上形成含有钼和硅的材料的薄膜，然后对该薄膜进行处理以增加表面上的SiO分子的数量来制造光掩模 层，以在薄膜的表面层上形成含有硅和氧化物的层，并对该薄膜进行构图。 对薄膜进行上述处理是这样进行的：当通过对经处理的薄膜进行图案化制造的光掩模的薄膜图案用ArF准分子激光连续照射直至总剂量为30kJ / cm 2时， 照射后的薄膜图案的线宽的变化量为5nm以下。

公开(公告)号：JP2013257593A

公开(公告)日：2013-12-26

申请号：JP2013177415

申请日：2013-08-28

Applicant: Hoya Corp ,  Hoya株式会社

Inventor： SAKAI KAZUYA ,  HASHIMOTO MASAHIRO ,  YAMADA TAKAYUKI

IPC: G03F1/20 ,  G03F1/26

CPC classification number: G03F1/50 ,  G03F1/38

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a mask blank that is improved in adhesion of a thin film for forming a transfer pattern to a resist, thereby suppressing the occurrence of collapse, chipping, or the like of the formed resist pattern.SOLUTION: The mask blank has, on a translucent substrate 1, a thin film 2 which is for forming a transfer pattern and is made of a material containing a metal. The thin film 2 has a surface modified layer in the form of an oxide film containing a hydrocarbon. The surface modified layer of the thin film 2 can be formed by, for example, causing a highly concentrated ozone gas and an unsaturated hydrocarbon gas to act on the thin film.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种改进了用于形成转印图案的薄膜与抗蚀剂的粘附性的掩模坯料，从而抑制形成的抗蚀剂图案的崩溃，碎裂等的发生。溶液：掩模 在半透明基板1上，坯料具有用于形成转印图案并由含有金属的材料制成的薄膜2。 薄膜2具有含有烃的氧化膜形式的表面改性层。 薄膜2的表面改性层可以通过例如使高度浓缩的臭氧气体和不饱和烃气体作用于薄膜而形成。