公开(公告)号：DE102021122555B4

公开(公告)日：2024-12-05

申请号：DE102021122555

申请日：2021-08-31

Applicant: IBM

Inventor： LI NING ,  DE SOUZA JOEL P ,  BREW KEVIN W ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H10N70/20 ,  G11C13/00 ,  H01L29/43 ,  H10B63/10

Abstract: Phasenänderungsspeicher-Einheit, die aufweist:eine dielektrische Schicht;eine untere Elektrode, die in der dielektrischen Schicht angeordnet ist;ein Liner-Material, das auf der unteren Elektrode angeordnet ist, wobei das Liner-Material des Weiteren eine aus Al gebildete Metallschicht aufweist, die über einer Dünnschicht aus einem leitfähigen Oxid angeordnet ist;ein Phasenänderungsmaterial, das auf dem Liner-Material angeordnet ist; undeine obere Elektrode, die auf dem Phasenänderungsmaterial und in der dielektrischen Schicht angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102021122555A1

公开(公告)日：2022-03-31

申请号：DE102021122555

申请日：2021-08-31

Applicant: IBM

Inventor： LI NING ,  DE SOUZA JOEL P ,  BREW KEVIN W ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L45/00 ,  G11C13/00 ,  H01L29/43

Abstract: Eine Phasenänderungsspeicher(PCM)-Einheit weist auf: eine dielektrische Schicht, eine untere Elektrode, die in der dielektrischen Schicht angeordnet ist, ein Liner-Material, das auf der unteren Elektrode angeordnet ist, ein Phasenänderungsmaterial, das auf dem Liner-Material angeordnet ist, sowie eine obere Elektrode, die auf dem Phasenänderungsmaterial und in der dielektrischen Schicht angeordnet ist.